秋本 晃一 | 名大院工
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概要
関連著者
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秋本 晃一
名大院工
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秋本 晃一
名工大
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秋本 晃一
名大工
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高橋 敏男
東大物性研
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杉山 弘
Kek Pf
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一宮 彪彦
名大工
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張 小威
高エネ研物構研
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一宮 彪彦
名古屋大学工学部
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榎本 貴志
豊田工業高専
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河田 洋
Kek物構研
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杉山 弘
高エネルギー加速器研究機構物質構造科学研究所
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高橋 敏男
東京大学物性研究所
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田尻 寛男
JASRI
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田尻 寛男
高輝度光科学研究センター
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杉山 弘
高エ研
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中谷 信一郎
東大物性研
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張 小威
高エ研
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隅谷 和嗣
東大物性研
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田尻 寛男
東大物性研
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榎本 貴志
名大工
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VOEGELI Wolfgang
東大物性研
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Vobegeli Wolfgang
東大物性研
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Voegeli W.
東大物性研
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Wolfgang Voegeli
東大物性研
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Voegelin Wolfgang
KEK-PF
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白澤 徹郎
東京大学物性研究所
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白澤 徹郎
東大物性研
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河田 洋
高エ研
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張 小威
高エ研PF
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秋本 晃一
名古屋大学・院工・量子工学
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一宮 彪彦
名古屋大学大学院工学研究科
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阿部 誠
東大物性研
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秋本 晃一
名古屋大学工学部
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一宮 彪彦
名古屋大学
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堀井 新司
名大工
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高橋 敏男
東大 物性研
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榎本 貴志
豊田工業高等専門学校
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菊田 惺志
東大工
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高橋 敏男
東大工
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吉田 隆司
東大物性研
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杉山 弘
高エ研PF
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高山 透
東大物性研
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久保 公孝
東大物性研
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板垣 和夫
三菱化学(株)筑波工場
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矢代 航
東大新領域
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矢代 航
物材機構ナノマテ:産総研ナノテク
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吉田 泰則
名古屋大学工学研究科
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菊地 敏
三菱化学(株)筑波工場
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浪田 秀郎
CACs(株)筑波分析センター
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秋本 晃一
東大工
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菊池 敏
三菱化学(株)筑波工場
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岡野 達雄
東大生研
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石川 哲也
東大工
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星野 崇
東大物性研
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関口 浩司
東大物性研
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一宮 彪彦
名大院工
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岩沢 勇作
東大物性研
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野島 健大
東大物性研
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新井 大輔
東大物性研
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橋本 光博
東大物性研
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坂田 修身
JASRI
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石川 哲也
高工研
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増沢 航介
東大物性研
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杉山 弘
KEK-PF
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矢代 航
東大物性研
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松本 益明
東大生産研
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岡野 達雄
東大生産研
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中原 仁
名大院工
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坂田 修身
Jst-crest:高輝度光科学研
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坂田 修身
高輝度光科学研究センター
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坂田 修身
Spring-8 Jasri
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坂田 修身
財団法人 高輝度光科学研究センター
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青山 朋弘
名大工
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久田 祥之
デンソー基礎研
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向中野 信一
デンソー基礎研
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杉山 弘
KEK物構研
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平野 馨一
高エ研 PF
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中原 仁
名大工
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杉山 弘
高工研PF
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張 小威
高工研PF
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平野 馨一
高工研
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塚原 靖典
名大工
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Lijadi Melania
名大工
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坂田 修身
財団法人 高輝度光科学研究センター 利用研究促進部門
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坂田 修身
高輝度光科学研究センター放射光研究所利用促進部門
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畑 敦
名大工
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谷川 明男
Nec
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石川 雄也
金沢大理
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石川 雄也
名大工
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平野 馨一
高エ研
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一宮 彪彦
原子力機構先端基礎研
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張 小威
KEK-PF
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河田 洋
物構研
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佐藤 史郎
NHK放送技術研究所
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八田 一郎
名大院・工・応物
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村田 好正
東大生研
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斎藤 幸夫
慶應義塾大学理工学部
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河田 洋
KEK-PF
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河田 洋
高工研
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川戸 清爾
ソニー中研
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河田 洋
高エ研PF^c
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齊藤 弥八
名大院工
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斎藤 弥八
名大院工
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村田 好正
電通大物理
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齋藤 弥八
名大工
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張 小威
物構研
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安藤 正海
高エ研
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杉山 弘
物構研
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斎藤 弥八
名大工
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張 小威
物構研PF
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清水 圭介
東大物性研
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籠島 靖
KEK-PF
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八田 一郎
名古屋大 大学院
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斎藤 信雄
NHK放送技術研究所
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斎藤 信雄
(株)国際電気通信基礎技術研究所
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草野 淳一
NHK放送技研
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加藤 隆典
住友重機
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篭島 靖
高エ研
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須佐美 隆行
名大工
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高橋 功
名大工
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谷川 明男
日本電気(株)マイクロエレ研
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小山 貴之
名工大院・工
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康江 拓
東大物性研
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Voegeli W.
名大工
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浦田 明晃
名大工
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光岡 義仁
デンソー基礎研
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齋藤 弥八
名大院工
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青山 朋弘
名大院工
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篭島 靖
高エ研・放射光
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Saito Y
Faculty Of Engineering Yamanashi University
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Saito Yukinori
Electrical Engineering Yananashi University
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Kundu Manisha
電通大
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Kundu Manisha
電通大物理
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杉山 弘
高工研
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張 小威
高工研
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佐藤 昌史
高工研
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河田 洋
高工研PF
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斎藤 弥八
三重大学
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張 小威
KEK物構研
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Saito Y
Department Of Applied Physics Osaka University
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水野 義人
名大院工
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八田 一郎
名大・院工・応物
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Saito Y
Synchrotron Radiation Research Center Japan Atomic Energy Agency
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Saitoh Yuji
Department Of Material Physics Osaka University
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川戸 清爾
ソニー中央研究所
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坂田 修身
(財)高輝度光科学研究センター(jasri/spring-8)
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Saito Yahachi
Institute For Materials Research (imr) Tohoku University
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Saito Yahachi
Technology Development Center Toyohashi University Of Technology
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Saito Yahachi
Faculty Of Engineering Mie University
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Saito Yahachi
Department Of Applied Physics Faculty Of Engineering Nagoya Universtiy
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加藤 隆典
住友重機械工業kk
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Saito Y
Faculty Of Engineering Shinshu University
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高橋 功
関学理
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斎藤 幸夫
慶応大学理工学部物理
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日比野 政裕
名大院・工
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秋本 晃一
名大院・工
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堀井 新司
名大院・工
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小山 貴之
名大院・工
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Ito S.
名大工
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Yashiro W.
東大物性研
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Nakatani S.
東大物性研
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Saito Yuji
Department Of Electronic Engineering Graduate School Of Engineering Tohoku University
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日比野 政裕
室蘭工大・工学部・応用化学
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篭島 靖
姫工大院・理・物質科学
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Saito Yoshihiko
Toshiba Corp. Semiconductor Materials Engineering Dept.
