OME2000-51 異種原子終端Si基板上でのフラーレン分子のエピタキシー
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概要
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Si(111)清浄表面には活性なダングリングボンドが存在するが, 適当な原子を用いて終端することでそれらを不活性化することができる。この異種原子により規則的に終端された表面は, MoS_2やGaSeといった層状物質の劈開面と同様に不活性で表面エネルギーが低く, フラーレンや金属フタロシアニンといった有機分子性結晶の薄膜をファンデルワールス力を介してエピタキシャル成長するための基板として利用可能である。本稿では水素, 砒素及びbilayer-GaSeによるSi(111)表面の終端方法について解説し, これらのダングリングボンド終端基板上へのC_<60>薄膜の成長について述べる。さらに, 成長した薄膜の電子状態測定結果についても報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-07-21
著者
-
上野 啓司
東大院理
-
上野 啓司
埼玉大理
-
上野 啓司
東京大学大学院理学系研究科化学専攻
-
Ueno K
Ulsi Device Development Laboratories Nec Corporation
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