渡邊 聰 | 東大工
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概要
関連著者
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橋詰 富博
東北大WPI-AIMR
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渡邊 聡
東大工
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新技団青野プロジェクト
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渡邊 聰
東大工
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渡邊 聰
東大 大学院
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日立基礎研
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市村 雅彦
日立基礎研
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小野木 敏之
日立基礎研
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東北大金研:日立基礎研
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小野 義正
日立
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和田 恭雄
日立基礎研 Crest
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日立基礎研
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塚田 捷
東大理
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渡邊 聡
日立基礎研
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矢島 章雄
東大理
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草部 浩一
大阪大 大学院基礎工学研究科
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青木 秀夫
東京大学大学院理学系研究科
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青木 秀夫
東大理
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阪大基礎工
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(株)日立製作所基礎研究所
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渡邉 聡
東大工
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東大物性研
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草部 浩一
東京大学物性研究所
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有田 亮太郎
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草部 浩一
阪大院基礎工
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小野木 敏之
(株)日立製作所 基礎研究所
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黒木 和彦
東大理
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山内 淳
慶大理工
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塚田 捷
東北大学原子分子材料科学高等研究機構
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渡邊 聡
東京大学大学院工学系研究科材料学専攻
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橋詰 富博
日立・基礎研
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市村 雅彦
(株)日立製作所基礎研究所
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山内 淳
東大理
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渡邊 聡
東工大
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日立基礎研
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渡邊 聰
日立基礎研
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橋詰 富博
(株)日立製作所中央研究所
著作論文
- 半導体表面上の原子サイズ細線における強磁性の可能性
- 30p-YF-11 拡張Δ鎖上のHubbardモデルの強磁性
- 25p-B-9 偶数員環鎖上の平坦バンド強磁性
- 30p-N-7 原子細線におけるフラットバンド磁性の可能性
- Si 表面上の Ga 原子細線における強磁性の可能性
- 5a-B-6 水素終端シリコン表面上のガリウム原子細線の理論計算 : 強磁性発現の可能性
- 5a-B-2 水素終端シリコン(100)表面上の原子細線の電子状態
- 水素終端シリコン表面上の未結合ボンド細線におけるガリウム原子吸着の安定構造と電子状態の理論計算
- 31p-PSB-32 水素終端シリコン表面上の原子サイズ細線の電子状態の理論計算II
- 30a-PS-7 水素終端シリコン表面上の原子サイズ細線の電子状態の理論計算