橋詰 富博 | 東北大WPI-AIMR
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概要
関連著者
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橋詰 富博
東北大WPI-AIMR
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橋詰 富博
日立基礎研
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平家 誠嗣
株式会社日立製作所基礎研究所
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渡邊 聡
東大工
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平家 誠嗣
日立中研
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平家 誠嗣
日立基礎研
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小野木 敏之
日立基礎研
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一杉 太郎
東北大WPI-AIMR
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市村 雅彦
日立基礎研
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市村 雅彦
東北大金研:日立基礎研
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渡邊 聡
新技団青野プロジェクト
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渡邊 聰
東大工
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渡邊 聰
東大 大学院
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諏訪 雄二
日立基礎研
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橋詰 富博
(株)日立製作所基礎研究所
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梶山 博司
日立 基礎研
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梶山 博司
(株)日立製作所基礎研究所
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和田 恭雄
日立基礎研 Crest
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藤森 正成
日立中研
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小野 義正
日立
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梶山 博司
日立
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和田 恭雄
日立 基礎研
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和田 恭雄
(株)日立製作所基礎研究所
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橋詰 富博
(株)日立製作所中央研究所
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小野 義正
日立基礎研
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伊藤 耕三
東京大学大学院新領域創成科学研究科物質系専攻
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伊藤 耕三
東大 大学院新領域創成科学研究科
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橋詰 富博
日立製作所基礎研究所
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長谷川 哲也
神奈川科学技術アカデミー
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渡邉 聡
東大工
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塚田 捷
東大理
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伊藤 耕三
東京大学大学院新領域創成科学研究科
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藤森 正成
日立基礎研
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一杉 太郎
東大工
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一杉 太郎
東北大WPI
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平家 誠嗣
日立製作所基礎研究所
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下村 武史
東京大学大学院新領域創成科学研究科
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橋詰 富博
株式会社日立製作所基礎研究所
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清水 亮太
東北大WPI-AIMR
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加藤 弘一
(株)東芝研究開発センター新機能材料・デバイスラボラトリー
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石橋 雅義
日立製作所 基礎研究所
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内山 登志弘
産業技術融合領域研究所アトムテクノロジー研究体
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下村 武史
東京農工大学大学院共生科学技術研究院
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松浦 志のぶ
東大工
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渡邊 聡
東京大学大学院工学系研究科材料学専攻
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橋詰 富博
日立・基礎研
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矢島 章雄
東大理
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渡邊 聡
日立基礎研
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伊藤 耕三
東京大学大学院 新領域創成科学研究科
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長谷川 哲也
東大院理
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加藤 美登里
日立製作所基礎研究所
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赤井 智紀
東京大学大学院新領域創成科学研究科
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石橋 雅義
株式会社日立製作所基礎研究所
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岩谷 克也
東北大WPI-AIMR
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大澤 健男
東北大WPI-AIMR
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長谷川 哲也
東工大応セラ研
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塚田 捷
東北大学原子分子材料科学高等研究機構
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梶山 博司
日立基礎研
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内山 登志弘
JRCAT-ATP
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宇田 毅
JRCAT-ATP
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平家 誠嗣
(株)日立製作所基礎研究所
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長谷川 哲也
東工大, 科技団
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加藤 弘一
東芝基礎研
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一杉 太郎
東北大wpi材料機構
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新井 唯
日立中研
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寺田 康彦
日立基礎研
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一杉 太郎
ソニー(株)マイクロシステムズネットワークカンパニーコアテクノロジ開発本部テラバイトメモリー開発部
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宇田 毅
アドバンスソフト
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平家 誠嗣
日立・基礎研
