青野 正和 | 理研
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概要
関連著者
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青野 正和
理研
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青野 正和
物材機構mana
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片山 光浩
理研
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青野 正和
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
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中山 知信
理研
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片山 光浩
理化学研究所表面界面工学研究室
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鈴木 隆則
理研
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青野 正和
東理大理
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野村 英一
新技団青野プロジェクト
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塚越 幹郎
東理大
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塚越 幹郎
東京理科大理
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野村 英一
理研
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加藤 政彦
理研
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櫻井 亮
物材機構MANA
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姜 春生
Texas大
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小林 中
金沢工大 工
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古後 将司
東理大理
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桑原 裕司
理研 SPring-8
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副島 啓義
島津製作所
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野村 英一
青野原子制御表面プロジェクト
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橋本 克之
理化学研究所
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小林 伸彦
理研
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青野 正和
理化学研究所
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渡邉 聡
東大院工
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塚越 幹郎
東理大理
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渡邉 聡
東京大学大学院工学系研究科材料学専攻
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渡邊 聡
東大院工
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桑原 祐司
理研
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副島 啓義
島津製作所科学計測
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塚田 捷
東大理
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副島 啓義
島津製作所2科計
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青野 正和
理研:阪大工:科技団
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中村 淳
理研
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小林 中
新技術事業団 青野原子制御表面プロジェクト
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高橋 敏男
東大物性研
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中谷 信一郎
東大物性研
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加藤 政彦
名大工
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Shklyaev A.a.
理研
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林 茂樹
島津製作所基盤技術研究所
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内田 裕久
豊橋技科大
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塚田 捷
東北大学原子分子材料科学高等研究機構
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神谷 格
理研
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吉澤 正人
岩手大工
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塚越 幹郎
東理大・理:理研
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野口 一能
理研
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Shklyaev A.A
理研
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木村 祐樹
東理大
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野口 一能
理研:東理大
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小林 峰
理研
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内田 裕久
新技団青野プロジェクト
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江口 豊明
東大物性研:アウクスブルグ大
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江口 豊明
早稲田大学理工学部物質開発工学科
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江口 豊明
早大理工
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Daley R.S.
理研
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Williams R.S.
理研
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青野 正和
阪大工:物材研機構
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塚田 捷
東京大学理学部物理学科
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大坂 敏明
早稲田大学各務記念材料技術研究所
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Grey F.
新技術事業団 青野原子制御表面プロジェクト
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Snyder E.
新技術事業団 青野原子制御表面プロジェクト
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Grey F
新技術事業団 青野原子制御表面プロジェクト
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奥田 太一
東大物性研
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斉藤 彰
大阪大学基礎工学部精密科学
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吉本 則之
岩手大工
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桜井 康智
東理大
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菊田 惺志
東大工
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大柳 宏之
電総研
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寺部 一弥
無機材質研
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青野 正和
大阪大学大学院工学研究科
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武内 一夫
独立行政法人 理化学研究所
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山口 博隆
産総研
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岩木 正哉
理研
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宇田 応之
早大理工
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中村 淳
電通大電子
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大柳 宏之
通商産業省工業技術院電子技術総合研究所電子基礎部
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黄 徳歓
科技団
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青野 正和
新技団青野プロジェクト
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清水 富士夫
電通大レーザー量子・物質
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寺部 一弥
ナノマテリアル研究所
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丸井 隆雄
島津製作所京阪奈研究所
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寺部 一弥
物質材料研究機構ナノマテリアル研究所
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塚田 捷
東京大学理学部
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Dalley R.
UCLA
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Williams R.
UCLA
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大坂 敏明
早大理工
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大坂 敏明
早稲田大学理工学部物質開発工学科
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大坂 敏明
早大理工:早大材研
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大坂 敏明
早稲田大学理工学部
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新ヶ谷 義隆
(独)物質・材料研究機構 ナノシステム機能センター
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Grey F
新技術事業団青野原子制御表面プロジェクト
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大坂 敏明
早稲田大 理工
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高見 知秀
ワシントン州立大
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高見 知秀
理研
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福士 大地
早大理工
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King B.V.
理研
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Ramstad M.
理研
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武内 一夫
理研
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菊田 惺志
(財)高輝度光科学研究センター
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青野 正和
理研:新技団青野プロジェクト
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田中 啓文
自然科学研究機構・分子科学研究所・分子スケールナノサイエンスセンター
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田中 啓文
理研
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西原 美一
電総研
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門平 卓也
早稲田大学各務記念材料技術研究所
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山口 一郎
理研・光工学
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吉信 淳
理研
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小林 中
新事業団 青野原子制御表面プロジェクト
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Grey F
新事業団 青野原子制御表面プロジェクト
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F Grey
新技術事業団青野原子制御表面プロジェクト
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田中 義人
理研播磨
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長谷川 剛
物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス
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広瀬 喜久治
阪大工
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柿崎 明人
東大物性研
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重松 公司
岩手大・教育
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竹田 美和
名大工
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山谷 和彦
北大院工
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山谷 和彦
北大工
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岡島 吉俊
北大工
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竹川 俊二
無機材研
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高橋 隆
東北大理
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石井 武比古
東大物性研
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大谷 茂樹
無機材研
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石沢 芳夫
無機材研
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橋詰 富博
日立製作所基礎研究所
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田中 義人
理化学研究所X線自由電子レーザー計画推進本部
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原 正彦
理研 分子素子
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佐藤 繁
東北大院理
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佐藤 繁
東北大理
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鈴木 章二
東北大院・理
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鈴木 章二
東北大理
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霜田 進
理研
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山口 博隆
電総研
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三須 明
東理大理
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野口 一能
東理大
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木村 茂行
無機材研
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岡根 哲夫
東北大理
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木村 茂行
新技団・木村プロジェクト
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渡邉 聡
東大工
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渡邊 聡
東大工
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高橋 正光
原研関西研
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山田 みつき
東北大理
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加藤 政彦
愛媛大理
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木村 祐樹
東理大理
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渡邉 聡
新技団青野プロジェクト
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塩田 隆
電総研
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原 正彦
東工大・総合理工
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本間 禎一
千葉工大
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加藤 政彦
愛大理
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高橋 正光
東大物性研
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山田 みつき
Nec基礎研
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田中 義人
理研
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田中 義人
(独)理化学研究所播磨研究所 放射光科学総合研究センター
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本間 禎一
