31a-S-12 不活性基板表面上に成長したC-<60>単層膜の電子エネルギー損失スペクトル
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1999-03-15
著者
-
上野 啓司
埼玉大理
-
小間 篤
Department Of Chemistry The University Of Tokyo
-
飯泉 謙一
東大院新領域
-
斉木 幸一朗
東大・理
-
小間 篤
東大・理
-
飯泉 謙一
東大・理
-
上野 啓司
東大・理
-
Ueno K
Ulsi Device Development Laboratories Nec Corporation
関連論文
- 研究ニュース
- 25aS-4 La@C_薄膜の電子エネルギー損失スペクトル
- 19pPSB-23 絶縁体薄膜/金属単結晶界面のバンドアライメント
- 28aYQ-1 MgO(100)/Ag(100)界面の構造及び電子状態
- 27aWB-5 SiO_2上に成長したペンタセン薄膜の成長初期過程における分子配向(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 26pXC-7 重合方向を制御した長鎖ジアセチレン誘導体LB膜のNEXAFS解析(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 26pYK-6 有機FETのtime of flight移動度測定(FET,領域7(分子性固体・有機導体))
- Scanning Tunneling Microscopy and Spectroscopy Study of LiBr/Si(001) Heterostructure
- Accumulation and Depletion Layer Thicknesses in Organic Field Effect Transistors
- 22pXG-2 ペンタセン薄膜における電界効果移動度の膜厚依存性
- 表面不活性化シリコン基板上における異方的有機薄膜成長
- 31aWD-13 LiBr 超薄膜の STM 観察
- 表面不活性基板を利用した有機・無機ナノ構造の形成(ナノ結晶)
- 29pPSA-31 Bilayer-GaSe終端Si(111)表面のSTM観察
- 層状物質基板
- 24pPSA-28 Bilaye-GaSe上に形成したGa量子ドットの電子分光
- 24pPSA-24 Bilayer-GaSe終端Si(111)基板の表面構造解析と薄膜成長への応用
- 22aWA-7 C_/Si(111)系におけるC(1s)内殻励起スペクトル
- OME2000-51 異種原子終端Si基板上でのフラーレン分子のエピタキシー
- 23aT-6 MoS_2基板上III-VI層状化合物半導体超薄膜の成長機構
- 22aW-5 (C_,K)/Si(111)系の電子エネルギー損失スペクトル
- 26aPS-34 Si基板上へのGa_2Se_3薄膜のエピタキシャル成長と電子分光測定
- 26aPS-13 Si(111)-√x√Ag表面上に作製したC_単層膜の高分解能電子エネルギー損失スペクトル
- 24aZ-6 Si(111)-7×7および(100)-2×1表面上に作製したC_単層膜の電子エネルギー損失スペクトル
- 30p-BPS-2 ヘテロエピタキシャル成長した層状物質のSTMによる評価
- 研究紹介
- 研究ニュース
- 13pWH-8 高誘電率ゲート酸化膜を用いた有機 FET の動作特性(FET, 領域 8)
- 13pWH-8 高誘電率ゲート酸化膜を用いた有機 FET の動作特性(FET, 領域 7)
- 20pYC-14 アルカリハライド/金属ヘテロ構造の STM 観察
- 22pXG-1 異方的成長条件下で成長したペンタセン薄膜を用いた有機 FET
- 24aPS-22 異種原子終端Si(111)基板に吸着したC_
- Metal-induced gap states at well defined alkali-halide/metal interfaces.
- 31pWD-6 金属上に成長したオリゴチオフェンの構造および電子状態 II
- 31pWD-5 金属上に成長したオリゴチオフェンの構造および電子状態 I
- 31aZE-7 Cu(110) 表面上ペンタセン薄膜の構造と電子状態
- 28pPSB-21 アルカリハライド/金属界面の構造と電子状態
- Dynamic and Static Disorder of Alkali Halide Solid Solutions studied by Temperature-dependent Extended X-Ray-Absorption Fine Structure
- 19pWD-4 金属単結晶基板上のアルカリ-ハライドのエピタキシャル成長
- 19pWD-3 複合ヘテロ構造によるGaAs(001)基板上へのCoO単結晶薄膜の作製
- 19aTF-12 メチル終端Si(111)表面の電子分光
- 19aRH-3 (C_, In)/Si(111)系における電子状態
- 17aTF-6 変調分子線散乱法を用いた微傾斜基板表面上での有機分子拡散過程の解析
- 29pPSA-17 Cu(100)上のLiClヘテロエピタキシャル膜の電子構造
- 27aY-7 Si単結晶表面上でのNiOの分解
- 29a-L-5 HgBa_2CuO_の光電子分光
- 28p-S-8 Si, GaAs基板上への岩塩型酸化物の成長
- 26p-YR-7 Si(111)面上へのMgのエピタキシャル成長
- 26p-YR-5 高感度RHEED法によるアルカリハライドヘテロ構造の評価
- 28a-T-2 アルカリハライドMBE成長膜表面の異方性
- 28a-YC-13 CdF_2の電子エネルギー損失スペクトル
- MF_2(M=Mn, Fe, Co, Ni)の電子エネルギー損失スペクトル
- 30a-X-1 MoS_2励起子の並進運動質量
- OME2000-50 金属内包フラーレンのエピタキシャル成長と電子状態
- 24aF-11 KドープC_薄膜の内殻励起電子エネルギー損失スペクトル
- 31a-S-12 不活性基板表面上に成長したC-単層膜の電子エネルギー損失スペクトル
- 27a-PS-64 層状物質基板上エピタキシャルC_薄膜の構造解析
- Scanning Tunneling Microscope Observation of the Metal-Adsorbed Layered Semiconductor Surfaces
