池田 進 | 高エネルギー研
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概要
関連著者
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池田 進
高エ研
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池田 進
東北大 理GCOE
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斉木 幸一朗
東大 新領域
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池田 進
高工研
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池田 進
KEK
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森 一広
KUR
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杉本 秀彦
中央大理工
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和田 恭雄
東洋大学バイオ・ナノエレクトロニクス研究センター
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園谷 志郎
東大新領域
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大山 研司
東北大金研
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神山 崇
KEK-物構研
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鳥居 周輝
KEK-物構研
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島田 敏宏
東京大学大学院理学系研究科
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神山 崇
高エ研
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斉木 幸一朗
東大院理
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深澤 裕
原子力機構
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和田 恭雄
東洋大 学際・融合
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山口 泰男
東北大金研
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小野寺 秀也
東北大金研
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山内 宏樹
東北大金研
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神山 崇
筑波大物質工
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嘉治 寿彦
東北大金研
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山内 宏
東北大金研
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山内 宏
東北大学金属材料研究所
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浅野 肇
筑波大学物質工学系
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斉木 幸一朗
東大新領域
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鳥居 周輝
筑波大物質工
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前 晋爾
北大工
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浅野 肇
筑波大物質工
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伊藤 晋一
高エ研
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富安 啓輔
東北大院理
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富安 啓輔
東北大WPI材料機構
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神山 崇
高エネルギー加速器研究機構・大強度陽子加速器推進部
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宮寺 智彦
東大理
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池田 進
東大新領域
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浅野 肇
筑波大物質
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深澤 裕
北大工
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鬼柳 亮嗣
東北大多元研
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米村 雅雄
茨城大理工
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池田 進
東北大理GCOE
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伊東 一幸
広大院理
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米村 雅雄
Institute of Applied Beam Science, Graduate School of Science and Engineering, Ibaraki University
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鹿内 文仁
高エ研
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伊藤 晋一
高エネルギー加速器研究機構物質構造科学研究所
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米村 雅雄
茨城大院工
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小林 寿夫
東北大理
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圓谷 志郎
東大新領域
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島田 敏宏
東大院理
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森 一広
総研大数物科学
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ウルニサ トルスン
茨城大
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島田 敏宏
東京大学大学院理学系研究科化学専攻
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筑紫 格
千葉工大
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木村 英彦
名古屋大学大学院工学研究科
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鬼丸 孝博
広島大院先端物質:広島大先進セ
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森 一広
京大原子炉
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石本 賢一
東北大金研
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石川 義和
東北大理
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Bennington S.M.
ISIS(RAL)
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Bennington S.
Ral
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石垣 徹
茨城大学フロンティア応用原子科学研究センター設立準備室
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ウルニサ トルスン
物質・材料研究機構
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小林 寿夫
兵庫県立大物質理:jst Crest:trip
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小幡 誠司
東大院理
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田島 圭介
慶大理工
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松尾 隆祐
阪大院理
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富安 啓輔
東北大金研
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鬼柳 亮嗣
IPNS, Argonne National Laboratory
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米村 雅雄
茨大院理工
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岩瀬 謙二
高エ研
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Sulistyanintyas Dyah
高エ研
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Wuernisha Tuerxun
高エ研
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小黒 貢
北教大
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外舘 良衛
お茶大
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Bennington S.M.
RAL
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杉本 秀彦
中大理工
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筒井 謙
東洋大学バイオ・ナノエレクトロニクス研究センター
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阿曽 尚文
琉大院理
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加美山 隆
北大
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櫻井 利夫
東北大金研
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狩野 旬
筑波大院数物
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小島 誠治
筑波大院数物
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鹿内 文仁
筑波大院数物
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阿曽 尚文
東大物性研
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伊藤 晋一
物構研
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石川 義和
東北大・理
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谷口 博基
東工大応セラ研
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泉 富士夫
物質・材料研究機構物質研究所
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坂口 亮
広大理
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伊東 一幸
広大理
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山室 修
阪大院理
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吉川 元起
東大院理
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斉木 幸一朗
東京大学大学院 新領域創成科学研究科 複雑理工学専攻
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池田 進
高エネ研
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小村 健
広大院理
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及川 健一
Center For Proton Accelerator Facility Jaeri
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富安 啓輔
高エ研
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石垣 徹
JAEA
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筑紫 格
千葉工大工
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泉 冨士夫
無機材研
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藤川 安仁
東北大金研
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桜井 利夫
東北大wpi
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富永 靖徳
お茶大
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Li J.
