23aT-6 MoS_2基板上III-VI層状化合物半導体超薄膜の成長機構
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2000-03-10
著者
-
上野 啓司
東大院理
-
斉木 幸一朗
東大院創域
-
小間 篤
東大院理
-
上野 啓司
埼玉大理
-
林 利行
東大院理
-
小間 篤
Department Of Chemistry The University Of Tokyo
-
Ueno K
Ulsi Device Development Laboratories Nec Corporation
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