渡邊 聡 | 東大院工
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概要
関連著者
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渡邊 聡
東大院工
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渡邉 聡
東大院工
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渡邉 聡
東京大学大学院工学系研究科材料学専攻
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渡邊 聡
東大工
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青野 正和
理研
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内田 裕久
豊橋技科大
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渡邉 聡
新技団青野プロジェクト
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塚田 捷
東大理
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中村 淳
理研
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青野 正和
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
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青野 正和
物材機構mana
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内田 裕久
豊橋技術科学大学
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青野 正和
新技団青野プロジェクト
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青野 正和
理研:阪大工:科技団
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合田 義弘
東大院理
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渡邉 聡
東大工
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渡邉 聡
東大工:科技団crest
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中村 淳
電通大電子
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Watanabe Satoshi
Graduate School Of Science And Technology Chiba University:japan International Research Center For A
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合田 義弘
東大工
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渡邉 聡
Takasaki Advanced Radiation Research Institute Japan Atomic Energy Agency
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古家 真之介
東大院工
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古家 真之介
東大工
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櫻井 亮
物材機構MANA
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内田 裕久
新技団青野プロジェクト
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黄 徳歓
科技団
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中村 美道
東大工:科技団crest
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近藤 優樹
東大工
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渡邉 聡
阪大工
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黄 徳歓
新技団青野プロジェクト
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倉持 宏実
産業技術総合研究所ナノテクノロジー研究部門
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近藤 優樹
東大工:科技団crest
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小林 伸彦
筑波大学物理工学系
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中村 美道
東大工:
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渡辺 一之
東理大理
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山本 貴博
東大工
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山本 貴博
東大院工
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内田 裕久
新技術事業団青野原子制御プロジェクト
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GREY Francois
新技術事業団青野原子制御プロジェクト
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青野 正和
新技術事業団青野原子制御表面プロジェクト
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佐々木 成朗
成蹊大工
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金 周映
豊橋技術科学大学
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笹岡 健二
東大院工
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青野 正和
阪大工
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青野 正和
東理大理
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中岡 紀行
先端力学シミュレーション研
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渡邉 聡
東京大学大学院工学系研究科
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中岡 紀行
東理大理
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多田 和広
東理大理
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多田 朋史
東大院工
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俵 有央
東大院工
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青野 正和
大阪大学大学院工学研究科
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加藤 政彦
愛媛大理
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加藤 政彦
名大工
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倉持 宏実
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
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岸田 優
豊橋技術科学大学工学部電気電子工学系
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間瀬 将教
豊橋技科大
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倉持 宏実
阪大工
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桑原 裕司
阪大工
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渡邉 聡
新技術事業団青野原子制御表面プロジェクト
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金 周映
豊橋技術科学大学工学部環境生命工学系
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片山 光浩
理化学研究所表面界面工学研究室
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片山 光浩
理研
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山本 貴博
東京大学工学系研究科マテリアル工学専攻
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渡邊 聡
新技団青野プロジェクト
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GREY Francois
デンマーク工科大学マイクロエレクトロニクスセンター
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Grey F
新技術事業団青野原子制御表面プロジェクト
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Grey F
デンマーク工科大学マイクロエレクトロニクスセンター
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佐々木 成朗
東大工
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渡邉 聡
青野原子制御表面プロジェクト
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青野 正和
青野原子制御表面プロジェクト
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小林 伸彦
理研
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櫻井 亮
東大工
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青野 正和
科技団
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小林 伸彦
東大工
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櫻井 亮
理研
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多田 和広
東京理科大学理学部
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渡辺 一之
東理大理:jst-crest
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渡邉 聡
東京大学大学院工学研究科
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川尻 雄基
東大院工
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平井 大介
(現)東大院理
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笹岡 健二
(現)神戸大自然科学系先端融合研究環
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平井 大介
(現)東大院理:東大院工
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笹岡 健二
(現)神戸大自然科学系先端融合研究環:東大院工
著作論文
- 25pWD-1 空間分割第一原理計算の原理と応用
- 20pGS-10 カーボンナノチューブ架橋の誘導性-容量性サセプタンス転移(20pGS ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体))
- STM探針からSi(111)7×7表面に付与されたSi吸着子の振る舞い
- 31p-YF-9 Si(111)7×7表面に供給したSi単原子位置の解析
- Si (111) 7×7表面のSiアドアトムの結合エネルギーの差 : STMを用いた実験と理論計算による解析
- 28p-PSB-10 Si(111)7X7表面のアドアトム欠陥周辺の格子緩和の理論計算
- 27pYQ-3 Si(111)-(√×√)-Ag表面の相転移とSTM像のシミュレーション
- 24pPSA-20 Si(111)√×√表面の構造秩序化 : 第一原理計算結果に基づくモンテカルロシミュレーション
- 27p-R-13 Si(111)√×√-Ag表面の電子状態とSTM像の理論計算
- 27pY-7 Si(001)2x1Ag吸着表面の第一原理計算による評価
- 25pY-12 Au2原子列鎖の構造と電子状態
- 29a-PS-5 Si(001)表面上におけるAg吸着構造の第一原理計算による評価
- 30a-H-3 Si(111)√3×√3-Bi表面のSTM像の理論計算
- 28a-Y-3 Si(111)√×√-Sbおよび-Bi表面のSTM像の理論計算
- 30p-ZF-6 STM像における探針の傾きの影響
- 30a-ZD-4 Si(111)?×?-Ag表面のSTM像の理論計算
- 25pPSB-12 第一原理グリーン関数法による単一分子接合のNMR化学シフト計算(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 19pPSB-11 金属表面上のナノ構造からの電界電子放出電流スペクトルの理論解析
- 19pPSB-6 Al原子鎖の電気特性の第一原理計算 : バイアス電圧と構造の影響
- 18pWD-1 イントロダクトリートーク
- 25pWB-7 ジグザグ金原子鋼の双安定性
- 2p-PSA-2 Si(111)7×7表面のSi単原子の安定位置と電子状態の理論計算
- 31pZE-9 Al 原子鎖の有限バイアスでの電気特性
- 27pPSA-64 金属電極間単分子架橋系の交流応答特性の理論計算(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))