千葉工大工
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清水 忠雄
山口東京理科大学
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尾崎 弘行
東京農工大工
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諏訪 裕
早大理工
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山谷 和彦
北大・理
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左右田 龍太郎
無機材研
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大島 忠平
無機材研
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寺本 晃
島津製作所
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三田村 茂宏
島津製作所
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渡辺 一之
島津製作所
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King B.
Newcastle大
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金釜 憲夫
理研
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真崎 康博
北里大理
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渡邊 聡
新技団青野プロジェクト
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石井 武比古
サイアム・フォトン
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重松 公司
三井金属鉱業(株)電子材料研究所
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原 正彦
理研
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河野 彰夫
理化学研究所
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小室 修二
東洋大学 先端光応用計測研究センター
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小室 修二
東洋大
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塩田 隆
電子技術総合研究所
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船木 勉
東京農工大工
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門平 卓也
東大工:科学技術振興機構crest
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岡根 哲夫
原子力機構:spring-8
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土屋 高夫
東京農工大工
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真崎 康博
東大教養
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高原 秀房
三井金属
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岸本 次郎
東北大金研
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橋詰 富博
東北大金研
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桜井 利夫
東北大金研
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本間 禎一
千葉工業大学精密機械工学科
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金釜 憲夫
理化学研究所
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山崎 壮一
東北大金研
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Jeon D.
Myon Ji Univ.
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池上 浩
名大工
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長谷川 高陽
愛大理
-
井上 直樹
愛大理
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Ramstad M.
Department of Physics, MIT.
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小室 修二
東洋大工(先端光応用計測研究センター)
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三浦 義弘
早稲田大学理工学部物質開発工学科
-
猪股 弘明
新技団 青野プロジェクト
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曾根 逸人
理研:群大工
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青野 正和
無機材質研究所
-
中山 知信
物材機構mana:筑波大院
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芳賀 孝吉
住友電気
-
亀井 英徳
住友電気
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加藤 寛
理科大理
-
古後 将司
理科大理
-
三須 明
理科大理
著作論文
- 28a-S-3 電界蒸発の閾値に及ぼすSTM短針先端の幾何学的形状の効果
- 12p-DH-7 Si(001)2×1表面上の欠陥周辺からの異方的な電界蒸発
- 30p-H-2 STMにおけるSi(001)2×1表面からの電界蒸発
- 28a-Y-8 STMにおける電界蒸発の機構
- 28a-Y-6 STMによる電界イオン放出の理論
- 27p-E-6 STMにおける電界蒸発と表面加工
- 20aRH-3 Si(111)-7×7における磁化誘起SHGの位相測定
- 28a-Q-8 Si(111)-7x7 および"1x1"表面構造の非線形分光スペクトル II
- 31p-YF-6 Si(111)-7×7および"1×1"表面構造の非線形分光スペクトル
- 7a-PS-13 Si(111)-7x7 表面準位の非線形分光測定とスペクトル解析
- 29a-PS-22 Si(111)-7x7表面準位の非線形分光測定II
- 31p-PSB-39 Si(111)面7×7⇔"1×1"相転移過渡応答の表面SHG法による研究III
- 30a-PS-16 SI(111)7×7⟺"1×1"相転移過渡応答の表面SHG法による研究II
- 31a-S-1 光電子分光及び飛行時間分析型中エネルギーイオン散乱によるCe/Ni(110)表面層の研究
- 2p-PSA-43 Si(111)7×7⇔"1×1"相転移における過渡応答の応答解析
- 1p-G-3 X線回折法によるSi(111)√3x√3-Au表面構造の研究
- 28p-YA-3 和周波発生法を用いた表面吸着分子における振動スペクトルのピコ秒時間分解測定
- 30p-BPS-26 同軸型直衝突イオン散乱分光装置(CAICISS)の開発とその応用
- 31a-T-1 CAICISSにおけるイオンと中性原子の加速管による分離
