24p-R-3 Si(111)7x7表面におけるSiの成長過程
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
22pGQ-11 反射高速陽電子回折によるモット絶縁体表面の原子配置の研究(22pGQ 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
SPMを用いた卓上微細加工装置とその応用(SPMを用いた微細加工)
-
全反射陽電子回折による極表面構造の解析と物性
-
23aYD-12 反射高速陽電子回折 (RHEPD) パターンの強度解析
-
28aTA-11 Si(100)表面上におけるSiの2次元アイランドの崩壊過程
-
シリコン表面に形成されたナノ構造の安定性と崩壊
-
22pTD-4 シリコン表面上のシリコンピラミッドの崩壊過程とステップの挙動
-
Si(111)表面上に孤立したシリコンナノピラミッドの崩壊過程のスケール則 : 成長界面IV
-
Si(111)表面上の孤立したナノ構造の形成と崩壊 : 招待講演
-
25pT-3 Si(111)7×7表面上のSiピラミッドの崩壊過程名
-
Si(111)表面上の孤立したシリコン島状結晶の緩和過程
-
シリコン表面におけるピラミッドの形成と崩壊
-
24pW-10 Si表面上のアイランドの崩壊と2次元ガス状態 III
-
24aY-5 STM/RHEEDによる 6H-SiC(0001)表面の再構成の観察
-
28aRD-2 反射高速陽電子回折を用いたSn/Ge(111)表面の相転移の研究(28aRD 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
23pXB-11 反射高速陽電子回折を用いた半導体表面上のSn原子吸着構造の低温相の研究(23pXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
23pXB-10 反射高速陽電子回折におけるエネルギー損失スペクトルの測定(23pXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
22pPSB-21 反射高速陽電子回折による貴金属吸着誘起Si(111)-√×√超構造の研究(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
23aTH-4 Hume-Rothery電子化合物の合金単原子層(液体・アモルファス・その他,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
-
25pTE-11 反射高速陽電子回折を用いたIn/Si(111)表面における金属-絶縁体転移の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
26aRJ-4 反射高速陽電子回折における非弾性散乱過程の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
22aXJ-2 反射高速陽電子回折におけるエネルギー損失過程の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
21pXJ-3 反射高速陽電子回折を用いたIn/Si(111)表面における(4×1)-(8×'2')相転移の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
21pTG-8 反射高速陽電子回折によるPb/Ge(111)表面の構造と相転移の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
21pTG-9 反射高速陽電子回折によるIn/Si(111)表面構造相転移の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
27pYG-10 反射高速陽電子回折を用いた金属薄膜表面における表面プラズモン励起の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
1p-D-8 半導体成長への応用 : (1)内殻電子励起によるGaAsの構造変化 : (2)X線波動場による薄膜成長制御
-
29p-J-12 Si(001)上のTiの吸着反応 : STMによる活性化エネルギーの決定
-
5p-Q-8 STMによる(001)のTiの吸着構造と反応
-
28p-PSB-20 Si(001)-2x1上のTiの初期成長過程のSTM観察
-
22aXJ-10 酸化によるSiC(0001)-3×3と√×√-R30°表面構造の変化(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
28aRD-1 Si(111)√×√-(Au,Ag)構造の相転移(28aRD 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
20aPS-26 STM による SiC 表面のグラファイト構造の観察
-
25p-Y-2 Si(111)√×√-Ag 表面における√×√(Au, Ag)構造の揺動
-
30a-ZD-2 Si(111)への金属蒸着のRHEED強度II
-
27p-R-7 Si(111)への金属蒸着のRHEED強度
-
27a-PS-61 サーファクタントエピタキシにおける表面拡散過程
-
14p-DH-8 STM study of the Pb/Ge(001)system
-
14p-DH-7 A common complex defect on the Ge(001)2x1 surface
-
24p-R-3 Si(111)7x7表面におけるSiの成長過程
-
走査トンネル顕微鏡(STM)によるGaAs(001)表面の研究 [II]
-
走査トンネル顕微鏡(STM)によるGaAs(001)表面の研究[I]
-
1a-J-12 STMによる表面ステップ上でのフラーレン分子のクラスター形成過程の研究
-
29p-S-11 GaAs(001)-4x2-Ga表面原子構造のSTMによる研究
-
