有機半導体の界面に期待するもの

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2006-12-10

著者

• 橋詰 富博

  日立基礎研

• 橋詰 富博

  日立製作所基礎研究所

• 橋詰 富博

  東北大WPI-AIMR

• 橋詰 富博

  (株)日立製作所基礎研究所

関連論文

• 22aTB-8 第一原理計算による絶縁膜・有機半導体界面の単分子膜の研究(22aTB 有機FET1,領域7(分子性固体・有機導体))
• SPMを用いた卓上微細加工装置とその応用(SPMを用いた微細加工)
• APS会議報告
• Feナノワイヤーアレイの作製と磁気抵抗効果
• 30p-S-4 水素終端Si(100)表面上でのSi island形成に関する理論的研究
• 30p-S-3 水素終端Si(100)2x1表面でのSiの吸着拡散過程
• 3403 熱式浮上量調整スライダの浮上面電位測定(S70-1 情報機器コンピュータメカニクス(1),S70 情報機器コンピュータメカニクス)
• 30p-S-2 水素終端Si(100)2x1表面のダングリングボンドでの酸化構造(実験)
• 14p-DH-8 STM study of the Pb/Ge(001)system
• 14p-DH-7 A common complex defect on the Ge(001)2x1 surface
• 24p-R-3 Si(111)7x7表面におけるSiの成長過程
• 走査トンネル顕微鏡(STM)によるGaAs(001)表面の研究 [II]
• 走査トンネル顕微鏡(STM)によるGaAs(001)表面の研究[I]
• 1a-J-12 STMによる表面ステップ上でのフラーレン分子のクラスター形成過程の研究
• 29p-S-11 GaAs(001)-4x2-Ga表面原子構造のSTMによる研究
• 29p-J-10 銅表面へのBTAの吸着構造
• 28a-J-8 STMによる銅表面上でのフラーレン分子間の相互作用に関する研究
• 半導体表面のアトムプロセス (表面のアトムプロセス)
• 5a-Q-12 Surface flatness and reconstructions of the InAs/GaAs and GaAs/InAs interfaces characterized by STM
• 4a-Q-1 STM及びUPSによるCu(110)表面におけるBTAの吸着反応
• 3a-Q-4 FI-STMによるGaAs(001)-(2x4)-y表面構造
• 2a-R-3 金属表面における金属内包フラーレン相互作用
• 31p-WB-6 Cu(110)表面におけるBTA及びTTA吸着構造
• 31p-WB-5 Atomically resolved adsorption structure of Mn on Cu(001) surface
• 31p-WB-4 FI-STMと動力学RHEED解析によるGaAs(001)-(2x4)/c(4x4)表面構造
• 31p-WB-3 Structure and phase transformation of the Ga-stabilized GaAs(001) surface
• 31p-WB-2 Orientational Geometry and Intramolecular Structure of C_C_ Monolayer on Cu(111) Surface
• 31p-WB-1 Ag(111)表面に於けるフラーレン吸着構造
• 15p-DH-2 Adsorption geometry and intramolecular structures of C_ and C_on the Cu(111)1×1 surface
• 15p-DH-1 Domain Boundary Segregation of the Monomolecular C_-C_ Layer Adsorbed on the Cu(111)1×1 Surface
• 14p-DH-9 FI-STM of the GaAs(001)-2x4-As Structure with different Surface Stoichiometry
• 21aRB-12 第一原理計算による金属・有機半導体界面の機能性単分子膜の研究(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
• 21pRJ-3 第一原理計算による金属・有機半導体界面の自己組織化単分子膜の研究(有機FET2,領域7,分子性固体・有機導体)
• 有機半導体の界面に期待するもの
• 21pYE-13 水素終端Si表面上の導電性高分子の電子状態(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 交換バイアス型スピンバルブ素子のスピントルク磁化反転
• 28pWP-4 第一原理計算による水素終端Si(100)面のダイハイドライド鎖の研究(表面界面構造(半導体))(領域9)
• 21pRA-7 単分子の電気伝導 : 期待と現状
• 31aWD-5 水素終端 Si 表面におけるドーバントペア構造の量子効果
• 12p-DJ-11 CAICISS・FI-STMによるSi(111)-3x1K表面構造
• 13a-PS-19 Adsorption Geometry and Thin Film Growth of Metallofullerenes on the Si(100)2x1 Surface