UMIST
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櫻井 利夫
東北大学金属材料研究所
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青木 秀夫
東京大学大学院理学系研究科
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宮副 裕之
東京大学大学院新領域創成科学研究科
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寺嶋 和夫
東京大学大学院新領域創成科学研究科
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青木 秀夫
東大理
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森本 幸生
京都大学原子炉実験所
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谷垣 勝己
東北大院理
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毛利 信男
東大物性研
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黒木 和彦
電通大量子・物質工
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高橋 博樹
日大文理
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熊代 良太郎
東北大院理
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佐藤 卓
東大物性研
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森吉 千佳子
広大院理
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鈴木 維允
東大理
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島田 敏宏
東大理
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長谷川 哲也
東大理
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国井 暁
東北大理
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鈴木 維允
東京大学大学院理学系研究科化学専攻
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泉 富士夫
無機材研
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山田 安定
早大理工総研
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澤 博
高エ研
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柴田 薫
J-PARCセンター
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福永 俊晴
京大原子炉
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佐藤 節夫
高エ研
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高橋 博樹
日本大学文理学部 物理学科
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安達 正利
富山県立大学工学部電子情報工学科
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野田 幸男
東北大科研
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山室 修
東大物性研
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加美山 隆
北大院工
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外舘 良衛
お茶の水大理
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諏訪 雄二
日立基礎研
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松本 武彦
物・材機構
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三成 剛生
物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点
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西原 寛
東京大学大学院理学系研究科
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西山 樟生
高エ研
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橋本 拓也
日本大学文理学部物理学科
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古坂 道弘
高エ研
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張 帆
沈化工学院
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唐木 智明
富山県立大工
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野田 幸男
千葉大理
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澤 博
千葉大学大学院自然科学研究所
-
長谷川 哲也
神奈川科学技術アカデミー
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松本 武彦
金材研
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河野 俊介
東大・理
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森井 幸生
日本原子力研究所東海研究所
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小島 誠治
Graduate School Of Pure And Applied Sciences University Of Tsukuba
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泉 富士夫
無機材質研究所
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岩佐 和晃
都立大院理
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柴田 薫
原子力機構
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柴田 薫
東北大金研
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柴田 薫
原研量子ビーム
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佐藤 節夫
Kek
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山室 修
東京大学物性研究所
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加美山 隆
北大工
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石川 義和
東北大 理
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清水 荘雄
東京工業大学応用セラミックス研究所
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有馬 孝尚
筑波大物質工
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泉 富士夫
Nims
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池田 宏信
高エ研
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青木 秀夫
東大理:jst-trip
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青柳 克信
立命館大学coe推進機構
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青柳 克信
東工大総合理工学:crest(jst)
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青柳 克信
理化学研究所
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新村 信雄
東北大核理研
-
山田 安定
早大理工
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有田 亮太郎
理研
-
新村 信雄
東北大・核理研
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新井 正敏
東北大理
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新井 正敏
Kek
-
新井 正敏
日本原子力研究開発機構
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古坂 道弘
KEK
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宮寺 哲彦
東大理
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森 一広
高エネ研
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及川 健一
原研先端研
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伊藤 晋一
KEK-KENS
-
伊藤 晋一
高工研
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岩佐 和晃
都立大理
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筑紫 格
千葉工大自然
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鬼柳 亮嗣
高エ研
-
石垣 徹
原研
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田中 秀明
筑波大物質工
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西山 樟生
高工研
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泉 富士夫
東北大金研
-
浅野 肇
無機材研
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後藤 進
筑波大物質工
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東根 誠興
筑波大物質工
-
池田 進
高工大
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石川 義和
東北大.理
-
池田 倫子
北大低温研:北大工
-
小村 健
広大院・理
-
伊東 一幸
広大院・理
-
深澤 裕
KEL
-
深澤 裕
高エ研
-
Li J.C.
UMIST
-
鈴木 芳治
無機材研
-
松尾 隆祐
阪大理 化学
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古坂 道弘
東北大・理
著作論文
- 有機半導体分子のグラフォエピタキシー
- 23aHT-2 特徴的構造観測を目指した中性子回折装置の設計(23aHT X線・粒子線(中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22pGS-15 電極エッジに起因する有機半導体薄膜の面内配向成長とFETへの応用(22pGS 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pTE-12 (Pb,Sr)TiO_3ナノパウダーの構造解析(誘電体(酸化物系),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 27pRF-9 プロトン伝導体K_3H(SeO_4)_2のSeO_4四面体の動的振る舞いIII(27pRF 誘電体(水素結合系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 25aYA-2 中性子回折装置Siriusを用いた10GPa高圧実験
- 30aYA-5 K_3H(SeO_4)_2の中性子準弾性散乱(30aYA 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 30aYA-4 K_3H(SeO_4)_2の中性子粉末構造解析(30aYA 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21aYN-4 K_3H(SeO_4)_2の高温相における中性子粉末構造解析(誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 24pZF-7 BaFeO_の構造解析
- 26pPSA-57 Sr_3Fe_2O_の磁性
- 24pPSA-31 Sr_3Fe_2O_の磁気構造
- 26pYA-1 超高分解能・高強度中性子回折装置Siriusを用いた構造解析の可能性
- 27aYR-10 Cu(COO)_2・4H_2Oの中性子非干渉性散乱
- 22pYP-1 中性子散乱法を用いた氷の分散関係の研究
- 24aYA-5 氷におけるプロトンのダイナミクス
- 25pYK-5 中性子散乱法による氷の分子振動の研究
- 25pYK-4 アモルファス氷の低エネルギー励起の研究
- 26a-A-11 南極氷床氷における二次相転移
- 5a-F-7 南極氷床氷のプロトン秩序
- 21aRB-8 ヘキサベンゾコロネン誘導体薄膜の形態と電界効果トランジスタ特性(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 26aYF-9 ヘキサベンゾコロネン誘導体電界効果トランジスタ特性の温度依存性(26aYF 分子素子,有機FET 1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26aYC-5 金属表面上に成長したヘキサフルオロヘキサベンゾコロネン薄膜の構造および電子状態(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26a-A-9 短い水素結合を持つ物質KH(CF_3COO)_2結晶中の水素原子の運動II
- 5a-F-4 短い水素結合を持つ物質・KH(CF_3COO)_2結晶中の水素原子の運動
- 18pRG-12 カーボンナノウォールの作製と電子状態(グラファイト,領域7,分子性固体・有機導体)
- 24aYE-1 プロトン伝導体K_3H(SeO_4)_2のSeO_4四面体の動的振る舞いII(誘電体(水素結合),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 21pXA-3 プロトン伝導体K_3H(SeO_4)_2のSeO_4四面体の動的振る舞いI(誘電体(水素結合系),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 21aRB-1 ペンタセンFETにおける気体分子吸着効果(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 7p-X-12 超高分解能中性子回折装置Siriusの建設
- 25aYC-11 有機グラフォエピタキシーの基板依存性から見たその成長機構(25aYC ナノチューブ・ナノワイヤ・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pXJ-9 人工周期構造を持つ熱酸化シリコン基板上におけるsexithiopheneの面内選択配向成長(28pXJ 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 2p-S-5 KENS-小角散乱装置(SAN)
- 30p-P-13 液体金属(Sn)の過冷却-凝固過程での中性子回折 (II)
- 2p GK-13 融解-凝固過程の中性子回折による研究
- 液体金属(Sn)の過冷却-凝固過程での構造変化の中性子回折による研究-2-
- 交流法比熱測定の改良
- 3a-AH-2 高純度Gdの作製とその磁性
- 3a-LC-9 高純度Gd単結晶の作製とその磁性
- 12a-B-4 ランダム系の臨界現象
- 24a-R-2 Crの反強磁性配列と電気抵抗
- 5a-Q-5 γ-Fe _Mn_における臨界現象
- 26pTG-6 電子線照射によるC_FETの特性変化(有機FET・フラーレン,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21aRJ-10 ペンタセン薄膜トランジスタの過渡応答の起源とバイアスストレス(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 中性子科学への招待 : 中性子入門
- 23pRL-14 有機半導体単結晶の光励起誘導放出作用に及ぼす基板表面修飾の影響(23pRL 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pVE-2 (K_Rb_x)_3H(SeO_4)_2の中性子粉末構造解析(21pVE 誘電体(水素結合系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 20pXC-11 Cu(HCOO)_2・4H_2O の中性子非干渉性散乱 II
- 24pZD-2 濃厚電解質水溶液ガラスの低エネルギー励起
- 有機半導体のグラフォエピタキシー(応用を視野においた有機半導体の結晶成長)
- アモルファス基板上における有機薄膜の面内配向制御 : 電界効果トランジスタへの応用に向けて
- 21aRB-7 グラフォエピタキシーによって面内配向制御した有機FETの特性評価(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21aRJ-12 グラフォエピタキシーによる有機半導体薄膜の配向制御とFETへの応用(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 23pPSB-17 RB_2C_2系の結晶場における高次項の役割
- 25pPSA-63 正方晶RB_2C_2(R=Pr, Tb)の結晶場
- 28a-PS-17 正方晶RB_2C_2の結晶場
- 22aTB-9 ボトムコンタクトFETにおける電極 : ペンタセン界面の接合形態と輸送特性(22aTB 有機FET1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aRB-2 周波数応答測定を用いたペンタセンFETの半導体・電極間の接触抵抗の評価(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 24aXK-1 CVD法により成長したカーボンナノウォールの電子分光(ナノチューブ・ナノワイヤ,表面ナノ構造量子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aRJ-7 真性有機半導体の電荷極性について(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21aRJ-11 ペンタセンFETの検索インピーダンス解析II(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21pRJ-1 ペンタセン薄膜における表面形態とFET特性の相関(有機FET2,領域7,分子性固体・有機導体)
- 26aYC-4 ペンタセン薄膜における自発的凝集過程の解析(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aYC-6 ペンタセン超薄膜のモルフォロジー変化のLEEMによるin-situ観測(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pRC-6 有機薄膜のin-situ AFM・FET測定 : 大気暴露による影響の評価(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28pXJ-11 偏光配向したAlq3薄膜の結晶構造解析(28pXJ 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 18aRG-3 ジメチルアミノピロールオリゴマー薄膜の構造および電子状態(分子磁性・高圧物性,領域7,分子性固体・有機導体)
- 26aYF-10 ペンタセンFETの複素インピーダンス解析(26aYF 分子素子,有機FET 1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28pRC-3 C_FETの揮発性有機分子吸着効果(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26p-A-6 中性子散乱によるElectric Dipole Waveの観測
- 24aYF-9 C_薄膜電気伝導度の膜厚依存性に観察されるピークについて(24aYF フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25pP-15 包接水和物のゲスト・ホスト相互作用におけるゲスト分子の運動の効果
- 21aTG-10 Pt(111)上に作製したナノグラフェンのSTM観察(ナノチューブ・ナノワイヤー,表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27pRC-4 C_薄膜の気体分子吸着における電子状態の変化(27pRC フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aYE-9 絡み合った状態にある水素からの中性子散乱関数 : KHCO_3の場合(格子欠陥・ナノ構造(水素・金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 27pXK-6 KHCO_3における中性子非弾性散乱の量子干渉効果(誘電体)(領域10)
- 20aPS-42 UV/オゾン処理およびアニーリングによるSiO_2表面状態の変化(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pYQ-11 二次元イジング型希釈反強磁性体Rb_2Co_xMg_F_4の臨界現象
- 25a-PS-39 核物性から見た希土類化合物の四重極転移
- 25a-PS-36 正方晶PrB_2C_2の非弾性中性子散乱
- 25a-PS-34 正方晶TbB_2C_2の結晶場と磁気相図
- 27aYJ-6 KDPにおけるUbbelohde効果 II
- 30p-M-6 KDPにおけるUbbelohde効果
- 5p-F-14 水素結合とFermi共鳴