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和田 恭雄
日立製作所基礎研究所
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草部 浩一
大阪大 大学院基礎工学研究科
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牛山 崇幸
上智大理工
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梶山 博司
日立製作所基礎研究所
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小野木 敏行
日立基礎研
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北沢 宏一
東大院工:東大院新領域:科技団
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橋詰 富博
日立中研:東工大:東北大wpi-aimr
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岩楯 裕介
東工大
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牛山 崇幸
東工大
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久保田 俊介
東工大
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井上 遥介
東工大
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岩谷 克也
東北大学原子分子材料科学高等研究機構
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宇田 毅
(株)ASMS
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清水 亮太
東北大WPI
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岩谷 克也
東北大WPI
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青木 秀夫
東京大学大学院理学系研究科
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青木 秀夫
東大理
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草部 浩一
阪大基礎工
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大野 英男
東北大通研
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川添 良幸
東北大金研
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島田 敏宏
東京大学大学院理学系研究科化学専攻
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森下 英郎
日立中研
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伊藤 耕三
東大新領域
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藤森 正成
日立製作所基礎研究所
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石橋 雅義
日立製作所基礎研究所
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加藤 美登里
株式会社日立製作所基礎研究所
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北沢 宏一
東大工
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草部 浩一
東大物性研
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草部 浩一
東京大学物性研究所
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小池 和幸
日立 基礎研
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高橋 宏昌
(株)日立製作所ストレージテクノロジー研究センタ
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有田 亮太郎
東大理
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草部 浩一
阪大院基礎工
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小野木 敏之
(株)日立製作所 基礎研究所
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島田 敏宏
東大院理
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大野 かおる
東北大金研
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黒木 和彦
東大理
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山内 淳
慶大理工
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栗田 昌幸
(株)日立製作所中央研究所
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三宅 晃司
(株)日立グローバルストレージテクノロジーズ
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三宅 晃司
日立グローバルストレージテクノロジーズ
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SUK Mike
日立グローバルストレージテクノロジーズ
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早川 純
(株)日立製作所基礎研究所
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池田 正二
東北大学電気通信研究所
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大野 英男
東北大学電気通信研究所
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加藤 篤
日立グローバルストレージテクノロジーズ
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宇田 毅
日立基礎研
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梶山 博司
株式会社日立製作所日立研究所
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宇田 毅
産業技術融合領域研究所アトムテクノロジー研究体
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来田 歩
名大
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松井 正顯
名大
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和田 恭雄
株式会社日立製作所基礎研究所
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栗田 昌幸
日立グローバルストレージテクノロジーズ
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白松 利也
日立グローバルストレージテクノロジーズ
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栗田 昌幸
日立製作所 中央研究所
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スク マイク
日立グローバルストレージテクノロジーズ
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村中 伸滋
東大院理
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福尾 則学
東工大応セラ研
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白松 利也
(株)日立グローバルストレージテクノロジーズ
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清水 亮太
東大院理
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一杉 太郎
東北大原子分子材料科学高等研究機構
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橋詰 富博
東北大原子分子材料科学高等研究機構
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一杉 太郎
東京大学大学院理学系研究科化学専攻
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大野 かおる
横国大(工)
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松井 正顯
名大工
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早川 純
(株)日立製作所基礎研究所:東北大学電気通信研究所
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梶山 博司
日立日立研
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橋詰 富博
東芝基礎研
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小池 和幸
産業技術総合研究所つくば中央第4事業所アトムテクノロジー研究体:産業技術総合研究所強相関電子技術研究センター:日立製作所中央研究所
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森下 英郎