• 23pWA-13 第一原理電荷解析によるシリコン表面異常拡散現象の研究
• 30p-S-5 水素終端シリコン表面上のガリウム原子拡散
• 25a-YM-4 Si(100)2×1-H上に作製したダングリングボンド構造のパイエルス変形
• 25a-YM-3 水素終端シリコン表面上のガリウム原子拡散の理論的研究
• 28pRC-12 金属・有機半導体界面の自己組織化単分子膜の電子状態(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
• 14a-DH-6 FI-STM Study of Initial Growth Stage of GaAs on Si Epitaxy with Ga Prelayer
• Si表面におけるフラーレン吸着
• 30p-H-12 Si表面に吸着したフラーレンのFI-STM像における内部構造
• 30p-H-11 FI-STMによる金属表面に於るフラーレンの吸着
• 30p-H-10 FI-STMによる金属表面に於る酸素吸着
• 29p-J-6 FI-STMによる半導体表面
• 走査トンネル顕微鏡/分光法によるC60の表面吸着
• Cu(111)面上の硫黄/塩素吸着
• 28p-Y-7 Si(111)および(100)表面に吸着した銅フタロシアニンのSTM観察
• 28p-Y-5 C_ Adsorption on the Si(111)7x7 Surface
• 28p-Y-4 FI-STMによるSi(100)2x1表面におけるC_吸着
• 28p-Y-3 Structural and Electronic Properties of Alkali Metal Overlayers on the Si(111) Surface
• 28p-Y-2 GaAs(100) surface studied by MBE and FI-STM
• 28p-Y-1 Ag(110)表面における酸素吸着
• 27p-PSA-27 FI-STMによるSi表面上のC_n(n
• FI-STMによるepitaxyの研究 : 招待講演I
• 30p-ZF-2 Cu(111)面におけるイオウ吸着のFI-STM研究
• 30p-ZF-1 Cu(111)面上の塩素吸着のFI-STM研究
• 30a-ZF-13 Atomic hydrogen adsorption on the Si(100)2x1 surface
• 30a-ZF-12 Si(100)2x1におけるNa吸着のFI-STM研究
• 30a-ZF-8 Cl/Si(111)7x7 の 紫外レーザーエッチング
• 30a-ZF-2 Structural Study of the Conversion of the Si(111)7x7 Surface to the Na-Covered 3x1 Surface.
• 27p-ZC-4 STMの金属表面への応用
• 電界イオン-走査トンネル顕微鏡
• 29p-BPS-37 Si(111)2x1劈開面のFI-STM観察
• 29p-BPS-36 Si(100)におけるアルカリ吸着 : FI-STM/STS
• 27p-E-7 Cl/Si(111)7x7のSTM/STS
• 27p-E-2 FI-STMによるAg(110)における酸素吸着
• 28p-K-1 FI-STMによるSi中の転位の原子像観察
• 表面を探る : 2. 表面顕微鏡: 吸着表面原子のSTM: Si表面のアルカリ金属 ( 表面)
• 26a-ZE-1 STM探針の先端原子配列とSTM像の相関
• 24p-R-11 Cl/Si(111)7x7のSTM/STS
• 3p-E-6 FI-STMとその表面科学における応用
• 5a-PS-19 FI-STMによるSi(111)のハロゲン吸着
• 5a-PS-15 FI-STMによる半導体表面上のアルカリ吸着
• さらなる発展を期して
• 30p-YF-11 拡張Δ鎖上のHubbardモデルの強磁性
• 23pTA-5 水素終端シリコン表面における原子構造と特性
• 水素終端シリコン表面における初期酸素吸着の原子レベル観察
• 29p-R-8 ナノ構造を用いた表面準位電気伝導度の直接測定
• 1p-YA-4 原子プロキシミティー場の実現に向けて
• 25p-B-9 偶数員環鎖上の平坦バンド強磁性
• 30p-N-7 原子細線におけるフラットバンド磁性の可能性
• Si 表面上の Ga 原子細線における強磁性の可能性
• 5a-B-6 水素終端シリコン表面上のガリウム原子細線の理論計算 : 強磁性発現の可能性
• 5a-B-2 水素終端シリコン(100)表面上の原子細線の電子状態
• 水素終端シリコン表面上の未結合ボンド細線におけるガリウム原子吸着の安定構造と電子状態の理論計算
• 31p-PSB-32 水素終端シリコン表面上の原子サイズ細線の電子状態の理論計算II
• 30a-PS-7 水素終端シリコン表面上の原子サイズ細線の電子状態の理論計算
• 30a-YF-13 水素終端シリコン(100)2X1表面上の原子細線の電子状態II
• 水素終端シリコン表面における原子レベル構造
• 究極の微粒子(原子)を並べる(微粒子の化学)
• 25pWD-7 水素終端Si(100)表面のドーパントダイマー構造の第一原理計算(25pWD 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク