水素終端シリコン表面における初期酸素吸着の原子レベル観察
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概要
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本研究は原子レベルで平坦で、不純物汚染の心配がない水素終端されたシリコン表面の酸化メカニズムの解明を目的にした。その第一段階として、超高真空走査型トンネル顕微鏡を用い、酸素照射によるSi(100)-2x1水素終端表面の酸素吸着過程を調べた。その結果、照射の最も初期においては欠陥として残っていたダングリングボンドに酸素が優先的に吸着することを見出した。この結果は、超大規模集積回路(ULSI)に用いる数ナノメータの厚さの高品質なシリコン酸化膜の実現、あるいは現在のシリコン半導体の限界を超えると期待される原子エレクトロニクスにおける、原子レベルで構造が制御された絶縁層への展開が期待される。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-04-24
著者
-
平家 誠嗣
日立製作所基礎研究所
-
橋詰 富博
日立製作所基礎研究所
-
平家 誠嗣
株式会社日立製作所基礎研究所
-
橋詰 富博
東北大WPI-AIMR
-
梶山 博司
日立 基礎研
-
梶山 博司
日立
-
梶山 博司
(株)日立製作所基礎研究所
-
和田 恭雄
日立 基礎研
-
和田 恭雄
(株)日立製作所基礎研究所
-
和田 恭雄
日立製作所基礎研究所
-
梶山 博司
日立製作所基礎研究所
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