島田 敏宏 | 東大院理
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概要
関連著者
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島田 敏宏
東大院理
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島田 敏宏
東京大学大学院理学系研究科化学専攻
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神奈川科学技術アカデミー
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長谷川 哲也
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東大院新領域
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東大院理
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Shimada T
National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology (aist)
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東北大 理GCOE
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東京工業大学応用セラミックス研究所
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松本 祐司
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東大院工
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岸尾 光二
東大院工
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小間 篤
東大院理
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斉木 幸一朗
東大院理
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東工大院理工
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眞嶋 秀樹
東工大フロンティア
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山本 義朗
東大理
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小間 篤
Department Of Chemistry The University Of Tokyo
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福尾 則学
東工大フロンティア
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和田 恭雄
早大ナノテク研
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池田 進
高エネルギー研
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山本 義朗
東大院理
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筒井 謙
東洋大学バイオ・ナノエレクトロニクス研究センター
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斉木 幸一朗
東大 新領域
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岸尾 光二
東大工:jst-trip
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松本 祐司
東工大応セラ研
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松本 祐司
東工大フロンティア
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村中 伸滋
東大院理
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木野田 剛
神奈川科学アカデミー
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内田 智史
東大院工
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筒井 謙
早大ナノテク研
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寺嶋 和夫
東大院新領域
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木口 学
東大院新領域
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飯泉 謙一
東大院新領域
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寺嶋 和夫
東京大学大学院新領域創成科学研究科物質系専攻
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和田 恭雄
東洋大 学際・融合
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生田 博志
名大工
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清水 亮太
東北大WPI-AIMR
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生田 博志
名大・工
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清水 圭輔
東大院工
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近藤 猛
アイオワ州立大学エームス研究所
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宮寺 智彦
東大理
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斉木 幸一朗
東大新領域
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木口 学
東大新領域
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中山 学
東大新領域
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近藤 猛
名大工
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宮寺 哲彦
理研
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江面 知彦
早稲田大学ナノテクノロジー研究所
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清水 亮太
東大院理
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伊藤 義泰
リガク
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江面 知彦
早大ナノテク研
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稲葉 克彦
リガク
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宮寺 哲彦
東大院理
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稲葉 克彦
株式会社リガク
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宮副 裕之
東京大学大学院新領域創成科学研究科
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尾嶋 正治
東大院工
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一杉 太郎
東北大WPI-AIMR
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橋詰 富博
東北大WPI-AIMR
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Jst-crest:東大院工
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尾嶋 正治
Jst-crest:東大院工
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上野 啓司
東大院理
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藤原 宏平
理研
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嘉治 寿彦
東北大金研
