市村 雅彦 | 日立基礎研
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概要
関連著者
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市村 雅彦
日立基礎研
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市村 雅彦
東北大金研:日立基礎研
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小野木 敏之
日立基礎研
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橋詰 富博
東北大WPI-AIMR
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渡邊 聡
東大工
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伊藤 顕知
(株)日立製作所 基礎研究所
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橋詰 富博
日立基礎研
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伊藤 顕知
(株)日立製作所基礎研究所
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早川 純
日立 中研
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佐久間 昭正
日立金属
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早川 純
日立中研
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佐久間 昭正
東北大工
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早川 純
(株)日立製作所基礎研究所
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渡邊 聡
新技団青野プロジェクト
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早川 純
(株)日立製作所基礎研究所:東北大学電気通信研究所
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渡邊 聰
東大工
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渡邊 聰
東大 大学院
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早川 純
日立 基礎研
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伊藤 顕知
日立中研
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村山 良昌
日立基礎研
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村山 良昌
日立基礎研究所
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古門 聡士
日立中研
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佐久間 昭正
日立金属(株)磁性材料研究所
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古門 聡士
静大工
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佐久間 昭正
日立金属 磁性材研
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小野 義正
日立
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塚田 捷
東大理
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矢島 章雄
東大理
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浅野 秀文
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
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平家 誠嗣
株式会社日立製作所基礎研究所
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松井 正顕
名大工
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杉山 幹人
名古屋大学大学院工学研究科
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鈴木 良夫
日立中研
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高橋 宏昌
(株)日立製作所ストレージテクノロジー研究センタ
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塚田 捷
東北大学原子分子材料科学高等研究機構
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高橋 三郎
東北大金研:crest
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和田 恭雄
日立基礎研 Crest
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鈴木 良夫
日立
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Asano H
Univ. Tsukuba Ibaraki Jpn
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渡邊 聡
東京大学大学院工学系研究科材料学専攻
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Matsui M
Department Of Materials Science And Engineering Nagoya University
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草部 浩一
大阪大 大学院基礎工学研究科
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市村 雅彦
(株)日立製作所基礎研究所
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Asano H
Institute Of Materials Science University Of Tsukuba
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小野 義正
日立基礎研
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小野木 敏行
日立基礎研
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Asano H
Ntt Interdisciplinary Research Laboratories:(present Address)nagoya University Department Of Materia
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高橋 宏昌
日立製作所ST研究センター
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青木 秀夫
東京大学大学院理学系研究科
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青木 秀夫
東大理
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前川 禎通
東北大金研
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草部 浩一
阪大基礎工
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松井 正顕
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻
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大野 英男
東北大通研
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今村 裕志
産総研ナノテク
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今村 裕志
産業技術総合研究所
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高橋 三郎
東北大金研
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平家 誠嗣
日立基礎研
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一杉 太郎
東北大WPI-AIMR
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橋詰 富博
(株)日立製作所基礎研究所
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渡邉 聡
東大工
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草部 浩一
東大物性研
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草部 浩一
東京大学物性研究所
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高橋 宏昌
日立中研
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有田 亮太郎
東大理
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前川 禎通
CREST-JST
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草部 浩一
阪大院基礎工
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小野木 敏之
(株)日立製作所 基礎研究所
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伊藤 顕知
(株)日立製作所中央研究所
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家田 淳一
(現)日本原子力研究開発機構先端基礎研究センター:東北大学金属材料研究所
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黒木 和彦
東大理
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家田 淳一
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
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池田 正二
東北大学電気通信研究所
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大野 英男
東北大学電気通信研究所
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一杉 太郎
東京大学大学院理学系研究科化学専攻
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浅野 秀文
名古屋大学
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浅野 秀文
名大・工
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早川 純
日立製作所基礎研究所
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来田 歩
名大工
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高橋 宏昌
(株)日立製作所基礎研究所
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藤森 正成
日立中研
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藤森 正成
日立基礎研
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早川 純
日立基礎研
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高橋 宏昌
日立基礎研
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伊藤 顕知
日立ケンブリッジ研究所
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池田 正二
東北大通研
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伊藤 顕知
日立
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池田 正二
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
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添谷 進
日立製作所中央研究所
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高橋 宏昌
(株)日立製作所研究開発本部
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橋詰 富博
(株) 日立製作所基礎研究所
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平家 誠嗣
(株) 日立製作所基礎研究所
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市村 雅彦
(株) 日立製作所基礎研究所
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小野木 敏之
(株) 日立製作所基礎研究所
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橋詰 富博
日立・基礎研
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浅野 秀文
名大工
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伊藤 顕知
日立基礎研
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松井 正顕
名大 工
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杉山 幹人
名大
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来田 歩
(株)日立基礎研
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添谷 進
日立中研
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渡邊 聡
東工大
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渡辺 聡
日立
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渡邊 聡
日立基礎研
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伊籐 顕知
日立中研
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山本 千早人
名古屋大学大学院工学研究科
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市村 雅彦
日立基礎研:東北大金研
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家田 淳一
CREST-JST
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高橋 三郎
CREST-JST
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伊藤 顕知
(株)日立製作所 中央研究所ストレージ研究部
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杉山 幹大
名古屋大学大学院工学研究科
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佐久間 昭正
(株)日立金属
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大野 英男
東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設
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池田 正二
東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設
-
早川 純
(株)日立製作所 基礎研究所
-
大野 英男
東北大学電気通信研究所東北大省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
-
平家 誠嗣
日立中研
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松井 正顕
名古屋大学
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橋詰 富博
(株)日立製作所中央研究所
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今村 裕志
産総研ナノシス
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家田 淳一
日本原子力研究開発機構先端基礎研究センター:科学技術振興機構(JST)CREST
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山本 千早人
名大工
著作論文
- 半導体表面上の原子サイズ細線における強磁性の可能性
- シリコン表面におけるGa細線の形成とその特性
- 18PWA-3 強磁性トンネル接合系の磁気抵抗効果 : 絶縁層の及ぼす影響
- Co/Al-oxide/Coのトンネル磁気抵抗効果の理論
- 超薄膜Feの構造と磁性
- Fe(n)/Au(4)系におけるFe, Au層のスピン分極の計算
- Fe/Au積層膜の電子状態と磁気構造
- 29a-PS-18 Fe/Au(n)系におけるAu層のスピン分極の計算
- 14a-PS-5 金属人工格子における電気抵抗の温度依存性
- 交換バイアス型スピンバルブ素子のスピントルク磁化反転
- 22pWA-3 磁性ナノ構造におけるスピン電流の空間分布
- 30p-YF-11 拡張Δ鎖上のHubbardモデルの強磁性
- 25p-B-9 偶数員環鎖上の平坦バンド強磁性
- 30p-N-7 原子細線におけるフラットバンド磁性の可能性
- Si 表面上の Ga 原子細線における強磁性の可能性
- 5a-B-6 水素終端シリコン表面上のガリウム原子細線の理論計算 : 強磁性発現の可能性
- 5a-B-2 水素終端シリコン(100)表面上の原子細線の電子状態
- 17pYH-2 CrAS/GaAsの電子状態 : バンド計算
- 23pYB-4 CO/Al_2O_3/Coの磁気抵抗効果に関する理論的研究
- 23pYB-3 Co/Al_2O_3/Coの界面電子状態 : バンド計算
- 30a-YF-13 水素終端シリコン(100)2X1表面上の原子細線の電子状態II
- 原子を並べて磁石を創る--フラットバンド強磁性の実現の可能性
- 24aXH-4 ねじれたスピン構造を持つ磁性多層膜におけるCPP-GMRの理論的研究(24aXH 薄膜,微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- ハーフメタル強磁性体を用いたスピントンネル素子とその応用
- ハーフメタル強磁性トンネル接合の磁気抵抗効果とその伝導物性
- 8aWA-6 Fe_3O_4を用いたGMR膜の磁気抵抗効果と電気伝導(トンネル磁気抵抗・メゾスコピック伝導,領域3)