- Heteroepitaxial Growth of Layered GaSe Films on GaAs(001) Surfaces
- 25p-ZG-11 還移金属ダイカルコゲナイドの角度依存磁気抵抗効果
- 27p-PSA-7 ヘテロ成長した層状物質のHREELSによる評価
- A 0.7-μm-Pitch Double Level Al Interconnection Technology for 1-Gbit DRAMs using SiO_2 Mask Al Etching and Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition SiOF
- A Reliable Double Level Interconnection Technology for Giga Bit DRAMs Using SiO_2 Mask Al Etching and PECVD SiOF
- A novel method to fabricate a molecular quantum structure: Selective growth of C-60 on layered material heterostructures
- Evaluation of [111]-Textured Cu Layer Formed on Thin Nb Barrier Layer on SiO_2(Session 8A Silicon Devices V,AWAD2006)
- Evaluation of [111]-Textured Cu Layer Formed on Thin Nb Barrier Layer on SiO_2(Session 8A Silicon Devices V)
- Formation of Preferentially Oriented Cu [111] Layer on Nb [110] Barrier on SiO_2
- Photoassisted Electrochemical Deposition of Copper from a Bathocuproin Complex
- Electrical Properties of LiF/Ag(001) Heterostructure
- Structural Analyses of Cu[111] Layer on Nb[110] Barrier Formed on SiO_2(AWAD2003 : Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices)
- Structural Analyses of Cu[111] Layer on Nb[110] Barrier Formed on SiO_2 (AWAD2003 (Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices))
- Formation of [111] Preferentially Oriented Cu Layer on [110] Nb Barrier on SiO_2
- Formation of [111] Preferentially Oriented Cu Layer on [110] Nb Barrier on SiO_2
- 27pZ-10 ZnS系有機無機複合クラスター薄膜の電子分光
- 28a-YR-4 層状物質TaSe_2上のC_超薄膜の電子分光
- 26p-YR-3 変調分子線散乱法による有機分子・無機単結晶表面相互作用の測定
- Fabrication of GaAs quantum dots on a bilayer-GaSe terminated Si(111) substrate
- 24aZ-1 アルカリハライド/半導体ヘテロ接合の光電子イールド測定(II)
- 28p-S-9 アルカリハライド/半導体ヘテロ接合の光電子イールド測定
- 表面を選ぶサッカーボール
- 26p-YR-6 MoS_2基板上InSeヘテロエピタキシャル超薄膜の成長機構
- 選択成長法による分子性結晶ナノ構造の形成
- 7a-PS-58 層状物質基板上での有機分子性結晶選択成長
- Nanostructure fabrication using selective growth on nanosize patterns drawn by a scanning probe microscope
- 31a-T-12 2D layered material buffer layers in large lattice mismatch heterostructures:The system CdS/InSe/Si
- 29a-PS-31 ヘテロ成長したIII-VI層状化合物半導体薄膜表面のSPM観察
- C_エピタキシャル薄膜の初期成長過程
- Heteroepitaxial Growth of Layered Semiconductor GaSe on a Hydrogen-Terminated Si(111) Surface
- 29p-PS-18 水素終端処理したSi基板上へのファンデアワールス・エピタキシー
- 25pW-6 ドープしたMoS_2、MoSe_2に観測される変調局所軌道のSTM/STS
- 22aT-2 アルカリハライドヘテロ構造界面の格子ひずみ
- 25pWB-14 Cu(100)上のLiClヘテロエピタキシャル膜の構造及び電子状態
- 25aWD-12 LiF/LiBrヘテロ界面の電子状態
- 22aT-9 LiF/LiBr/Si(001)ヘテロ薄膜の原子,電子構造
- 24pY-17 変調分子線散乱法による有機分子の表面拡散過程の解析
- Interfacial Reaction and Electrical Properties in the Sputter-Deposited Al/Ti Ohmic Contact to n-InP
- 24aZ-9 電荷移動錯体のエピタキシャル成長と光励起の影響
- 25pPSB-17 Cu(100)上に作製したC_60薄膜の構造と電子状態(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 9aSM-7 STMによるLiBr/Si(001)ヘテロ構造の観察(表面界面構造・電子物性,領域9)
- 9aSM-6 紫外光照射によるアルカリハライド薄膜可視光応答の発現機構(表面界面構造・電子物性,領域9)