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岡田 佳憲
名大・工
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岡田 佳憲
名大工
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藤原 宏平
東大新領域
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上野 啓司
埼玉大理
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組頭 広志
東大院工
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嘉治 寿彦
東大院理
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長谷川 哲也
東工大フロンティア
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下山 淳一
東京大学大学院 工学系研究科
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植田 敦希
東大院理
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植田 敦希
東京大学大学院理学系研究科化学専攻修士課程進学
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竹内 詩人
東大院理
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鶴浜 哲一
東大院理
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近松 彰
東大院理
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廣瀬 靖
東大院理
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一杉 太郎
東北大原子分子材料科学高等研究機構
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橋詰 富博
東北大原子分子材料科学高等研究機構
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木野田 剛
神奈川技術アカデミー
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組頭 広志
東京大学大学院工学系研究科
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尾嶋 正治
Ntt電子応用研究所
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大伴 真名歩
東京大学大学院理学系研究科化学専攻
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大伴 真名歩
東大院理
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宮副 裕之
東大院新領域
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市川 央
東大院理
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和田 恭雄
東洋大院学際・融合
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山川 秀充
東大院新領域
-
橋本 玲
東大院理
-
中山 学
東大院理
-
Ueno K
Ulsi Device Development Laboratories Nec Corporation
-
一杉 太郎
東北大WPI
著作論文
- 22pXG-2 ペンタセン薄膜における電界効果移動度の膜厚依存性
- 27pTD-6 低温STM/STS観測による局所擬ギャップ構造の温度依存性(27pTD 高温超伝導(トンネル分光),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24pWA-2 オーバードープBi2201単結晶の低温STM/STS観測(高温超伝導(トンネル分光・輸送特性),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 30pTL-1 アナターゼ型Ti_W_xO_2エピタキシャル薄膜の電気輸送特性と電子状態(30pTL Ti酸化物他,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 26pTD-12 超伝導Nb探針を用いたFI(Field Ion)-STM(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 18aTG-8 Nb探針によるSTM観察(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24aPS-84 Bi2212の低温磁場下STM/STS観察IV(24aPS 領域8ポスターセッション(低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 21aPS-13 走査型トンネル顕微鏡によるC_薄膜の局所物性評価(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30aUE-7 Bi2212の低温磁場下STM/STS観察III(30aUE 磁束量子系(磁束電子構造),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 19aYH-6 Bi2212の低温磁場下STM/STS観察II(磁束量子系(相図・可視化・電子状態),領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24pWA-3 Bi2212の低温磁場下STM/STS観察(高温超伝導(トンネル分光・輸送特性),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 13aPS-13 不純物添加 Bi-2212 単結晶の低温 STM/STS 観察(低温 : 超伝導・金属絶縁体転移, 領域 8)
- 22aXJ-4 ステップバンチング表面上にエピタキシャル成長したペンタセン単分子膜の構造と電子状態(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25aYC-11 有機グラフォエピタキシーの基板依存性から見たその成長機構(25aYC ナノチューブ・ナノワイヤ・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pXJ-9 人工周期構造を持つ熱酸化シリコン基板上におけるsexithiopheneの面内選択配向成長(28pXJ 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 13pWH-2 有機 FET の光応答機構(FET, 領域 8)
- 13pWH-2 有機 FET の光応答機構(FET, 領域 7)
- 27pZP-4 光照射によるC_FET特性の変化(領域7,領域8合同 : 分子デバイスII)(領域7)
- 27pZP-4 光照射によるC_FET特性の変化(領域7,領域8合同 分子デバイスII)(領域8)
- 19aTF-12 メチル終端Si(111)表面の電子分光
- 19aRH-3 (C_, In)/Si(111)系における電子状態
- 17aTF-6 変調分子線散乱法を用いた微傾斜基板表面上での有機分子拡散過程の解析
- 21aRB-7 グラフォエピタキシーによって面内配向制御した有機FETの特性評価(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21aRJ-12 グラフォエピタキシーによる有機半導体薄膜の配向制御とFETへの応用(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 28pRC-5 AlPcCl薄膜のin situ FET特性(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aXA-10 有機薄膜トランジスタの膜厚依存性と電界効果電荷注入(有機FET,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pYK-7 有機薄膜トランジスタ断面の電位分布からみた電界効果電荷注入(FET,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23aYC-11 メチル終端 Si(111) 表面の加熱による構造変化および電子分光測定
- 27pZP-1 有機薄膜トランジスタにおけるキャリヤの空間分布(領域7,領域8合同 分子デバイスII)(領域8)
- 27pZP-3 ケルビンプローブフォース顕微鏡による有機薄膜トランジスタ断面の電位分布測定(領域7,領域8合同 : 分子デバイスII)(領域7)
- 27pZP-3 ケルビンプローブフォース顕微鏡による有機薄膜トランジスタ断面の電位分布測定(領域7,領域8合同 分子デバイスII)(領域8)
- 24pY-17 変調分子線散乱法による有機分子の表面拡散過程の解析
- 25pPSB-17 Cu(100)上に作製したC_60薄膜の構造と電子状態(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))