29p-J-10 銅表面へのBTAの吸着構造
-
28a-J-8 STMによる銅表面上でのフラーレン分子間の相互作用に関する研究
-
半導体表面のアトムプロセス (表面のアトムプロセス)
-
5a-Q-12 Surface flatness and reconstructions of the InAs/GaAs and GaAs/InAs interfaces characterized by STM
-
4a-Q-1 STM及びUPSによるCu(110)表面におけるBTAの吸着反応
-
3a-Q-4 FI-STMによるGaAs(001)-(2x4)-y表面構造
-
2a-R-3 金属表面における金属内包フラーレン相互作用
-
31p-WB-6 Cu(110)表面におけるBTA及びTTA吸着構造
-
31p-WB-5 Atomically resolved adsorption structure of Mn on Cu(001) surface
-
31p-WB-4 FI-STMと動力学RHEED解析によるGaAs(001)-(2x4)/c(4x4)表面構造
-
31p-WB-3 Structure and phase transformation of the Ga-stabilized GaAs(001) surface
-
31p-WB-2 Orientational Geometry and Intramolecular Structure of C_C_ Monolayer on Cu(111) Surface
-
31p-WB-1 Ag(111)表面に於けるフラーレン吸着構造
-
15p-DH-2 Adsorption geometry and intramolecular structures of C_ and C_on the Cu(111)1×1 surface
-
15p-DH-1 Domain Boundary Segregation of the Monomolecular C_-C_ Layer Adsorbed on the Cu(111)1×1 Surface
-
14p-DH-9 FI-STM of the GaAs(001)-2x4-As Structure with different Surface Stoichiometry
-
有機半導体の界面に期待するもの
-
12p-DJ-11 CAICISS・FI-STMによるSi(111)-3x1K表面構造
-
13a-PS-19 Adsorption Geometry and Thin Film Growth of Metallofullerenes on the Si(100)2x1 Surface
-
14a-DH-6 FI-STM Study of Initial Growth Stage of GaAs on Si Epitaxy with Ga Prelayer
-
Si表面におけるフラーレン吸着
-
30p-H-12 Si表面に吸着したフラーレンのFI-STM像における内部構造
-
30p-H-11 FI-STMによる金属表面に於るフラーレンの吸着
-
30p-H-10 FI-STMによる金属表面に於る酸素吸着
-
29p-J-6 FI-STMによる半導体表面
-
走査トンネル顕微鏡/分光法によるC60の表面吸着
-
Cu(111)面上の硫黄/塩素吸着
-
28p-Y-7 Si(111)および(100)表面に吸着した銅フタロシアニンのSTM観察
-
28p-Y-5 C_ Adsorption on the Si(111)7x7 Surface
-
28p-Y-4 FI-STMによるSi(100)2x1表面におけるC_吸着
-
28p-Y-3 Structural and Electronic Properties of Alkali Metal Overlayers on the Si(111) Surface
-
28p-Y-2 GaAs(100) surface studied by MBE and FI-STM
-
28p-Y-1 Ag(110)表面における酸素吸着
-
27p-PSA-27 FI-STMによるSi表面上のC_n(n
-
FI-STMによるepitaxyの研究 : 招待講演I
-
30p-ZF-2 Cu(111)面におけるイオウ吸着のFI-STM研究
-
30p-ZF-1 Cu(111)面上の塩素吸着のFI-STM研究
-
30a-ZF-13 Atomic hydrogen adsorption on the Si(100)2x1 surface
-
30a-ZF-12 Si(100)2x1におけるNa吸着のFI-STM研究
-
30a-ZF-8 Cl/Si(111)7x7 の 紫外レーザーエッチング
-
30a-ZF-2 Structural Study of the Conversion of the Si(111)7x7 Surface to the Na-Covered 3x1 Surface.
-
27p-ZC-4 STMの金属表面への応用
-
電界イオン-走査トンネル顕微鏡
-
29p-BPS-37 Si(111)2x1劈開面のFI-STM観察
-
29p-BPS-36 Si(100)におけるアルカリ吸着 : FI-STM/STS
-
27p-E-7 Cl/Si(111)7x7のSTM/STS
-
27p-E-2 FI-STMによるAg(110)における酸素吸着
-
28p-K-1 FI-STMによるSi中の転位の原子像観察
-
表面を探る : 2. 表面顕微鏡: 吸着表面原子のSTM: Si表面のアルカリ金属 ( 表面)
-
26a-ZE-1 STM探針の先端原子配列とSTM像の相関
-
24p-R-11 Cl/Si(111)7x7のSTM/STS
-
3p-E-6 FI-STMとその表面科学における応用
-
5a-PS-19 FI-STMによるSi(111)のハロゲン吸着
-
5a-PS-15 FI-STMによる半導体表面上のアルカリ吸着
-
水素終端シリコン表面における初期酸素吸着の原子レベル観察
-
水素終端シリコン表面における初期酸素吸着の原子レベル観察
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク