逆スパッタ表面処理による絶縁膜-半導体界面近傍の格子歪(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
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概要
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半導体表面を成膜装置内で逆スパッタ処理することは、実際的な表面清浄技術として広く用いられている。しかし、逆スパッタ処理はそれと同時に、結晶表面近傍に格子歪をもたらす可能性もある。本研究では、InGaPとGaAsの表面を逆スパッタ処理することにより誘起される、結晶表面近傍の格子歪を、シンクロトロン放射光を利用した極端に非対称なX線回折法により評価した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-05-09
著者
-
秋本 晃一
名古屋大学工学部
-
榎本 貴志
豊田工業高等専門学校
-
一宮 彪彦
名大工
-
一宮 彪彦
名古屋大学大学院工学研究科
-
秋本 晃一
名大院工
-
秋本 晃一
名工大
-
板垣 和夫
三菱化学(株)筑波工場
-
一宮 彪彦
名古屋大学
-
一宮 彪彦
名古屋大学工学部
-
吉田 泰則
名古屋大学工学研究科
-
菊地 敏
三菱化学(株)筑波工場
-
浪田 秀郎
CACs(株)筑波分析センター
-
菊池 敏
三菱化学(株)筑波工場
-
秋本 晃一
名古屋大学・院工・量子工学
-
榎本 貴志
豊田工業高専
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