合田 義弘 | 東大院理

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概要

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• 合田 義弘

  東大院理

• 常行 真司

  東大院理

• 常行 真司

  東大院理:物性研

• 常行 真司

  東京大学大学院理学系研究科物理学専攻

• 渡邉 聡

  東大工:科技団crest

• Watanabe Satoshi

  Graduate School Of Science And Technology Chiba University:japan International Research Center For A

• 渡邉 聡

  Takasaki Advanced Radiation Research Institute Japan Atomic Energy Agency

• 合田 義弘

  東大工

• 合田 義弘

  東大理

• 常行 真司

  東大理

• 渡邉 聡

  東大工

• 古家 真之介

  東大院工

• 只野 央将

  東大院理

• 古家 真之介

  東大工

• 安藤 康伸

  東大院理

• 合田 義弘

  東大物性研

• 押山 淳

  東京大学大学院工学系研究科

• 田中 倫子

  日大理工

• 田中 倫子

  東大工

• 渡邊 聡

  東大院工

• 吉澤 香奈子

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• 遠藤 辰哉

  東大院理

• 押山 淳

  東大院工

• 岩崎 誉志紀

  太陽誘電

• 常行 真司

  東京大学大学院理学系研究科

• 渡邊 聡

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• 戸塚 英臣

  日大理工

• 戸塚 英臣

  日本大学理工学部物理学科

• 常行 真司

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• 渡辺 一之

  東理大理:jst-crest

• 合田 義弘

  東京大学大学院理学系研究科

• 河村 光晶

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• 山本 良幸

  東大院理

• 佐藤 暢哉

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• 佐々木 成朗

  成蹊大工

• 古家 真之介

  東大院理

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• 中村 泰弘

  東大工

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  東北大工

• 佐々木 成朗

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• 中村 泰弘

  東大工:科学技術振興機crest

• 中村 美道

  東大工:科技団crest

• 渡辺 一之

  理大理

• 押山 淳

  東大工

• 合田 義弘

  東大工CREST

• 押山 淳

  東大工CREST

• 合田 義弘

  東大工、科技団CREST

• 渡邉 聡

  東大工、科技団CREST

• 渡邉 聡

  科技団

• 河村 光晶

  東大理

• 常行 真司

  東大理:東大物性研

• 安藤 康伸

  産総研

• 常行 真司

  東京大学大学院 理学系研究科物理学専攻

• 中村 美道

  東大工:

