28pPSB-21 アルカリハライド/金属界面の構造と電子状態
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2003-03-06
著者
-
木口 学
東工大院理工
-
小間 篤
東大院理
-
斉木 幸一朗
東大院理
-
木口 学
東大新領域
-
小間 篤
Department Of Chemistry The University Of Tokyo
-
井上 宏昭
東大院理
関連論文
- 23aGL-6 極低温水素雰囲気下におけるAu,Ag,Cu単原子接合の電気伝導特性(23aGL ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aGL-5 Au電極に架橋したベンゼンジチオール単分子の電気伝導特性の置換基位置依存性(23aGL ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aGL-3 Au電極に架橋したピラー型のかご状単分子の電気伝導特性(23aGL ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aGS-9 電気化学ドーピングによる活性炭素繊維の電気伝導度制御(20aGS グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23aGL-4 金属電極に架橋したCe@C_単分子の伝導度特性(23aGL ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aGS-7 X線吸収分光による活性炭素繊維の電子状態の研究(20aGS グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pYH-3 置換基の位置の異なるベンゼンジアミン単分子接合の電気伝導度計測(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 30aTE-10 Au電極間に架橋したポルフィリン単分子の電気伝導度計測(30aTE 領域9,領域7合同 ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aS-4 La@C_薄膜の電子エネルギー損失スペクトル
- 21pGP-12 金属基板上における窒素ドープされたグラフェンの成長(21pGP グラフェン(成長と評価),領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pGP-6 Pt(111)上のPyridine重合で成長したグラフェンの構造解析(21pGP グラフェン(成長と評価),領域7(分子性固体・有機導体))
- 27aYE-3 酸化グラフェン超薄膜の還元と電気伝導特性II(グラフェン電子物性(伝導特性),領域7,分子性固体・有機導体)
- 27aYH-8 酸化グラフェン超薄膜の還元と電気伝導特性(27aYH グラフェン・グラファイト関連,領域7(分子性固体・有機導体))
- 19pPSB-23 絶縁体薄膜/金属単結晶界面のバンドアライメント
- 28aYQ-1 MgO(100)/Ag(100)界面の構造及び電子状態
- 21aGP-3 単分子接合における電子輸送とフォノン散乱(21aGP 領域9,領域7合同シンポジウム:分子狭窄系の物理,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pYH-5 金属電極間に架橋したパイ共役単分子の電気伝導特性(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26pYH-4 極低温水素雰囲気下におけるCo単原子接合の電気伝導度と振動スペクトルの同時計測(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 30aTE-2 Pt電極に架橋したベンゼン単分子接合の構造および電子伝導特性(30aTE 領域9,領域7合同 ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aXB-8 金属表面を利用した新規ナノ構造の作製および新たな表面・界面物性の探索(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24pYC-3 電極接合単一分子系の伝導実験(24pYC 領域9,領域7合同シンポジウム:単一分子伝導研究の現状と課題,領域9(表面・界面,結晶成長))
- イオン結晶の極性表面は可能か?--分子線エピタキシーによるMgO極性表面の実現と第一原理電子状態計算
- 27aWB-5 SiO_2上に成長したペンタセン薄膜の成長初期過程における分子配向(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 26pXC-7 重合方向を制御した長鎖ジアセチレン誘導体LB膜のNEXAFS解析(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 24pWB-1 Pt(111)基板上に成長したナノグラファイトのエッジ状態の観察(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 15pXE-3 金属表面上に成長した TTC 超薄膜の構造および界面電子状態(表面界面電子物性, 領域 9)
- 12pYD-3 金属/絶縁体界面の電子状態 : MIGS と極性面(実験)(主題 : ヘテロ界面における新しい電子状態と制御, 領域 9)
- 12aXF-9 水素吸着 C_ 単結晶薄膜の構造および電子状態(表面界面構造 : 金属・有機化合物, 領域 9)
- 軟X線を用いた金属/絶縁体界面における金属誘起ギャップ準位の研究
- 22pXG-2 ペンタセン薄膜における電界効果移動度の膜厚依存性
- 31aWD-13 LiBr 超薄膜の STM 観察
- 29pPSA-31 Bilayer-GaSe終端Si(111)表面のSTM観察
- 24pPSA-28 Bilaye-GaSe上に形成したGa量子ドットの電子分光
- 24pPSA-24 Bilayer-GaSe終端Si(111)基板の表面構造解析と薄膜成長への応用
- 22aWA-7 C_/Si(111)系におけるC(1s)内殻励起スペクトル
- 23aT-6 MoS_2基板上III-VI層状化合物半導体超薄膜の成長機構
- 22aW-5 (C_,K)/Si(111)系の電子エネルギー損失スペクトル
- 26aPS-34 Si基板上へのGa_2Se_3薄膜のエピタキシャル成長と電子分光測定
- 26aPS-13 Si(111)-√x√Ag表面上に作製したC_単層膜の高分解能電子エネルギー損失スペクトル
- 24aZ-6 Si(111)-7×7および(100)-2×1表面上に作製したC_単層膜の電子エネルギー損失スペクトル
- 21aRB-8 ヘキサベンゾコロネン誘導体薄膜の形態と電界効果トランジスタ特性(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 26aYF-9 ヘキサベンゾコロネン誘導体電界効果トランジスタ特性の温度依存性(26aYF 分子素子,有機FET 1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27pYE-7 CVD法による窒素ドープしたグラフェンの成長と電子状態(グラフェン電子物性(形成と評価),領域7,分子性固体・有機導体)
- 27aYE-2 酸化グラフェンナノシートの面間電導特性(グラフェン電子物性(伝導特性),領域7,分子性固体・有機導体)
- 7a-PS-19 角度分解光電子分光法によるSi(001)1x2-Ge表面の電子構造研究
- 20pYC-14 アルカリハライド/金属ヘテロ構造の STM 観察
- 26aWX-8 ピラー型かご状単分子接合の電気伝導度の分子サイズ依存性(26aWX ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aWX-7 Ptナノ電極間を架橋したエチレン・アセチレン分子接合の構造およびその電気伝導特性(26aWX ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pRA-1 グラフェンナノリボンにおける磁性エッジ状態の観測(23pRA グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 31pWD-6 金属上に成長したオリゴチオフェンの構造および電子状態 II
- 31pWD-5 金属上に成長したオリゴチオフェンの構造および電子状態 I
- 31aZE-7 Cu(110) 表面上ペンタセン薄膜の構造と電子状態
- 28pPSB-21 アルカリハライド/金属界面の構造と電子状態
- 19pWD-4 金属単結晶基板上のアルカリ-ハライドのエピタキシャル成長
- 19pWD-3 複合ヘテロ構造によるGaAs(001)基板上へのCoO単結晶薄膜の作製
- 19aTF-12 メチル終端Si(111)表面の電子分光
- 19aRH-3 (C_, In)/Si(111)系における電子状態
- 17aTF-6 変調分子線散乱法を用いた微傾斜基板表面上での有機分子拡散過程の解析
- 29pPSA-17 Cu(100)上のLiClヘテロエピタキシャル膜の電子構造
- ナノグラフェン,グラフェン端の電子構造と磁性 (ディラック電子系の固体物理 特集号) -- (グラフェンの物理)
- 29p-T-9 Cl/Cu(100)表面上のCl原子の熱振動異方性
- 29a-PS-40 Ni(111)表面に作成したPd超薄膜上でのSO_2分子の吸着構造
- Cu(100)表面上の塩素原子の熱振動異方性
- 23aYE-9 アルカリハライド/金属界面における金属誘起ギャップ状態
- 23aYC-9 金属表面上に成長したオリゴチオフェン超薄膜の構造および電子状態
- 24aF-11 KドープC_薄膜の内殻励起電子エネルギー損失スペクトル
