1p-D-8 半導体成長への応用 : (1)内殻電子励起によるGaAsの構造変化 : (2)X線波動場による薄膜成長制御
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1996-03-15
著者
-
佐藤 史郎
NHK放送技術研究所
-
杉山 弘
高エ研
-
川戸 清爾
ソニー中研
-
一宮 彪彦
名大工
-
秋本 晃一
名大院工
-
秋本 晃一
名工大
-
安藤 正海
高エ研
-
秋本 晃一
名大工
-
籠島 靖
KEK-PF
-
斎藤 信雄
NHK放送技術研究所
-
斎藤 信雄
(株)国際電気通信基礎技術研究所
-
草野 淳一
NHK放送技研
-
加藤 隆典
住友重機
-
篭島 靖
高エ研
-
須佐美 隆行
名大工
-
高橋 功
名大工
-
谷川 明男
日本電気(株)マイクロエレ研
-
篭島 靖
高エ研・放射光
-
川戸 清爾
ソニー中央研究所
-
加藤 隆典
住友重機械工業kk
-
篭島 靖
姫工大院・理・物質科学
-
谷川 明男
Nec
関連論文
- 23aHS-8 X線トポグラフィによる単斜晶リゾチーム結晶の転位の特性評価(23aHS 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション,転位,点欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22pGQ-11 反射高速陽電子回折によるモット絶縁体表面の原子配置の研究(22pGQ 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 位相対称離散コサイン変換行列を用いた位相コードホログラム多重記録方式
- 海外放射光施設の動向 - マイクロビームの可能性を探る -
- 全反射陽電子回折による極表面構造の解析と物性
- 23aYD-12 反射高速陽電子回折 (RHEPD) パターンの強度解析
- 28aTA-11 Si(100)表面上におけるSiの2次元アイランドの崩壊過程
- シリコン表面に形成されたナノ構造の安定性と崩壊
- 22pTD-4 シリコン表面上のシリコンピラミッドの崩壊過程とステップの挙動
- Si(111)表面上に孤立したシリコンナノピラミッドの崩壊過程のスケール則 : 成長界面IV
- Si(111)表面上の孤立したナノ構造の形成と崩壊 : 招待講演
- 25pT-3 Si(111)7×7表面上のSiピラミッドの崩壊過程名
- Si(111)表面上の孤立したシリコン島状結晶の緩和過程
- シリコン表面におけるピラミッドの形成と崩壊
- 24pW-10 Si表面上のアイランドの崩壊と2次元ガス状態 III
- 24aY-5 STM/RHEEDによる 6H-SiC(0001)表面の再構成の観察
- 28aRD-2 反射高速陽電子回折を用いたSn/Ge(111)表面の相転移の研究(28aRD 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pXB-11 反射高速陽電子回折を用いた半導体表面上のSn原子吸着構造の低温相の研究(23pXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pXB-10 反射高速陽電子回折におけるエネルギー損失スペクトルの測定(23pXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30p-XJ-3 高輝度放射光用ダイアモンドモノクロメータにおける結晶のマウント法
- 単安定強誘電性液晶のスメクティック層のせん断変形
- 液晶溶液セル構造によるペンタセン単結晶の析出形態制御(有機エレクトロニクス)
- 2段階ポリマ塗布法により形成した単基板液晶素子の電圧動作特性(電子ディスプレイ)
- 計算機シミュレーションによる3極型FED用冷陰極におけるエミッション面積拡大と電子ビーム小径化の検討(電子ディスプレイ)
- 5p-L-4 放射光による半導体の電子励起結晶化促進反応
- GaAs横方向P-n接合の近接場光学顕微鏡による発光特性評価
- 1p-D-8 半導体成長への応用 : (1)内殻電子励起によるGaAsの構造変化 : (2)X線波動場による薄膜成長制御
- Au/p型a-SiC : H/a-Si : H/n型c-Si構造フォトダイオードにおける光電流・暗電流のn型c-Si不純物濃度依存性
- 29pPSB-58 Si(553)-Auの表面構造の研究(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 高分解能X線用撮像管の試作
- 3-17 高分解能X線用撮像管の開発
- フレキシブルカラー有機ELディスプレイの特性改善
- フレキシブルカラー有機ELディスプレイの特性改善
- フレキシブルカラー有機ELディスプレイの特性改善(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 局所的な光重合相分離により液晶中に形成されたポリマの形態評価
- 低屈折率異方性のツイスト配向ゲストホスト液晶を用いた反射型表示素子
- 強誘電性液晶とポリマの複合膜を用いたフレキシブル反射型素子の作製工程(電子ディスプレイ)
- 2)X線サチコンによるGaAsの融解過程のその場観察(テレビジョン電子装置研究会(第133回))
- X線サチコンによるGaAsの融解過程のその場観察
- 非晶質シリコン薄膜のX線照射による結晶化
- 27pRB-4 タンパク質結晶の変形による転位の導入(27pRB 格子欠陥・ナノ構造(転位・表面・界面),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 24pTA-2 放射光トポグラフィによる斜方晶卵白リゾチーム結晶中の転位の解析(格子欠陥・ナノ構造(転位・機械的性質),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 燐光性高分子を用いたフレキシブルカラー有機ELディスプレイ
