22pXG-1 異方的成長条件下で成長したペンタセン薄膜を用いた有機 FET

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2003-08-15

著者

• 上野 啓司

  埼玉大院理工

• 上野 啓司

  埼玉大理

• 斉木 幸一朗

  東大新領域

関連論文

• 研究ニュース
• 22pGS-15 電極エッジに起因する有機半導体薄膜の面内配向成長とFETへの応用(22pGS 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
• 25aS-4 La@C_薄膜の電子エネルギー損失スペクトル
• 27aYH-8 酸化グラフェン超薄膜の還元と電気伝導特性(27aYH グラフェン・グラファイト関連,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aTA-6 化学的薄片剥離を用いたグラフェン薄膜形成手法の比較検討(21aTA 領域9,領域7合同 グラフェン・グラファイトの形成と評価II,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aWB-5 SiO_2上に成長したペンタセン薄膜の成長初期過程における分子配向(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 26pXC-7 重合方向を制御した長鎖ジアセチレン誘導体LB膜のNEXAFS解析(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 24pWB-1 Pt(111)基板上に成長したナノグラファイトのエッジ状態の観察(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 12aXF-9 水素吸着 C_ 単結晶薄膜の構造および電子状態(表面界面構造 : 金属・有機化合物, 領域 9)
• 26pYK-6 有機FETのtime of flight移動度測定(FET,領域7(分子性固体・有機導体))
• Scanning Tunneling Microscopy and Spectroscopy Study of LiBr/Si(001) Heterostructure
• Accumulation and Depletion Layer Thicknesses in Organic Field Effect Transistors
• 22pXG-2 ペンタセン薄膜における電界効果移動度の膜厚依存性
• 表面不活性化シリコン基板上における異方的有機薄膜成長
• 31aWD-13 LiBr 超薄膜の STM 観察
• 表面不活性基板を利用した有機・無機ナノ構造の形成(ナノ結晶)
• 29pPSA-31 Bilayer-GaSe終端Si(111)表面のSTM観察
• 層状物質基板
• 24pPSA-28 Bilaye-GaSe上に形成したGa量子ドットの電子分光
• 24pPSA-24 Bilayer-GaSe終端Si(111)基板の表面構造解析と薄膜成長への応用
• 22aWA-7 C_/Si(111)系におけるC(1s)内殻励起スペクトル
• OME2000-51 異種原子終端Si基板上でのフラーレン分子のエピタキシー
• 23aT-6 MoS_2基板上III-VI層状化合物半導体超薄膜の成長機構
• 22aW-5 (C_,K)/Si(111)系の電子エネルギー損失スペクトル
• 26aPS-34 Si基板上へのGa_2Se_3薄膜のエピタキシャル成長と電子分光測定
• 26aPS-13 Si(111)-√x√Ag表面上に作製したC_単層膜の高分解能電子エネルギー損失スペクトル
• 24aZ-6 Si(111)-7×7および(100)-2×1表面上に作製したC_単層膜の電子エネルギー損失スペクトル
• 26aYC-5 金属表面上に成長したヘキサフルオロヘキサベンゾコロネン薄膜の構造および電子状態(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30p-BPS-2 ヘテロエピタキシャル成長した層状物質のSTMによる評価
• 14aXD-12 Pt(111) 基板上に成長したナノグラファイトの電子状態および磁性(表面・界面磁性, 領域 3)
• 14aXD-12 Pt(111) 基板上に成長したナノグラファイトの電子状態および磁性(表面・界面磁性, 領域 9)
• 28pRC-14 有機半導体界面におけるトラップのスピン偏極(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
• 研究ニュース
• 研究紹介
• 13pWH-8 高誘電率ゲート酸化膜を用いた有機 FET の動作特性(FET, 領域 8)
• 13pWH-8 高誘電率ゲート酸化膜を用いた有機 FET の動作特性(FET, 領域 7)
• 20pYC-14 アルカリハライド/金属ヘテロ構造の STM 観察
• 22pXG-1 異方的成長条件下で成長したペンタセン薄膜を用いた有機 FET
• 24aPS-22 異種原子終端Si(111)基板に吸着したC_
• 31pWD-5 金属上に成長したオリゴチオフェンの構造および電子状態 I
• 21aXA-7 有機薄膜FETのtime of flight移動度測定(2)(有機FET,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23aYE-9 アルカリハライド/金属界面における金属誘起ギャップ状態
• 31a-S-12 不活性基板表面上に成長したC-単層膜の電子エネルギー損失スペクトル
• 27a-PS-64 層状物質基板上エピタキシャルC_薄膜の構造解析
• 28pXJ-11 偏光配向したAlq3薄膜の結晶構造解析(28pXJ 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 18aRG-3 ジメチルアミノピロールオリゴマー薄膜の構造および電子状態(分子磁性・高圧物性,領域7,分子性固体・有機導体)
• Scanning Tunneling Microscope Observation of the Metal-Adsorbed Layered Semiconductor Surfaces
