小間 篤 | 東大院理
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概要
関連著者
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小間 篤
東大院理
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小間 篤
Department Of Chemistry The University Of Tokyo
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東大院創域
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吉川 元起
東大院理
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東大院理
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東大院理
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後藤 貴之
上智大理工
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東大新領域
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東大新領域
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城田 はまな
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東大院理
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東大院創域
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吉川 元起
東北大金研
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吉川 元起
東北大学金属材料研究所
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吉川 元起
東京大学大学院理学系研究科
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岩佐 義宏
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三谷 忠興
北陸先端大
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圓谷 志郎
物質・材料研究機構
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千秋 智彦
東大院理
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圓谷 志郎
東大院創域
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東大院理
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斉木 幸一朗
東入院創域
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飯泉 謙一
東大新領域
著作論文
- 25aS-4 La@C_薄膜の電子エネルギー損失スペクトル
- 19pPSB-23 絶縁体薄膜/金属単結晶界面のバンドアライメント
- 28aYQ-1 MgO(100)/Ag(100)界面の構造及び電子状態
- 31aWD-13 LiBr 超薄膜の STM 観察
- 29pPSA-31 Bilayer-GaSe終端Si(111)表面のSTM観察
- 24pPSA-28 Bilaye-GaSe上に形成したGa量子ドットの電子分光
- 24pPSA-24 Bilayer-GaSe終端Si(111)基板の表面構造解析と薄膜成長への応用
- 22aWA-7 C_/Si(111)系におけるC(1s)内殻励起スペクトル
- 23aT-6 MoS_2基板上III-VI層状化合物半導体超薄膜の成長機構
- 22aW-5 (C_,K)/Si(111)系の電子エネルギー損失スペクトル
- 26aPS-34 Si基板上へのGa_2Se_3薄膜のエピタキシャル成長と電子分光測定
- 26aPS-13 Si(111)-√x√Ag表面上に作製したC_単層膜の高分解能電子エネルギー損失スペクトル
- 24aZ-6 Si(111)-7×7および(100)-2×1表面上に作製したC_単層膜の電子エネルギー損失スペクトル
- 31pWD-6 金属上に成長したオリゴチオフェンの構造および電子状態 II
- 31pWD-5 金属上に成長したオリゴチオフェンの構造および電子状態 I
- 31aZE-7 Cu(110) 表面上ペンタセン薄膜の構造と電子状態
- 28pPSB-21 アルカリハライド/金属界面の構造と電子状態
- 19pWD-4 金属単結晶基板上のアルカリ-ハライドのエピタキシャル成長
- 19pWD-3 複合ヘテロ構造によるGaAs(001)基板上へのCoO単結晶薄膜の作製
- 19aTF-12 メチル終端Si(111)表面の電子分光
- 19aRH-3 (C_, In)/Si(111)系における電子状態
- 17aTF-6 変調分子線散乱法を用いた微傾斜基板表面上での有機分子拡散過程の解析
- 29pPSA-17 Cu(100)上のLiClヘテロエピタキシャル膜の電子構造
- 24aF-11 KドープC_薄膜の内殻励起電子エネルギー損失スペクトル
- 22aT-2 アルカリハライドヘテロ構造界面の格子ひずみ
- 25pWB-14 Cu(100)上のLiClヘテロエピタキシャル膜の構造及び電子状態
- 25aWD-12 LiF/LiBrヘテロ界面の電子状態
- 22aT-9 LiF/LiBr/Si(001)ヘテロ薄膜の原子,電子構造
- 24pY-17 変調分子線散乱法による有機分子の表面拡散過程の解析
- 9aSM-5 金属上に成長したアルカリハライド単結晶超薄膜の電子状態のEXAFSによる研究(表面界面構造・電子物性,領域9)
- 9aSM-10 酸化物薄膜極性面の成長とその電子状態(表面界面構造・電子物性,領域9)
- 25aYF-1 ヘテロ成長によるCsBr薄膜の結晶構造制御とその電子状態に関する研究(25aYF 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 25pPSB-17 Cu(100)上に作製したC_60薄膜の構造と電子状態(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 24aYF-2 アルカリハライド薄膜表面の表面構造および光電子収率(24aYF 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 9aSM-7 STMによるLiBr/Si(001)ヘテロ構造の観察(表面界面構造・電子物性,領域9)
- 24aYF-1 Ni,Cu(111)表面上のC_60単結晶エピタキシャル薄膜の構造および電子状態(24aYF 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 9aSM-6 紫外光照射によるアルカリハライド薄膜可視光応答の発現機構(表面界面構造・電子物性,領域9)