一宮 彪彦 | 名古屋大学大学院工学研究科
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概要
関連著者
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一宮 彪彦
名古屋大学大学院工学研究科
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一宮 彪彦
名大工
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一宮 彪彦
名古屋大学
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一宮 彪彦
名古屋大学工学部
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一宮 彪彦
原子力機構先端基礎研
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原子力機構先端基礎研
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河裾 厚男
日本原子力研究開発機構
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河裾 厚男
原子力機構・先端基礎研
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河裾 厚男
(独)日本原子力研究開発機構・先端基礎研センター
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深谷 有喜
原子力機構・先端基礎研センター
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河裾 厚男
原子力機構先端基礎研
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河裾 厚男
原子力機構 先端基礎研
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河裾 厚男
日本原子力研究所高崎研究所
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橋本 美絵
奈良先端大物質創成
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原子力機構先端基礎研
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林 和彦
原研先端基礎研
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河裾 厚男
原研先端基礎研
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一宮 彪彦
原研先端基礎研
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日本原子力研究所・高崎
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日本原子力研究開発機構先端基礎研
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深谷 有喜
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深谷 有喜
(独)日本原子力研究開発機構・先端基礎研究センター
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秋本 晃一
名大院工
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松田 巌
東大物性研
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一宮 彪彦
名大院工
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秋本 晃一
名工大
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前川 雅樹
原子力機構・先端基礎研
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中原 仁
名大院工
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中原 仁
名大工
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秋本 晃一
名古屋大学工学部
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榎本 貴志
豊田工業高等専門学校
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林 和彦
名古屋大学消化器内科
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深谷 有喜
日本原子力研究所先端基礎研究センター
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林 和彦
日本原子力研究所先端基礎研究センター
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石本 貴幸
原研先端研
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板垣 和夫
三菱化学(株)筑波工場
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林 和彦
名古屋大学医学部消化器内科
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吉田 泰則
名古屋大学工学研究科
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菊地 敏
三菱化学(株)筑波工場
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浪田 秀郎
CACs(株)筑波分析センター
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菊池 敏
三菱化学(株)筑波工場
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秋本 晃一
名古屋大学・院工・量子工学
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榎本 貴志
豊田工業高専
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松田 巌
東大物性研究所
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前川 雅樹
日本原子力研究開発機構先端基礎研
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成田 尚司
東大物性研
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一宮 彪彦
日本女子大学理学部
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一宮 彪彦
日本原子力研究所先端基礎研究センター
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秋本 晃一
名大工
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岡田 漱平
日本原子力研究所・高崎
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岡田 漱平
日本原子力研究所
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鈴木 猛司
名大工
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鈴木 猛司
名大院工
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Kawasuso A.
東北大金研
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前川 雅樹
日本原子力研究開発機構 先端基礎研
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前川 雅樹
日本原子力研究所高崎研究所
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長谷川 修司
東大理
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中村 史一
東大院理
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杉山 弘
高エネルギー加速器研究機構物質構造科学研究所
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杉山 弘
Kek Pf
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高橋 敏男
東京大学物性研究所
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高橋 敏男
東大物性研
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中谷 信一郎
東大物性研
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河田 洋
Kek物構研
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多賀 康訓
(株)豊田中央研究所
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石本 貴幸
日本原子力研究所先端基礎研究センター
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前川 雅樹
原研先端基礎研
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石本 貴幸
原研先端基礎研
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林 和彦
原研先端研
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深谷 有喜
原研先端研
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河裾 厚男
原研先端研
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前川 雅樹
原研先端研
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VOEGELI Wolfgang
東大物性研
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Vobegeli Wolfgang
東大物性研
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松田 巌
東大理
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Voegeli W.
東大物性研
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小林 功佳
お茶の水大理
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隅谷 和嗣
東大物性研
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有馬 義康
明の星女子短期大学
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入沢 寿美
学習院大学計算機センター
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長谷川 修司
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
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石山 謙吾
(株)豊田中央研究所
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Voegeli W.
名大工
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青山 朋弘
名大工
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浦田 明晃
名大工
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久田 祥之
デンソー基礎研
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光岡 義仁
デンソー基礎研
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向中野 信一
デンソー基礎研
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杉山 弘
KEK物構研
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中村 史一
東大理
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城戸 望
日本女子大理
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小林 功佳
お茶の水女子大学理学部物理学科
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城戸 望
日本女子大学理学研究科
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鈴木 秀俊
豊田工大
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鈴木 秀俊
名大工
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水野 義人
名大院工
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筒井 洋平
名大院工
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有馬 義康
学習院大学理学部
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小林 功佳
お茶の水理
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中村 史一
東大理:東大物性研
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有馬 義康
学習院大学大学院自然科学研究科
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中村 史一
東大物性研究所
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Wolfgang Voegeli
東大物性研
-
Voegelin Wolfgang
KEK-PF
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一宮 彪彦
名古屋大学・工学部
著作論文
- 22pGQ-11 反射高速陽電子回折によるモット絶縁体表面の原子配置の研究(22pGQ 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 全反射陽電子回折による極表面構造の解析と物性
- 21aPS-38 反射高速陽電子回折によるSi(001)の清浄表面及び酸素吸着の研究(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 15pXG-7 磁界レンズを用いた陽電子回折装置の開発(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 15aPS-49 反射高速陽電子回折による Si(001) 表面の研究(領域 9)
- 14pXG-5 反射高速陽電子回折による Si(111)-√×√-Ag 表面構造相転移の研究(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 28aWP-6 反射高速陽電子回折を用いたSi(111)-7x7表面における表面デバイ温度の精密測定(表面界面構造(半導体))(領域9)
- 20pXB-5 反射高速陽電子回折・開発とその応用
- 23aYD-13 反射高速陽電子回折の視射角依存性による最表面構造の研究
- 23aYD-12 反射高速陽電子回折 (RHEPD) パターンの強度解析
- シリコン表面に形成されたナノ構造の安定性と崩壊
- Si(111)表面上の孤立したシリコン島状結晶の緩和過程
- シリコン表面におけるピラミッドの形成と崩壊
- 28aRD-2 反射高速陽電子回折を用いたSn/Ge(111)表面の相転移の研究(28aRD 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pXB-11 反射高速陽電子回折を用いた半導体表面上のSn原子吸着構造の低温相の研究(23pXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pXB-10 反射高速陽電子回折におけるエネルギー損失スペクトルの測定(23pXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pPSB-21 反射高速陽電子回折による貴金属吸着誘起Si(111)-√×√超構造の研究(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aTH-4 Hume-Rothery電子化合物の合金単原子層(液体・アモルファス・その他,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 25pTE-11 反射高速陽電子回折を用いたIn/Si(111)表面における金属-絶縁体転移の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26aRJ-4 反射高速陽電子回折における非弾性散乱過程の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22aXJ-2 反射高速陽電子回折におけるエネルギー損失過程の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pXJ-3 反射高速陽電子回折を用いたIn/Si(111)表面における(4×1)-(8×'2')相転移の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pTG-8 反射高速陽電子回折によるPb/Ge(111)表面の構造と相転移の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pTG-9 反射高速陽電子回折によるIn/Si(111)表面構造相転移の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27pYG-10 反射高速陽電子回折を用いた金属薄膜表面における表面プラズモン励起の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- Si(001)上のTiの初期成長と反応
- 22aXJ-10 酸化によるSiC(0001)-3×3と√×√-R30°表面構造の変化(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 28aRD-1 Si(111)√×√-(Au,Ag)構造の相転移(28aRD 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aWS-8 Si表面√×√相の擬ポテンシャルモデルによるエネルギーの安定性と位相シフトの考察(26aWS 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aYD-7 Ga/Si(113) ナノファセットのアニールによる形態変化
- 27pPSA-22 Ag/Si(111)√×√表面の低温構造の解析II(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 23aYD-9 Ag/Si (111) √×√ 表面の低温構造の解析
- 23aYD-8 Sb を吸着した Si(113) 表面再構成構造の研究
- 20pYD-13 Si ナノピラミッドの Si 蒸着による緩和過程
- 逆スパッタ表面処理による絶縁膜-半導体界面近傍の格子歪(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 逆スパッタ表面処理による絶縁膜-半導体界面近傍の格子歪(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 逆スパッタ表面処理による絶縁膜-半導体界面近傍の格子歪(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 反射高速陽電子回折による表面研究
- 電子回析(II)
- 結晶・薄膜の構造および表面分析法 : 電子回折 (I)
- 表面科学シンポジウム2001 (3'01)
- 21pTG-7 エネルギーフィルター型反射高速陽電子回折装置の開発(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25aYH-6 反射高速陽電子回折によるSn吸着Ge(111)表面の3×3-√×√相転移の研究(25aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aYH-5 反射高速陽電子回折によるIn/Si(111)表面構造解析(25aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pPSB-24 反射高速陽電子回折によるSi(111)-√×√-Ag表面構造相転移の研究II(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pY-11 反射高速陽電子回折による水素終端Si(111)の解析
- 28p-Q-6 反射高速陽電子回折(RHEPD)の開発とシリコン表面研究への応用
- RHEED動力学的強度解析法の開発と表面吸着の原子ダイナミクスの研究
- 編集委員長をお引き受けするに当たって
- 第2回表面物理シンポジウム(SSP'00)
- 反射電子回折法
- 30aPS-32 反射高速陽電子回折によるSi(111)-√×√-Ag表面構造解析II(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 電子、陽電子回折を用いた半導体表面の原子配列の観察 (特集 放射線を利用した計測・評価技術)
- 22aYE-2 反射高速陽電子回折によるGe(111)-√×√-Sn表面の相転移の研究(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aPS-35 反射高速陽電子回折によるSi(111)-√×√-Ag表面構造解析(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 陽電子回折 (特集 陽電子分光計測の新しい流れ)
- MBE成長条件下での表面構造の周期変化とRHEED振動
- 高速電子線の動力学的回折―波動力学的方法
- 電子顕微鏡像の等厚干渉縞による結晶構造因子の決定
- e-Journal発刊に際して
- 陽電子回折