- 27pZP-2 ペンタセン超薄膜のトランジスタ特性(領域7,領域8合同 : 分子デバイスII)(領域7)
- 27pZP-1 有機薄膜トランジスタにおけるキャリヤの空間分布(領域7,領域8合同 : 分子デバイスII)(領域7)
- 27pZP-2 ペンタセン超薄膜のトランジスタ特性(領域7,領域8合同 分子デバイスII)(領域8)
- 27pZP-1 有機薄膜トランジスタにおけるキャリヤの空間分布(領域7,領域8合同 分子デバイスII)(領域8)
- 金属誘起ギャップ状態--絶縁体/金属界面で何が起こるか
- 24pZ-1 アルカリハライドヘテロエピタキシャル薄膜界面構造のEXAFSによる研究
- 27pZP-3 ケルビンプローブフォース顕微鏡による有機薄膜トランジスタ断面の電位分布測定(領域7,領域8合同 : 分子デバイスII)(領域7)
- 27pZP-3 ケルビンプローブフォース顕微鏡による有機薄膜トランジスタ断面の電位分布測定(領域7,領域8合同 分子デバイスII)(領域8)
- 23aWA-9 絶縁体上の Co 超薄膜の構造と磁性
- 23aWA-9 絶縁体上の Co 超薄膜の構造と磁性
- 金属電極に架橋したベンゼン, C_ 単分子接合の構造および伝導特性の解明
- 26a-P-3 Cu/HOPG薄膜成長のEXAFSによる研究
- 22aT-2 アルカリハライドヘテロ構造界面の格子ひずみ
- 25pWB-14 Cu(100)上のLiClヘテロエピタキシャル膜の構造及び電子状態
- 25aWD-12 LiF/LiBrヘテロ界面の電子状態
- 22aT-9 LiF/LiBr/Si(001)ヘテロ薄膜の原子,電子構造
- 25pTG-3 非弾性トンネル分光によるアセチレン・エチレン単分子接合の構造決定(25pTG 表面界面構造(半導体・無機化合物),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aTA-9 電気化学的ドーピングによるナノグラフェンの磁性制御(26aTA 領域7,領域9合同 グラフェン(ラマン分光/端状態),領域7(分子性固体・有機導体))
- 28aTH-4 規定された伝導度を示すベンゼン単分子接合の探索(28aTH ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pY-17 変調分子線散乱法による有機分子の表面拡散過程の解析
- 27pPSA-66 単一分子接合におけるフォノン散乱効果(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pHA-4 規定された伝導度を示すπ共役単分子接合の探索(24pHA ナノチューブ・ナノワイヤ・表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pHA-5 水素単分子接合における伝導電子による分子振動励起効果(24pHA ナノチューブ・ナノワイヤ・表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pCK-2 1,4-ベンゼンジチオール分子接合における電気伝導度とラマンスペクトル計測(26pCK ナノチューブ・ナノワイヤ・表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29aXK-2 単一ベンゼンジチオール分子の熱起電力計測(29aXK ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 9aSM-5 金属上に成長したアルカリハライド単結晶超薄膜の電子状態のEXAFSによる研究(表面界面構造・電子物性,領域9)
- 28aJA-5 窒素分子を利用した銅単原子ワイヤーの安定形成(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 9aSM-10 酸化物薄膜極性面の成長とその電子状態(表面界面構造・電子物性,領域9)
- 25aYF-1 ヘテロ成長によるCsBr薄膜の結晶構造制御とその電子状態に関する研究(25aYF 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 25pPSB-17 Cu(100)上に作製したC_60薄膜の構造と電子状態(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 24aYF-2 アルカリハライド薄膜表面の表面構造および光電子収率(24aYF 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 9aSM-7 STMによるLiBr/Si(001)ヘテロ構造の観察(表面界面構造・電子物性,領域9)
- 24aYF-1 Ni,Cu(111)表面上のC_60単結晶エピタキシャル薄膜の構造および電子状態(24aYF 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 9aSM-6 紫外光照射によるアルカリハライド薄膜可視光応答の発現機構(表面界面構造・電子物性,領域9)