20aPS-42 UV/オゾン処理およびアニーリングによるSiO_2表面状態の変化(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2007-02-28
著者
-
池田 進
東北大 理GCOE
-
斉木 幸一朗
東大 新領域
-
圓谷 志郎
東大新領域
-
池田 進
東大新領域
-
園谷 志郎
東大新領域
-
斉木 幸一朗
東大新領域
-
池田 進
高エネルギー研
-
圓谷 志郎
物質・材料研究機構
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