諏訪 雄二 | 日立基礎研
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概要
関連著者
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諏訪 雄二
日立基礎研
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橋詰 富博
日立基礎研
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平家 誠嗣
日立基礎研
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橋詰 富博
東北大WPI-AIMR
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平家 誠嗣
株式会社日立製作所基礎研究所
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平家 誠嗣
日立中研
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黒木 和彦
電通大量子・物質工
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小野木 敏之
日立基礎研
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藤森 正成
日立中研
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藤森 正成
日立基礎研
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松浦 志のぶ
東大工
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一杉 太郎
東大工
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青木 秀夫
東京大学大学院理学系研究科
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一杉 太郎
東北大WPI-AIMR
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渡邊 聡
東大工
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青木 秀夫
東大理
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橋詰 富博
(株)日立製作所基礎研究所
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渡邉 聡
東大工
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有田 亮太郎
東大理
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斎藤 慎一
日立中研
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新井 唯
日立中研
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寺田 康彦
日立基礎研
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浜田 剛志
東大理
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青木 秀夫
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
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池田 進
東北大 理GCOE
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斉木 幸一朗
東大 新領域
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伊藤 耕三
東京大学大学院新領域創成科学研究科物質系専攻
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伊藤 耕三
東大 大学院新領域創成科学研究科
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森下 英郎
日立中研
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伊藤 耕三
東大新領域
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西原 寛
東京大学大学院理学系研究科
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石橋 雅義
日立製作所 基礎研究所
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石橋 雅義
(株)日立製作所 基礎研究所
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諏訪 雄二
(株)日立製作所基礎研究所
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有田 亮太郎
理化学研究所
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青木 秀夫
東大理:jst-trip
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長谷川 雄大
東大院理化学
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有田 亮太郎
理研
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圓谷 志郎
東大新領域
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池田 進
東大新領域
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園谷 志郎
東大新領域
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斉木 幸一朗
東大新領域
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宇田 毅
日立基礎研
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梶山 博司
日立
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梶山 博司
日立基礎研
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伊藤 耕三
東京大学大学院新領域創成科学研究科
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森下 英郎
日立中研:東大新領域
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池田 進
高エネルギー研
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圓谷 志郎
物質・材料研究機構
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伊藤 耕三
東京大学
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宇田 毅
アドバンスソフト
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大島 紀一
東大理
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山野井 康徳
東大理
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西原 寛
東大理
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浜田 剛志
東大院理化学
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大嶋 紀一
東大院理化学
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倉科 昌
東大院理化学
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山野井 慶徳
東大院理化学
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西原 寛
東大院理化学
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青木 秀夫
東大院理物理
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諏訪 雄二
東理大・理・応物
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伊藤 耕三
東大院・新領域・物質系
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黒木 和彦
電通大 量子・物質工
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橋詰 富博
(株)日立製作所中央研究所
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黒木 和彦
電通大
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宇田 毅
(株)ASMS
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育木 秀夫
東大理
著作論文
- 22aTB-8 第一原理計算による絶縁膜・有機半導体界面の単分子膜の研究(22aTB 有機FET1,領域7(分子性固体・有機導体))
- APS会議報告
- 21aRB-12 第一原理計算による金属・有機半導体界面の機能性単分子膜の研究(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21pRJ-3 第一原理計算による金属・有機半導体界面の自己組織化単分子膜の研究(有機FET2,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21pYE-13 水素終端Si表面上の導電性高分子の電子状態(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pWP-4 第一原理計算による水素終端Si(100)面のダイハイドライド鎖の研究(表面界面構造(半導体))(領域9)
- 31aWD-5 水素終端 Si 表面におけるドーバントペア構造の量子効果
- 23pWA-13 第一原理電荷解析によるシリコン表面異常拡散現象の研究
- 30p-S-5 水素終端シリコン表面上のガリウム原子拡散
- 25a-YM-3 水素終端シリコン表面上のガリウム原子拡散の理論的研究
- 28pRC-12 金属・有機半導体界面の自己組織化単分子膜の電子状態(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26aXD-7 歪みによるシリコン薄膜発光の効率化の理論(量子井戸・超格子・光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 27pVE-1 第一原理計算によるシリコン超薄膜の電界発光の研究(27pVE 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 18aRG-3 ジメチルアミノピロールオリゴマー薄膜の構造および電子状態(分子磁性・高圧物性,領域7,分子性固体・有機導体)
- 平坦バンド強磁性体として分子設計されたオリゴ[1-(ジメチルアミノ)ピロール]の電気化学及び磁気特性
- 有機強磁性高分子の物質設計
- 31aZA-13 5 員環高分子の結晶における平坦バンド強磁性の可能性
- 7p-F-2 第一原理計算による水素結合の同位体効果の研究
- 27aZC-4 5員環高分子FETにおける平坦バンド強磁性の可能性(27aZC 導電性高分子,領域7(分子性固体・有機導体分野))
- 25pWD-7 水素終端Si(100)表面のドーパントダイマー構造の第一原理計算(25pWD 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))