- 燐光性高分子を用いたフレキシブルカラー有機ELディスプレイ
- 燐光性高分子を用いたフレキシブルカラー有機ELディスプレイ(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- X線HARP : 情報入力,情報ディスプレイ
- 27aXE-3 表面X線回折法によるAg/Si(111)界面の√構造とIETモデル
- 22pT-5 表面X線回折法によるAg/Si界面の構造
- 20aXB-1 いろいろな晶系をもつリゾチーム結晶中の転位構造(格子欠陥・ナノ構造(転位・力学特性),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 01aD10 単斜晶リゾチーム結晶の結晶成長と転位(バイオ・有機(2),第36回結晶成長国内会議)
- 26aYK-7 放射光X線トポグラフィによる単斜晶リゾチーム結晶中の転位の観察(26aYK 格子欠陥・ナノ構造(アモルファス・転位・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 29pXD-3 単色X線トポグラフィによるタンパク質結晶中の転位の解析(29pXD 格子欠陥・ナノ構造(転位・面欠陥・微粒子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 24pTA-15 放射光トポグラフィによる正方晶卵白リゾチーム結晶の転位(格子欠陥・ナノ構造(転位・機械的性質),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 27pXT-7 斜方晶リゾチーム結晶の放射光トポグラフィによる転位の観察(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
- 19pPSB-33 微小角入射X線回折法によるSi(111)-√×√-Ag表面の低温相の構造評価II
- 17pWD-8 表面X線回折法によるSi(111)-√×√-Ag上のAg薄膜の結晶配向性
- 27aXE-4 微小角入射X線回折法によるSi(111)√×√-Ag表面の低温相の構造評価
- デバイス基盤技術(放送技術の進展に向けた新しい研究アプローチ,放送技術の新展開)
- 色温度を上げる液晶フィルタの設計と試作
- PA30 ポリマーの分子量が液晶との相分離に及ぼす影響(物理・物性)
- 液晶性モノマーで形成したポリマー膜のアンカリング効果(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 液晶性モノマーで形成したポリマー膜のアンカリング効果
- 液晶性モノマーで形成したポリマー膜のアンカリング効果
- PA37 液晶とポリマー繊維の光重合相分離におけるポリマー分子量の硬化温度依存性(物理・物性)
- 強誘電性液晶/ポリマー複合膜におけるポリマー繊維形成のビデオ観察
- ポリマー繊維で安定化した強誘電性液晶のメモリ効果
- 配向ポリマー壁で囲まれた強誘電性液晶の層構造変化(表示記録用有機材料およびデバイス)
- 配向ポリマー壁で囲まれた強誘電性液晶の層構造変化
- 配向ポリマー壁で囲まれた強誘電性液晶の層構造変化
- ポリマー繊維を分散した強誘電性液晶のメモリ効果
- ポリマー繊維を分散した強誘電性液晶のメモリ効果
- IPトラバース露光法を利用した平面波X線トポグラフの強度分布補正
- フレキシブル液晶素子の時分割カラー表示動作
- ポリマフィラメント束によるネマティック液晶の配向現象
- 低屈折率異方性の液晶を用いたツイスト配向ゲストホスト素子の光吸収特性(電子ディスプレイ)
- 3C05 フレキシブル強誘電性液晶の繰り返し曲げ試験(フォトニクス・光デバイス)
- X線照射による固相エピタキシャル成長
- 利用実験:放射光によるGaAsの内殻電子励起効果
- ネマティック液晶を配向させる延伸多孔質ポリマ膜の作製
- 延伸多孔質ポリマーで配向させたネマティック液晶素子(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 延伸多孔質ポリマーで配向させたネマティック液晶素子
- 31p-B-3 ヘマタイト単結晶のブラッグ散乱および核共鳴散乱の散乱強度測定
- 延伸多孔質ポリマを用いたツイストネマティック液晶
- フォトリソスペーサによるポリマ安定化強誘電性液晶の高コントラスト化
- 多孔質配向ポリマ膜を積層したゲストホスト液晶
- 液晶偏光フィルタを応用した反射光自動抑制システムの開発
- 延伸多孔質ポリマーで配向させたネマティック液晶素子
- 3)冷陰極HARP撮像板の基礎実験([情報入力研究会 情報ディスプレイ研究会]合同)
- 冷陰極HARP撮像板の基礎実験
- 冷陰極HARP撮像板の基礎実験
- 2-2 X線用HARP撮像管
- 電界放出冷陰極を用いた新撮像素子の開発
- X線サチコン撮像管
- 真空マイクロエレクトロニクス
- 14-3 りん光性高分子を白色発光層に用いたフレキシブルカラー有機ELディスプレイの作製(第14部門 情報ディスプレイII)
- C-9-4 誘電体層の帯電を用いたFEDの電子ビーム集束(C-9.電子ディスプレイ)
- 放送技術の進展に向けた新しい研究アプローチ (特集 放送技術の新展開)
- 8aSM-5 表面X線回折法によるSiC(0001)3×3構造の研究(表面界面構造・電子物性,領域9)
- 7aSM-6 表面X線回折法によるSi(111)-√3×√3-Ag表面の相転移研究(表面界面構造・電子物性,領域9)
- 31p-M3-2 レーザアニールのX線時分割測定(X線・粒子線)