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Saito Y
Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Mie University
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Saito Y
Toyota Central Res. And Dev. Lab. Inc. Aichi Jpn
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廣江 拓
東大物性研
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持木 健吾
名大工
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山田 尚明
名大工
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松井 純爾
R & Dグループ
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Shigeta Yukichi
Institute Of Plasma Physics Nagoya University:department Of Physics Yokohama City University
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Saito Y
Yamanashi Univ. Kofu Jpn
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榎本 貴志
国立豊田工業高等専門学校
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SATYAM Parlapalli
インド国立物理学研究所
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榎本 貴志
名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻
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Saito Yoshiaki
Hatano Research Institute (hri) Food And Drug Safety Center (fdsc)
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松井 純爾
日電基研
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榎本 貴志
豊田高専
著作論文
- 22pGQ-2 Atomic structure of the Si(553)-Au surface
- 24pPSA-23 表面X線回折法を用いたSi(111)-5×2-Au表面の構造解析(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20aPS-32 表面X線回折法を用いたSi(111)-Au表面構造の研究(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26pXC-4 X線回折によるSi(111)-6×1(3×1)-Ag表面の3次元的な原子配列の研究(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 20aPS-27 X 線 CTR 散乱低温試料マニピュレータの開発と Si(111)-6x1-Ag 表面構造の研究
- 1p-D-8 半導体成長への応用 : (1)内殻電子励起によるGaAsの構造変化 : (2)X線波動場による薄膜成長制御
- 26pPSB-31 Structures of Pb on high-index Si surfaces
- 29pPSB-58 Si(553)-Auの表面構造の研究(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aXJ-10 酸化によるSiC(0001)-3×3と√×√-R30°表面構造の変化(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26pYA-6 6軸X線回折計による表面・界面構造の評価
- 30aPS-35 表面X線回折法による埋もれたSi(111)-5×2-Au構造の研究(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aPS-36 表面X線回折法によるSi(111)-Auの埋もれた界面構造の研究(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aYD-8 Sb を吸着した Si(113) 表面再構成構造の研究
- 逆スパッタ表面処理による絶縁膜-半導体界面近傍の格子歪(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 逆スパッタ表面処理による絶縁膜-半導体界面近傍の格子歪(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 逆スパッタ表面処理による絶縁膜-半導体界面近傍の格子歪(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 25pWS-5 SiC(0001)基板上に生成したグラフェン膜のX線ラウエ関数による層数決定(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aWS-1 Low temperature superstructure formation in gold atomic chains on high-index Si surfaces
- 23pZL-7 X線による半導体表面界面の構造研究
- X線反射率による磁性流体表面の観察
- 3a-J-8 Ag/Si界面の√3構造
- 1PD023 異常分散X線回折法によるLangmuir-Blodgett膜の構造解析
- 27aXE-3 表面X線回折法によるAg/Si(111)界面の√構造とIETモデル
- 22pT-5 表面X線回折法によるAg/Si界面の構造
- X線定在法によるNiSi_2/(111)Si界面構造の解析(表面に特有な超格子構造の解析とその新しい方法の開発,科研費研究会報告)
- 2a-KK-4 X線定在波法によるNisi_2/(111)Si界面構造の解析
- 24aPS-66 表面X線回折法によるPb/Si(111)表面の再構成構造とその相転移(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 19pPSB-33 微小角入射X線回折法によるSi(111)-√×√-Ag表面の低温相の構造評価II
- 17pWD-8 表面X線回折法によるSi(111)-√×√-Ag上のAg薄膜の結晶配向性
- 27aXE-4 微小角入射X線回折法によるSi(111)√×√-Ag表面の低温相の構造評価
- 24pPSA-13 表面X線回折法によるSi(111)-√×√-(Ag+Au)表面の構造解析
- 26pYA-5 MOS構造界面にもたらされる格子歪
- X線によるSiおよびAg/Si界面の格子歪測定
- イオン照射によりSi基板に導入された格子歪みの深さ方向分布の解析
- 極端に非対称なX線回折法を用いた半導体表面の格子緩和の研究
- 27aY-11 X線回折法を用いたAl/Si界面の歪みの研究
- 7a-X-5 極微小角入射X線回折法を用いたSiおよびAg/Si界面の格子歪測定
- 2p-M-8 X線定在波法によるInGaAsP混晶薄膜の評価
- 8aSM-5 表面X線回折法によるSiC(0001)3×3構造の研究(表面界面構造・電子物性,領域9)