- 5p-W-6 CaF_2/Si(111)界面におけるCaSi_2の構造と形成過程のCAICISSによる研究
- 5p-W-5 CAICISSによる表面およびバルクの構造解析
- 29a-P-10 同軸型直衝突イオン散乱分光(CAICISS)の分光器の設計と製作
- 31p-WC-4 交差鎖から成るポリマー擬似単原子層のSTMによる観察
- 12p-DJ-11 CAICISS・FI-STMによるSi(111)-3x1K表面構造
- 25p-L-1 イオンビームによって反跳された吸着原子の挙動
- 25a-Y-12 Si(111)表面における金属クラスターの形成と再配列過程 : STMによる観察
- 同軸型直衝突イオン散乱分光法(CAICISS)
- 24a-PS-37 Si(111)√×√-Ag表面上への原子吸着のCAICISSによる研究
- 24a-PS-4 CAICISSによるイオンの中性化確率の3次元空間分布測定
- 4P-E-4 CAICISSによる表面・界面の構造解析
- 4a-ps-40 CaF/Si(111)のT、T_4、H_3サイト構造モデルの比較検討 : CAICISSによる定量解析
- 4a-PS-38 Si(111)表面上のAgのエピタキシャル成長における拡散と核発生
- 30a-TA-10 Ag/Si(111)エピタキシャル成長初期過程のCAICISSによるリアルタイム追跡
- Erをドープした発光するSi薄膜のME-CAICISSによる結晶構造解析 : エピキタシャル成長IV
- 13a-PS-48 1ML InP _As_x超薄膜の組成依存性におけるIn-As結合長異常
- 31a-K-1 Si(111)表面準位の表面SHG法による分光測定
- 23pWB-5 二探針STM法によるSi(111)表面電気抵抗計測 : 探針間距離依存性
- 27a-PS-17 ダブルティップ走査トンネル顕微鏡II
- 31p-F-8 Si(111)表面の酸化反応における核形成、成長モデル
- Si(111)-7x7表面準位の非線形分光測定
- 19aRH-13 二探針STM法によるSi(001)表面上のErSi_2ナノワイヤの電気伝導測定
- 25pY-12 Au2原子列鎖の構造と電子状態
- 29a-PS-5 Si(001)表面上におけるAg吸着構造の第一原理計算による評価
- 30p-ZF-6 STM像における探針の傾きの影響
- 25pWB-7 ジグザグ金原子鋼の双安定性
- 2p-PSA-2 Si(111)7×7表面のSi単原子の安定位置と電子状態の理論計算
- 31p-S-3 Si(001)表面上のGe成長におけるサーファクタント被覆率依存性
- 29a-WB-5 CaF/Si(111) の成長と欠陥形成の機構 : STMによる観察
- 15a-DJ-7 Si(111)1x1-CaF表面におけるSTM観察
- 27a-ZS-7 Si(111)金属吸着表面上のGe成長 : CAICISSによるリアルタイム追跡
- 27p-Z-11 低エネルギー領域におけるイオンの散乱ポティンシャル
- 29a-P-6 表面イオン雲
- 6a-B4-12 CaF2(111)表面の欠陥の構造と化学状態
- 6a-B4-11 Si(111)-√3×√3Ag表面の構造のCAICISSによる研究
- 28p-PS-27 CaLaBaCu_3O_yの局所構造と超伝導
- 5a-PS-21 X線回折法によるSi(111)√3x√3-Gaの構造解析
- 5a-PS-20 X線回折法によるSi(111)√3x√3-Sbの構造解析
- 31a-Q-5 C-単層膜中における光重合C-二量体および三量体の非対称電子密度分布 : STM/STSによる検討
- 26p-YM-3 C_単分子層膜におけるC_-C_重合反応 : STMによる実空間観察
- 28a-Y-9 STMによるSi(111)7x7 表面原子除去確率の原子位置依存性
- 5p-PS-79 Bi-Sr-Ca-Cu-O系高温超伝導体のイオン散乱分光
- 15a-DH-9 Si(111)6×6-Au表面のSTMによる観察
- 6a-B-8 有機導体単結晶のSTM探針への応用II
- 31p-T-12 有機伝導体のSTM探針への応用
- 31p-T-6 III-V族化合物半導体表面上でのSTMによる原子操作
- Ag/GaAs(110)表面のSTM/STS測定
- 3p-K-3 STM探針による原子移動と原子付与
- 極高真空容器の表面改質
- 26aPS-26 第一原理擬ポテンシャル法によるSi(111)-(√x√)R30°-Sn表面の評価
- 31a-J-3 Sn吸着InSb(111)A表面のSTMによる研究
- 28a-S-6 Si表面上金属原子のSTMによる操作
- 19pPSB-31 Temperature and flux dependence of the nucleation of Si (111)-√x√-Ag phase on clean Si surface studied by SHG
- 22aWA-3 Enhancement of surface magnetization in Si(111)-7×7 observed by surface SHG
- 22pW-2 SHGによる表面磁気光学効果(SMOKE)の感度特性
- 22pW-1 Si(111)-7x7表面の磁気光学効果の表面SHG法による測定
- 23pWB-6 水素終端Si(001)表面のナノ構造からのSTM誘起発光
- 27pZ-9 水素終端Si(001)表面上のナノ構造からのSTM発光
- 28a-Q-2 Si表面上の原子スケール構造からのSTMによる発光
- 28p-YR-10 STMによる原子スケールでの発光とその機構
- 5a-B-7 水素終端Si(001)表面を用いたSTMによる原子操作
- 31p-T-5 水素終端Si(001)表面での原子操作
- 電子の飛び出る石 (セラミックスの不思議--頭を柔らかくして理屈を知ろう,何故?なぜ?ナゼ?)
- 表面と膜の評価 (プラズマによる膜生成とその特性評価)
- 微小領域の機能評価法とその応用--新しい低速イオン散乱分光法
- 29a-YB-4 単一パルス自己相関器の製作およびピコ秒パルス幅測定
- La_Sr_xCuO_およびNd_Ce_xCuO_の局所構造と超伝導
- イオン工学の分析技術への応用 (イオン工学--新物質創成・高機能素子開発を目指して)
- 28p-PSB-37 X線の絶対反射率測定による表面構造解析
- 29a-P-9 同軸型直衝突イオン散乱分光(CAICISS) : 新しい材料表面・界面評価法
- 12p-DH-8 Si(111)7x7表面の原子欠陥近傍におけるSTMによるSi原子除去確率の変化
- 27a-P-11 TiC単結晶チップを用いた走査トンネル顕微鏡(STM)
- 28pYQ-6 固体電気化学反応を用いた量子ポイントコンタクトスイッチ
- 27p-C-8 低速希ガスイオンの固体表面における中性化と再イオン化
- 2p-PSA-19 Si(001)およびAs終端Si(001)表面におけるInの初期成長過程のCAICISSによるその場観察
- 14p-DJ-9 STMを用いたSi(111)-7X7表面の局所的水素化
- 28pYQ-4 原子細線の伝導チャネル
- 25aTA-8 金属原子細線の電気伝導
- 30p-Q-4 原子架橋の電気伝導の第一原理計算
- 25p-YM-5 原子架橋の透過チャンネルの理論計算
- 25p-YR-9 有機導体(BEDT-TTF)_2I_3表面のSTMによる評価
- STMによる表面弾性波の測定
- 8aSM-14 Si(111)-7×7表面における磁化誘起SHGの温度依存性(表面界面構造・電子物性,領域9)
- 8pPSA-45 シリコン単結晶で観測された表面磁性(薄膜・人工格子磁性,微小領域磁性,表面・界面磁性講演,領域3)
- 6pPSB-62 第一原理計算による電界下でのナノ構造と電気伝導(表面界面結晶成長,領域9)
- 2p-K3-10 表面構造の動的変化のCAICISSによる時間分解解析(表面・界面)
- 2p-K3-9 CaF2(111)表面の欠陥構造のCAICISSによる解析(表面・界面)
- 2p-K3-8 Ag(111)表面の欠陥構造のCAICISSによる解析(表面・界面)
- 25aYF-9 水素及び酸素吸着Si(111)-7×7表面における磁化誘起SHG(25aYF 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 30p-TJ-4 CAICISSによるMBEプロセスのその場観察(30pTJ 表面・界面)
- 9aSE-2 タングステン単結晶表面上のカーボンナノチューブの成長(成長,構造,ガス吸着,領域7)