渡邊 聡 | 東大工
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概要
関連著者
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渡邊 聡
東大工
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橋詰 富博
東北大WPI-AIMR
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小野木 敏之
日立基礎研
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渡邊 聡
新技団青野プロジェクト
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渡邊 聰
東大工
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東大 大学院
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市村 雅彦
日立基礎研
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市村 雅彦
東北大金研:日立基礎研
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株式会社日立製作所基礎研究所
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渡邊 聡
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東北大WPI-AIMR
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日立
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渡邉 聡
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小野 義正
日立基礎研
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日立基礎研
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渡邉 聡
東大工
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一杉 太郎
東大工
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諏訪 雄二
日立基礎研
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山内 淳
慶大理工
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合田 義弘
東大工
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東京大学大学院工学系研究科材料学専攻
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矢島 章雄
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山内 淳
東大理
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渡邊 聡
日立基礎研
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合田 義弘
東大院理
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長谷川 哲也
神奈川科学技術アカデミー
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橋詰 富博
(株)日立製作所基礎研究所
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渡邉 聡
東大工:科技団crest
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長谷川 哲也
東工大応セラ研
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古家 真之介
東大工
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中村 淳
電通大電子
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塚田 捷
東北大学原子分子材料科学高等研究機構
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Watanabe Satoshi
Graduate School Of Science And Technology Chiba University:japan International Research Center For A
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和田 恭雄
日立 基礎研
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和田 恭雄
(株)日立製作所基礎研究所
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長谷川 哲也
東工大, 科技団
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中村 美道
東大工:科技団crest
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近藤 優樹
東大工
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中村 淳
理研
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松浦 志のぶ
東大工
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橋詰 富博
日立・基礎研
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草部 浩一
大阪大 大学院基礎工学研究科
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小野木 敏行
日立基礎研
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近藤 優樹
東大工:科技団crest
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渡邉 聡
Takasaki Advanced Radiation Research Institute Japan Atomic Energy Agency
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北沢 宏一
東大院工:東大院新領域:科技団
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橋詰 富博
(株)日立製作所中央研究所
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中村 美道
東大工:
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古家 真之介
東大院工
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青木 秀夫
東京大学大学院理学系研究科
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青木 秀夫
東大理
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渡辺 一之
東理大理
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草部 浩一
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青野 正和
理研
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川添 良幸
東北大金研
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北沢 宏一
東大工
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中岡 紀行
先端力学シミュレーション研
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中岡 紀行
東理大理
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多田 和広
東理大理
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戸塚 英臣
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渡邉 聡
東京大学大学院工学系研究科材料学専攻
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草部 浩一
東大物性研
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草部 浩一
東京大学物性研究所
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青野 正和
物材機構mana
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阪大院基礎工
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大野 かおる
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梶山 博司
日立
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梶山 博司
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平家 誠嗣
(株)日立製作所基礎研究所
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東京大学大学院理学系研究科化学専攻
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大野 かおる
横国大(工)
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佐々木 成朗
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杉野 修
東京大学 物性研究所
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青野 正和
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
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杉野 修
日電マイクロ研
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橋詰 富博
(株) 日立製作所基礎研究所
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平家 誠嗣
(株) 日立製作所基礎研究所
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市村 雅彦
(株) 日立製作所基礎研究所
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小野木 敏之
(株) 日立製作所基礎研究所
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LI Z.-Q
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一杉 太郎
東大工・超伝導
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平家 誠嗣
日立・基礎研
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梶山 博司
日立・基礎研
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和田 恭雄
日立・基礎研
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東大工・材料
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北沢 宏一
東大工・超伝導
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和田 泰雄
(株)日立製作所基礎研究所
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木村 栄伸
(株)テキサスインスツルメンツ筑波研究開発センター
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小林 伸彦
理研
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杉野 修
日本電気(株)基礎研究所
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市村 雅彦
(株)日立製作所基礎研究所
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渡邉 聡
東大院工学系
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渡邊 聡
東工大
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渡辺 聡
日立
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渡邊 聰
日立基礎研
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木村 栄伸
東大理
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多田 和広
東京理科大学理学部
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渡辺 一之
東理大理:jst-crest
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小林 伸彦
筑波大学物理工学系
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平家 誠嗣
日立中研
著作論文
- 25pWD-1 空間分割第一原理計算の原理と応用
- STMナノファブリケーションを用いたSi(111)表面電気伝導度の測定
- 半導体表面上の原子サイズ細線における強磁性の可能性
- シリコン表面におけるGa細線の形成とその特性
- 27pYQ-3 Si(111)-(√×√)-Ag表面の相転移とSTM像のシミュレーション
- 24pPSA-20 Si(111)√×√表面の構造秩序化 : 第一原理計算結果に基づくモンテカルロシミュレーション
- 23pWA-13 第一原理電荷解析によるシリコン表面異常拡散現象の研究
- 30p-S-5 水素終端シリコン表面上のガリウム原子拡散
- 25a-YM-4 Si(100)2×1-H上に作製したダングリングボンド構造のパイエルス変形
- 25a-YM-3 水素終端シリコン表面上のガリウム原子拡散の理論的研究
- 30a-YF-12 Si(100)-2X1-H上に作製したダングリングボンド構造のSTM/STS測定
- 19pPSB-11 金属表面上のナノ構造からの電界電子放出電流スペクトルの理論解析
- 19pPSB-6 Al原子鎖の電気特性の第一原理計算 : バイアス電圧と構造の影響
- 18pWD-1 イントロダクトリートーク
- 25pWB-7 ジグザグ金原子鋼の双安定性
- 30p-YF-11 拡張Δ鎖上のHubbardモデルの強磁性
- 29p-R-8 ナノ構造を用いた表面準位電気伝導度の直接測定
- 25p-B-9 偶数員環鎖上の平坦バンド強磁性
- 30p-N-7 原子細線におけるフラットバンド磁性の可能性
- Si 表面上の Ga 原子細線における強磁性の可能性
- 5a-B-6 水素終端シリコン表面上のガリウム原子細線の理論計算 : 強磁性発現の可能性
- 5a-B-2 水素終端シリコン(100)表面上の原子細線の電子状態
- 水素終端シリコン表面上の未結合ボンド細線におけるガリウム原子吸着の安定構造と電子状態の理論計算
- 31p-PSB-32 水素終端シリコン表面上の原子サイズ細線の電子状態の理論計算II
- 30a-PS-7 水素終端シリコン表面上の原子サイズ細線の電子状態の理論計算
- 30a-YF-13 水素終端シリコン(100)2X1表面上の原子細線の電子状態II
- 28a-WC-10 Ultrasoft擬ポテンシャルによるSrTiO_3表面の電子状態
- 26a-Z-1 ノルム非保存型擬ポテンシャルを用いた電子構造計算
- 25pPSB-2 第一原理計算に基づいた局所仕事関数の解析(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))