日立中研:東大新領域
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高橋 宏昌
(株)日立製作所基礎研究所
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来田 歩
名古屋大学大学院工学研究科
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早川 純
日立基礎研
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高橋 宏昌
日立基礎研
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伊藤 顕知
日立ケンブリッジ研究所
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池田 正二
東北大通研
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伊藤 耕三
東京大学
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伊藤 顕知
(株)日立製作所基礎研究所
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池田 正二
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
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高橋 宏昌
(株)日立製作所研究開発本部
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橋詰 富博
(株) 日立製作所基礎研究所
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平家 誠嗣
(株) 日立製作所基礎研究所
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市村 雅彦
(株) 日立製作所基礎研究所
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小野木 敏之
(株) 日立製作所基礎研究所
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LI Z.-Q
東北大金研
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一杉 太郎
東大工・超伝導
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梶山 博司
日立・基礎研
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和田 恭雄
日立・基礎研
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渡邊 聡
東大工・材料
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北沢 宏一
東大工・超伝導
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和田 泰雄
(株)日立製作所基礎研究所
-
加藤 弘一
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
-
Matsui M
Department Of Materials Science And Engineering Nagoya University
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市村 雅彦
(株)日立製作所基礎研究所
-
山内 淳
東大理
-
来田 歩
(株)日立基礎研
-
渡邉 聡
東大院工学系
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栗田 昌幸
(株)日立グローバルストレージテクノロジーズ
-
渡邊 聡
東工大
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渡辺 聡
日立
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渡邊 聰
日立基礎研
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伊藤 耕三
東大院・新領域・物質系
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早川 純
日立 中研
-
早川 純
日立 基礎研
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大野 英男
東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設
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伊藤 顕知
(株)日立製作所 基礎研究所
-
池田 正二
東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設
-
大野 英男
東北大学電気通信研究所東北大省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
-
清水 亮太
東北大学
-
高橋 宏昌
日立製作所ST研究センター
-
宇田 毅
JRCAT
-
内山 登志弘
JRCAT
著作論文
- 21aGE-3 STM/STSを用いたSrTiO_3薄膜の電子状態評価(21aGE Ti・V酸化物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 22aTB-8 第一原理計算による絶縁膜・有機半導体界面の単分子膜の研究(22aTB 有機FET1,領域7(分子性固体・有機導体))
- SPMを用いた卓上微細加工装置とその応用(SPMを用いた微細加工)
- 超分子構造を用いた分子被覆導線
- 分子ナノチューブを用いた分子被覆導線
- STMナノファブリケーションを用いたSi(111)表面電気伝導度の測定
- 半導体表面上の原子サイズ細線における強磁性の可能性
- シリコン表面におけるGa細線の形成とその特性
- シリコン表面の未結合ボンドでの初期酸化反応
- Feナノワイヤーアレイの作製と磁気抵抗効果
- 走査プローブ顕微鏡を用いた10ナノメータレベルリソグラフィー
- 3403 熱式浮上量調整スライダの浮上面電位測定(S70-1 情報機器コンピュータメカニクス(1),S70 情報機器コンピュータメカニクス)
- 26pTD-12 超伝導Nb探針を用いたFI(Field Ion)-STM(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 30p-S-2 水素終端Si(100)2x1表面のダングリングボンドでの酸化構造(実験)
- 30p-S-1 水素終端シリコン表面のダングリングボンドでの酸化構造(理論)
- professional report 走査プローブ顕微鏡による評価技術--ナノの世界を視る,操る,探る
- 21aRB-12 第一原理計算による金属・有機半導体界面の機能性単分子膜の研究(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21pRJ-3 第一原理計算による金属・有機半導体界面の自己組織化単分子膜の研究(有機FET2,領域7,分子性固体・有機導体)
- 有機半導体の界面に期待するもの
- 21pYE-13 水素終端Si表面上の導電性高分子の電子状態(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 走査型トンネル顕微鏡が捉えるナノメータスケール構造の時間変化
- 交換バイアス型スピンバルブ素子のスピントルク磁化反転
- 28pWP-4 第一原理計算による水素終端Si(100)面のダイハイドライド鎖の研究(表面界面構造(半導体))(領域9)
- 走査プローブ微細加工法による極微細電極の調整と高分子ナノワイヤの電気伝導度測定
- 水素終端シリコン表面における原子細線の構造緩和
- 水素終端シリコン表面における原子細線の構造緩和
- 21pRA-7 単分子の電気伝導 : 期待と現状
- 31aWD-5 水素終端 Si 表面におけるドーバントペア構造の量子効果
- 23pWA-13 第一原理電荷解析によるシリコン表面異常拡散現象の研究
- 30p-S-5 水素終端シリコン表面上のガリウム原子拡散
- 25a-YM-4 Si(100)2×1-H上に作製したダングリングボンド構造のパイエルス変形
- 25a-YM-3 水素終端シリコン表面上のガリウム原子拡散の理論的研究
- 30a-YF-12 Si(100)-2X1-H上に作製したダングリングボンド構造のSTM/STS測定
- 25pWB-12 SrTiO_3(001)-(√×√)再構成表面の作製と評価(25pWB Ru酸化物・Ti酸化物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- さらなる発展を期して
- 30p-YF-11 拡張Δ鎖上のHubbardモデルの強磁性
- 水素終端シリコン表面における初期酸素吸着の原子レベル観察
- 水素終端シリコン表面における初期酸素吸着の原子レベル観察
- 29p-R-8 ナノ構造を用いた表面準位電気伝導度の直接測定
- 1p-YA-4 原子プロキシミティー場の実現に向けて
- 25p-B-9 偶数員環鎖上の平坦バンド強磁性
- 30p-N-7 原子細線におけるフラットバンド磁性の可能性
- Si 表面上の Ga 原子細線における強磁性の可能性
- 5a-B-6 水素終端シリコン表面上のガリウム原子細線の理論計算 : 強磁性発現の可能性
- 5a-B-2 水素終端シリコン(100)表面上の原子細線の電子状態
- 水素終端シリコン表面上の未結合ボンド細線におけるガリウム原子吸着の安定構造と電子状態の理論計算
- 31p-PSB-32 水素終端シリコン表面上の原子サイズ細線の電子状態の理論計算II
- 30a-PS-7 水素終端シリコン表面上の原子サイズ細線の電子状態の理論計算
- 30a-YF-13 水素終端シリコン(100)2X1表面上の原子細線の電子状態II
- 原子を並べて磁石を創る--フラットバンド強磁性の実現の可能性
- 23pGE-6 半導体、金属、誘電体界面の顕微評価の重要性(23pGE 領域10,領域8合同シンポジウム:超低速ミュオン顕微鏡:その限りない可能性を探る,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 23pGE-6 半導体、金属、誘電体界面の顕微評価の重要性(23pGE 領域10,領域8合同シンポジウム:超低速ミュオン顕微鏡:その限りない可能性を探る,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))