• 見澤 英樹

  東大理

• 山田 俊介

  東大院理

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著作論文

• 21aGL-6 Al原子とSiON/SiC(0001)表面のSchottky接合に関する電子状態計算(21aGL 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pHS-10 第一原理に基づく結晶の非調和格子振動のモデル化(22pHS 誘電体・フォノン(構造解析・フォノン),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 26aYG-3 Al原子を吸着させたSiON/SiC(0001)表面系の電子状態解析(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pRA-4 窒化物半導体/ホウ素化合物界面の第一原理計算(表面磁性,領域3,領域9合同,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pRA-4 窒化物半導体/ホウ素化合物界面の第一原理計算(領域3,領域9合同 表面磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)
• 21aPS-9 ジェリウム電極に働く力の電極間距離およびバイアス電圧依存性の第一原理計算による解析(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20aPS-9 ナノスケールコンデンサの静電容量の原子レベル計算 II : 電極表面原子構造依存性
• 28pPSB-11 ナノスケールコンデンサの静電容量の原子レベル計算
• 24aPS-1 金属表面からの電界電子放出電流の第一原理計算
• 26pWY-3 第一原理非調和格子モデルによる格子熱伝導率計算(26pWY フォノン,領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 30aVE-4 窒化ガリウム複空孔におけるスピン分極と構造緩和の第一原理計算(30aVE 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19pPSB-11 金属表面上のナノ構造からの電界電子放出電流スペクトルの理論解析
• 19pPSB-6 Al原子鎖の電気特性の第一原理計算 : バイアス電圧と構造の影響
• 20aPS-10 トンネル障壁高さへの探針原子種の影響
• 28pPSB-8 Al 表面のトンネル障壁高さのバイアス電圧依存性
• 21aYK-9 窒化物半導体における陽イオン空孔による磁性(21aYK 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 31pZE-9 Al 原子鎖の有限バイアスでの電気特性
• 31pZE-8 Si(100) 表面からの電界電子放出の理論解析
• 30aYQ-9 金属表面からの電界電子放出電流の第一原理計算 III
• 25pWD-3 金属表面からの電界電子放出電流の第一原理計算II
• 電界電子放射の第一原理計算
• 28aPS-67 第一原理に基づく非調和格子モデルの開発と熱伝導率計算への応用(28aPS ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 磁性元素が関与しない磁性? 界面・点欠陥の役割を予測
• 28pTG-1 固液界面の電気二重層に関する第一原理計算(28pTG 表面界面電子物性(シミュレーション),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28pTG-3 第一原理計算による窒化物/ホウ化物界面のスピン物性(28pTG 表面界面電子物性(シミュレーション),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pGT-7 超伝導密度汎関数理論による超伝導転移温度の第一原理的予測(21pGT 電子系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 22aHA-11 水-金属界面系の電気二重層キャパシタンスに関する第一原理計算(22aHA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pHA-8 非磁性元素界面における磁性の可能性(23pHA 表面界面電子物性(シミュレーション),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pHA-11 第一原理非調和格子モデルを用いたナノワイヤの熱伝導率計算(24pHA ナノチューブ・ナノワイヤ・表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 磁性元素が関与しない磁性? : 界面・点欠陥の役割を予測(最近の研究から)
• 磁性元素が関与しない磁性? : 界面・点欠陥の役割を予測
• 26pCJ-2 第一原理計算による希薄窒化物GaNPの光学伝導度(26pCJ 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aBG-5 超伝導密度汎関数計算における電子-フォノン結合の軌道依存性からの寄与(27aBG 電子系(第一原理計算・非平衡系・電子相関),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 18pAD-3 超伝導密度汎関数理論による軽元素超伝導体の第一原理計算(18pAD 電子系2,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 19aPSB-22 超球面探索法と力場反転法による構造探索(19aPSB 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 19aPSB-19 Hybrid密度汎関数理論に基づく擬ポテンシャルの開発(19aPSB 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 19aAG-12 熱電変換材料におけるフォノン伝導特性の第一原理計算(フォノン,19aAG 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 20aFF-5 固液界面の電気二重層キャパシタンスに関する第一原理計算(20aFF 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長)
• 19aEC-12 GaN結晶成長に伴うグラフェンの構造相転移(19aEC 領域7,領域9合同 グラフェン(分光・構造),領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pPSA-40 Nd_2Fe_B焼結磁石における主相-Nd酸化物相界面構造の第一原理計算(26pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pPSA-20 ポテンシャルエネルギー曲面の非調和性を用いた物質構造探索手法の開発(27pPSA 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 27pPSA-17 ハイブリッド密度汎関数理論に基づく擬ポテンシャルの開発とその応用(27pPSA 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 26aXS-6 ルチルTiO_2の酸素欠陥と不純物水素の第一原理計算(26aXS 格子欠陥・ナノ構造(水素・炭素系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 26aXS-4 I型クラスレート化合物におけるフォノン伝導特性の第一原理計算(26aXS フォノン,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27aKA-10 ルチル型酸化物半導体中の不純物水素の電子状態とその起源(格子欠陥・ナノ構造(炭素系・金属・水素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 25pPSA-17 酸化物中の不純物水素の荷電状態とNMR化学シフトの第一原理計算(領域10ポスターセッション(格子欠陥・ナノ構造・誘電体・中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27aKH-10 分割統治法に基づく全系-電子エネルギースペクトルの第一原理計算手法(電子系2,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 28aPS-46 半導体における高次フォノン散乱効果の理論解析(領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 27aKH-8 修正ポテンシャルエネルギー曲面による物質構造探索手法の開発(電子系2,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 30aAL-6 NMR化学シフトの第一原理計算によるBaTiO_H_x中の水素の理論解析(30aAL 格子欠陥・ナノ構造(水素・炭素系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

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