• Heteroepitaxial Growth of Layered GaSe Films on GaAs(001) Surfaces
• 26pYK-4 有機薄膜トランジスタの複素インピーダンス : I. 電気容量の膜厚依存性(FET,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aPS-44 ハイドロフラレン単結晶薄膜の構造と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pZP-1 有機薄膜トランジスタにおけるキャリヤの空間分布(領域7,領域8合同 : 分子デバイスII)(領域7)
• 27pZP-1 有機薄膜トランジスタにおけるキャリヤの空間分布(領域7,領域8合同 分子デバイスII)(領域8)
• 27pRC-4 C_薄膜の気体分子吸着における電子状態の変化(27pRC フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aXA-10 酸素雰囲気下での光照射によるC_の電子状態の変化(フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27p-PSA-7 ヘテロ成長した層状物質のHREELSによる評価
• A 0.7-μm-Pitch Double Level Al Interconnection Technology for 1-Gbit DRAMs using SiO_2 Mask Al Etching and Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition SiOF
• A Reliable Double Level Interconnection Technology for Giga Bit DRAMs Using SiO_2 Mask Al Etching and PECVD SiOF
• A novel method to fabricate a molecular quantum structure: Selective growth of C-60 on layered material heterostructures
• 20aPS-42 UV/オゾン処理およびアニーリングによるSiO_2表面状態の変化(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 23aWA-9 絶縁体上の Co 超薄膜の構造と磁性
• 23aWA-9 絶縁体上の Co 超薄膜の構造と磁性
• 溶液系の有機デバイス作製技術検討
• 13pWH-1 有機薄膜 FET の表面分光によるプラズマ振動の観測(FET, 領域 7)
• Fabrication of GaAs quantum dots on a bilayer-GaSe terminated Si(111) substrate
• 24aZ-1 アルカリハライド/半導体ヘテロ接合の光電子イールド測定(II)
• 28p-S-9 アルカリハライド/半導体ヘテロ接合の光電子イールド測定
• 表面を選ぶサッカーボール
• 26p-YR-6 MoS_2基板上InSeヘテロエピタキシャル超薄膜の成長機構
• 選択成長法による分子性結晶ナノ構造の形成
• 7a-PS-58 層状物質基板上での有機分子性結晶選択成長
• Nanostructure fabrication using selective growth on nanosize patterns drawn by a scanning probe microscope
• 31a-T-12 2D layered material buffer layers in large lattice mismatch heterostructures:The system CdS/InSe/Si
• 29a-PS-31 ヘテロ成長したIII-VI層状化合物半導体薄膜表面のSPM観察
• C_エピタキシャル薄膜の初期成長過程
• Heteroepitaxial Growth of Layered Semiconductor GaSe on a Hydrogen-Terminated Si(111) Surface
• 29p-PS-18 水素終端処理したSi基板上へのファンデアワールス・エピタキシー
• 領域9,7「ヘテロ界面における新しい電子状態と制御」(2004年秋季大会シンポジウム(物性領域)の報告)
• 28pTA-1 グラフェンシート中への窒素ドープによるカーボンナノウォール伝導特性の変化(28pTA 領域7,領域9合同 グラフェン(修飾/キャリア・ドープ),領域7(分子性固体・有機導体))
• 12pYD-8 ヘテロ界面における新しい電子状態と制御-おわりに(主題 : ヘテロ界面における新しい電子状態と制御, 領域 9)
• グラフェン塗布電極を用いた有機FETの作製と評価(センサー,デバイス,一般)
• 9aSM-5 金属上に成長したアルカリハライド単結晶超薄膜の電子状態のEXAFSによる研究(表面界面構造・電子物性,領域9)
• 9aSM-10 酸化物薄膜極性面の成長とその電子状態(表面界面構造・電子物性,領域9)
• 25aYF-1 ヘテロ成長によるCsBr薄膜の結晶構造制御とその電子状態に関する研究(25aYF 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
• 24aYF-2 アルカリハライド薄膜表面の表面構造および光電子収率(24aYF 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
• 6aSM-9 紫外光電子分光法によるAl/Sn界面の電子状態(表面界面構造・電子物性,領域9)
• 24aYF-1 Ni,Cu(111)表面上のC_60単結晶エピタキシャル薄膜の構造および電子状態(24aYF 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長分野))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク