平家 誠嗣 | 日立基礎研
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概要
関連著者
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平家 誠嗣
日立基礎研
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橋詰 富博
日立基礎研
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平家 誠嗣
株式会社日立製作所基礎研究所
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橋詰 富博
東北大WPI-AIMR
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平家 誠嗣
日立中研
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諏訪 雄二
日立基礎研
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藤森 正成
日立中研
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藤森 正成
日立基礎研
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渡邊 聡
東大工
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小野木 敏之
日立基礎研
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松浦 志のぶ
東大工
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一杉 太郎
東大工
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一杉 太郎
東北大WPI-AIMR
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小池 和幸
産業技術総合研究所つくば中央第4事業所アトムテクノロジー研究体:産業技術総合研究所強相関電子技術研究センター:日立製作所中央研究所
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渡邉 聡
東大工
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小池 和幸
日立 基礎研
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梶山 博司
日立
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和田 恭雄
日立 基礎研
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和田 恭雄
(株)日立製作所基礎研究所
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和田 恭雄
日立基礎研 Crest
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新井 唯
日立中研
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寺田 康彦
日立基礎研
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平家 誠嗣
日立・基礎研
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北上 修
東北大学多元物質科学研究所
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大野 英男
東北大通研
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川添 良幸
東北大金研
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伊藤 耕三
東京大学大学院新領域創成科学研究科物質系専攻
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伊藤 耕三
東大 大学院新領域創成科学研究科
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森下 英郎
日立中研
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伊藤 耕三
東大新領域
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石橋 雅義
日立製作所基礎研究所
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北沢 宏一
東大工
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長谷川 哲也
神奈川科学技術アカデミー
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石橋 雅義
日立製作所 基礎研究所
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島田 寛
東北大学大学院工学研究科
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市村 雅彦
日立基礎研
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小池 和幸
北大理
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小池 和幸
日立基礎研
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高橋 宏昌
(株)日立製作所ストレージテクノロジー研究センタ
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長谷川 哲也
東工大応セラ研
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中村 公夫
日立製作所中央研究所
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大野 かおる
東北大金研
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栗田 昌幸
(株)日立製作所中央研究所
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三宅 晃司
(株)日立グローバルストレージテクノロジーズ
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三宅 晃司
日立グローバルストレージテクノロジーズ
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SUK Mike
日立グローバルストレージテクノロジーズ
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早川 純
(株)日立製作所基礎研究所
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池田 正二
東北大学電気通信研究所
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大野 英男
東北大学電気通信研究所
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加藤 篤
日立グローバルストレージテクノロジーズ
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宇田 毅
日立基礎研
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梶山 博司
日立 基礎研
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梶山 博司
日立基礎研
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宮岡 秀治
日立材料研
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梶山 博司
(株)日立製作所基礎研究所
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平家 誠嗣
(株)日立製作所基礎研究所
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来田 歩
名大
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松井 正顯
名大
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栗田 昌幸
日立グローバルストレージテクノロジーズ
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白松 利也
日立グローバルストレージテクノロジーズ
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栗田 昌幸
日立製作所 中央研究所
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スク マイク
日立グローバルストレージテクノロジーズ
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伊藤 耕三
東京大学大学院新領域創成科学研究科
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白松 利也
(株)日立グローバルストレージテクノロジーズ
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長谷川 哲也
東工大, 科技団
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大野 かおる
横国大(工)
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平山 義幸
日立製作所 中央研究所
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松井 正顯
名大工
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早川 純
(株)日立製作所基礎研究所:東北大学電気通信研究所
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梶山 博司
日立日立研
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島田 寛
東北大
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石橋 雅義
日立 基礎研
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萩野谷 千積
日立
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吉村 俊之
日立
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山本 治朗
日立
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平山 義幸
日立製作所中央研究所
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萩野谷 千積
日立中研
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中村 公夫
日立 中研
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中村 公夫
日立
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森下 英郎
日立中研:東大新領域
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高橋 宏昌
(株)日立製作所基礎研究所
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平山 義幸
日立 中研
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来田 歩
名古屋大学大学院工学研究科
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早川 純
日立基礎研
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高橋 宏昌
日立基礎研
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伊藤 顕知
日立ケンブリッジ研究所
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池田 正二
東北大通研
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伊藤 耕三
東京大学
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伊藤 顕知
(株)日立製作所基礎研究所
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池田 正二
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
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宇田 毅
アドバンスソフト
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高橋 宏昌
(株)日立製作所研究開発本部
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市村 雅彦
東北大金研:日立基礎研
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LI Z.-Q
東北大金研
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橋詰 富博
日立・基礎研
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Matsui M
Department Of Materials Science And Engineering Nagoya University
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来田 歩
日立基礎研究所
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来田 歩
(株)日立基礎研
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渡邉 聡
東大院工学系
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栗田 昌幸
(株)日立グローバルストレージテクノロジーズ
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来田 歩
Crest-jst
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北上 修
東北大 多元研
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伊藤 耕三
東大院・新領域・物質系
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早川 純
日立 中研
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早川 純
日立 基礎研
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北沢 宏一
東大院工:東大院新領域:科技団
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大野 英男
東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設
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伊藤 顕知
(株)日立製作所 基礎研究所
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池田 正二
東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設
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大野 英男
東北大学電気通信研究所東北大省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
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高橋 宏昌
日立製作所ST研究センター
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宇田 毅
(株)ASMS
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平山 義幸
日立
著作論文
- 22aTB-8 第一原理計算による絶縁膜・有機半導体界面の単分子膜の研究(22aTB 有機FET1,領域7(分子性固体・有機導体))
- Feナノワイヤーアレイの作製と磁気抵抗効果
- 3403 熱式浮上量調整スライダの浮上面電位測定(S70-1 情報機器コンピュータメカニクス(1),S70 情報機器コンピュータメカニクス)
- パターンドメディアの作製および磁気特性の評価
- 21aRB-12 第一原理計算による金属・有機半導体界面の機能性単分子膜の研究(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21pRJ-3 第一原理計算による金属・有機半導体界面の自己組織化単分子膜の研究(有機FET2,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21pYE-13 水素終端Si表面上の導電性高分子の電子状態(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 交換バイアス型スピンバルブ素子のスピントルク磁化反転
- 28pWP-4 第一原理計算による水素終端Si(100)面のダイハイドライド鎖の研究(表面界面構造(半導体))(領域9)
- 31aWD-5 水素終端 Si 表面におけるドーバントペア構造の量子効果
- 23pWA-13 第一原理電荷解析によるシリコン表面異常拡散現象の研究
- 30p-S-5 水素終端シリコン表面上のガリウム原子拡散
- 25a-YM-4 Si(100)2×1-H上に作製したダングリングボンド構造のパイエルス変形
- 25a-YM-2 Si(100)2×n表面上のFeクラスター列の作製
- 26pPSB-47 横振動摩擦力顕微鏡を用いた有機薄膜の粘弾性評価(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 29p-R-8 ナノ構造を用いた表面準位電気伝導度の直接測定
- 1p-YA-4 原子プロキシミティー場の実現に向けて
- 有機薄膜界面での電圧プロファイルの可視化 (走査プローブ顕微鏡で見る固体物理 特集号) -- (輸送現象)
- 23pYJ-4 ケルビンプローブによる表面界面ポテンシャルマッピング(領域9シンポジウム主題:探針型プローブ-表面間相互作用の新展開,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pWD-7 水素終端Si(100)表面のドーパントダイマー構造の第一原理計算(25pWD 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))