25a-YM-2 Si(100)2×n表面上のFeクラスター列の作製
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1998-09-05
著者
-
平家 誠嗣
日立基礎研
-
平家 誠嗣
株式会社日立製作所基礎研究所
-
小池 和幸
日立基礎研
-
小池 和幸
産業技術総合研究所つくば中央第4事業所アトムテクノロジー研究体:産業技術総合研究所強相関電子技術研究センター:日立製作所中央研究所
-
来田 歩
日立基礎研究所
-
来田 歩
Crest-jst
関連論文
- 22aTB-8 第一原理計算による絶縁膜・有機半導体界面の単分子膜の研究(22aTB 有機FET1,領域7(分子性固体・有機導体))
- SPMを用いた卓上微細加工装置とその応用(SPMを用いた微細加工)
- 分子ナノチューブを用いた分子被覆導線
- STMナノファブリケーションを用いたSi(111)表面電気伝導度の測定
- シリコン表面におけるGa細線の形成とその特性
- 30p-T-5 FeO(111)表面における強磁性の発現
- Au/Fe(110)からの2次電子強度の原子層周期振動の観察
- FeO(lll)表面の強磁性
- 28a-PS-49 偏極2次電子を利用したAu/Fe(110)量子井戸内電子の偏極度振動の直接検出
- 27a-ZB-12 スピン偏極電子源の開発 II
- 磁性/非磁性金属bilayerの電子状態 II
- 29a-PS-45 磁性/非磁性金属bilayerの電子状態
- 28a-YQ-10 Au/Fe(110)系にみられる電子分極
- シリコン表面の未結合ボンドでの初期酸化反応
- Feナノワイヤーアレイの作製と磁気抵抗効果
- 走査プローブ顕微鏡を用いた10ナノメータレベルリソグラフィー
- 3403 熱式浮上量調整スライダの浮上面電位測定(S70-1 情報機器コンピュータメカニクス(1),S70 情報機器コンピュータメカニクス)
- 原子間力顕微鏡のカンチレバーを用いた摩耗試験(S51-4 トライボロジーの基礎と応用(IV),S51 トライボロジーの基礎と応用)
- パターンドメディアの作製および磁気特性の評価
- Fe/NiO(001)界面での交換結合の直接観察
- 光磁気記録媒体TbFeCoのスピンSEMによる高分解能磁区観察
- 21aRB-12 第一原理計算による金属・有機半導体界面の機能性単分子膜の研究(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21pRJ-3 第一原理計算による金属・有機半導体界面の自己組織化単分子膜の研究(有機FET2,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21pYE-13 水素終端Si表面上の導電性高分子の電子状態(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 走査型トンネル顕微鏡が捉えるナノメータスケール構造の時間変化
- 交換バイアス型スピンバルブ素子のスピントルク磁化反転
- 28pWP-4 第一原理計算による水素終端Si(100)面のダイハイドライド鎖の研究(表面界面構造(半導体))(領域9)
- 走査プローブ微細加工法による極微細電極の調整と高分子ナノワイヤの電気伝導度測定
- 31aWD-5 水素終端 Si 表面におけるドーバントペア構造の量子効果
- 23pWA-13 第一原理電荷解析によるシリコン表面異常拡散現象の研究
- 30p-S-5 水素終端シリコン表面上のガリウム原子拡散
- 25a-YM-4 Si(100)2×1-H上に作製したダングリングボンド構造のパイエルス変形
- 30a-YF-12 Si(100)-2X1-H上に作製したダングリングボンド構造のSTM/STS測定
- 微小磁区形成と評価方法
- 高密度パターンドメディア用磁性微粒子アレイの作製 : 垂直磁気記録媒体
- 29p-ZG-7 2次電子スピン偏極度の1次電子エネルギー依存性
- 3p-B4-8 Fe(110)および吸着相/Fe(110)からの2次電子スピン偏極度
- 高密度パターンドメディア用磁性微粒子アレイの作製
- 25a-YM-2 Si(100)2×n表面上のFeクラスター列の作製
- 26pPSB-47 横振動摩擦力顕微鏡を用いた有機薄膜の粘弾性評価(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 18aPS-19 La_Sr_Mn_2O_7極低温劈開面のSTM/STS観察(18aPS 領域3ポスターセッション(磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 18aPS-20 La_Sr_Mn_2O_7極低温劈開面上の周期構造のSTM観察(18aPS 領域3ポスターセッション(磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 22aXF-12 La_Sr_Mn_2O_7のSTM/STS観察(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 水素終端シリコン表面における初期酸素吸着の原子レベル観察
- 水素終端シリコン表面における初期酸素吸着の原子レベル観察
- 20aYB-3 走査型トンネル電子分光によるCu(001)上のCoクラスターの表面準位(領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aYB-3 走査型トンネル電子分光によるCu(001)上のCoクラスターの表面準位(領域3,領域9合同,表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- スピン偏極走査電子顕微鏡
- 6p-B5-1 低速電子線のスピン検出器とこれを利用した磁区観察用SEM
- 3052 原子間力顕微鏡のプローブを用いた通電試験(S81-3 トライボロジーの基礎と応用(3),S81 トライボロジーの基礎と応用)
- 5205 原子間力顕微鏡のカンチレバーを用いた摩耗試験(第3報)(S65-2 摩耗,S65 トライボロジーの基礎と応用)
- 2921 原子間力顕微鏡のカンチレバーを用いた摩耗試験(第2報)(S64-2 トライボロジーの基礎と応用(2),S64 トライボロジーの基礎と応用)
- 29p-R-8 ナノ構造を用いた表面準位電気伝導度の直接測定
- 1p-YA-4 原子プロキシミティー場の実現に向けて
- 有機薄膜界面での電圧プロファイルの可視化 (走査プローブ顕微鏡で見る固体物理 特集号) -- (輸送現象)
- 23pYJ-4 ケルビンプローブによる表面界面ポテンシャルマッピング(領域9シンポジウム主題:探針型プローブ-表面間相互作用の新展開,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 23pGE-6 半導体、金属、誘電体界面の顕微評価の重要性(23pGE 領域10,領域8合同シンポジウム:超低速ミュオン顕微鏡:その限りない可能性を探る,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 23pGE-6 半導体、金属、誘電体界面の顕微評価の重要性(23pGE 領域10,領域8合同シンポジウム:超低速ミュオン顕微鏡:その限りない可能性を探る,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25pWD-7 水素終端Si(100)表面のドーパントダイマー構造の第一原理計算(25pWD 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))