一宮 彪彦 | 名古屋大学工学部

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概要

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関連著者

• 一宮 彪彦

  名古屋大学工学部

• 一宮 彪彦

  名大工

• 一宮 彪彦

  名古屋大学大学院工学研究科

• 一宮 彪彦

  名古屋大学

• 一宮 彪彦

  原子力機構先端基礎研

• 深谷 有喜

  原子力機構先端基礎研

• 河裾 厚男

  原子力機構・先端基礎研

• 河裾 厚男

  日本原子力研究開発機構

• 河裾 厚男

  原子力機構先端基礎研

• 河裾 厚男

  原子力機構 先端基礎研

• 深谷 有喜

  原子力機構・先端基礎研センター

• 林 和彦

  原研先端基礎研

• 河裾 厚男

  (独)日本原子力研究開発機構・先端基礎研センター

• 中原 仁

  名大院工

• 中原 仁

  名大工

• 河裾 厚男

  日本原子力研究所高崎研究所

• 橋本 美絵

  奈良先端大物質創成

• 橋本 美絵

  原子力機構先端基礎研

• 秋本 晃一

  名大院工

• 秋本 晃一

  名工大

• 林 和彦

  名大工

• 一宮 彪彦

  名大院工

• 秋本 晃一

  名大工

• 榎本 貴志

  豊田工業高専

• 久田 祥之

  デンソー基礎研

• 向中野 信一

  デンソー基礎研

• 鈴木 秀俊

  豊田工大

• 榎本 貴志

  名大工

• 青山 朋弘

  名大工

• 鈴木 秀俊

  名大工

• 張 小威

  高エネ研物構研

• 久田 祥之

  株式会社デンソー

• 向中野 信一

  株式会社デンソー

• 張 小威

  高エ研

• 深谷 有喜

  (独)日本原子力研究開発機構・先端基礎研究センター

• 杉山 弘

  Kek Pf

• 高橋 敏男

  東大物性研

• 河田 洋

  Kek物構研

• 林 和彦

  名大院工

• 秋本 晃一

  名古屋大学工学部

• 榎本 貴志

  豊田工業高等専門学校

• 杉山 弘

  高エ研

• 中谷 信一郎

  東大物性研

• 河田 洋

  高エ研

• 林 和彦

  名古屋大学消化器内科

• 上羽 牧夫

  名大理

• 田尻 寛男

  JASRI

• 田尻 寛男

  東大物性研

• 田尻 寛男

  高輝度光科学研究センター

• 板垣 和夫

  三菱化学(株)筑波工場

• 林 和彦

  名古屋大学医学部消化器内科

• 張 小威

  高エ研PF

• 宮田 真次

  名大工

• 吉田 泰則

  名古屋大学工学研究科

• 菊地 敏

  三菱化学(株)筑波工場

• 浪田 秀郎

  CACs(株)筑波分析センター

• 菱田 武司

  名大工

• 堀井 新司

  名大工

• 菊池 敏

  三菱化学(株)筑波工場

• 秋本 晃一

  名古屋大学・院工・量子工学

• 松田 巌

  東大物性研

• 河裾 厚男

  日本原子力研究開発機構先端基礎研

• 成田 尚司

  東大物性研

• 川村 隆明

  山梨大教育

• 西田 俊介

  名大工

• Williams E.

  University of Maryland

• Einstein T.

  University of Maryland

• 岡田 漱平

  日本原子力研究所・高崎

• 岡田 漱平

  日本原子力研究所

• 矢代 航

  東大新領域

• 光岡 義仁

  デンソー基礎研

• 矢代 航

  物材機構ナノマテ:産総研ナノテク

• 平野 馨一

  高エ研 PF

• 青山 朋弘

  名大院工

• Einstein T.

  Univ. Maryland Maryland Usa

• 堀尾 吉巳

  名大工

• 鈴木 猛司

  名大工

• 平野 馨一

  高工研

• 鈴木 猛司

  名大院工

• 韓 玉杰

  名大工

• 塚原 靖典

  名大工

• Kawasuso A.

  東北大金研

• 河裾 厚男

  日本原子力研究所・高崎

• 豊島 沙織

  山梨大教育

• 石川 雄也

  金沢大理

• 浦上 泰

  名大工

• 橋本 安行

  名大工

• 石川 雄也

  名大工

• 上羽 牧夫

  名大・理

• 豊島 沙織

  山梨大教育人間

• 鈴木 雅士

  名大工

• 渕上 健児

  名大工

• 平野 馨一

  高エ研

• 杉山 弘

  高エネルギー加速器研究機構物質構造科学研究所

• 高橋 敏男

  東京大学物性研究所

• 河裾 厚男

  原研先端基礎研

• 一宮 彪彦

  原研先端基礎研

• 深谷 有喜

  原研先端基礎研

• Williams E.D.

  メリーランド大

• Einstein T.L.

  メリーランド大

• 上羽 牧夫

  名大院理

• VOEGELI Wolfgang

  東大物性研

• Vobegeli Wolfgang

  東大物性研

• Voegeli W.

  東大物性研

• 隅谷 和嗣

  東大物性研

• 有馬 義康

  明の星女子短期大学

• 矢代 航

  東大物性研

• 入澤 寿美

  学習院大学

• 入沢 寿美

  学習院大学計算機センター

• 市川 昌和

  Jrcat-atp

• Voegeli W.

  名大工

• 浦田 明晃

  名大工

• 杉山 弘

  KEK物構研

• 入沢 寿美

  学習院大・計算機センター

• 鈴木 秀俊

  名大院工

• 田窪 暁

  名大工

• 水野 義人

  名大院工

• 筒井 洋平

  名大院工

• 青山 朋弘

  名古屋大院工

• 一宮 彪彦

  名古屋大院工

• 加藤 清成

  名大工

• 高橋 功

  関学理

• Lijadi Melania

  名大工

• 有馬 義康

  学習院大学理学部

• 入沢 寿美

  学習院大・計セ

• 入澤 寿美

  学習院大

• 一宮 彪彦

  名大・工

• 黒田 登志雄

  北大・低温研

• 市川 昌和

  Jrcat

• Ito S.

  名大工

• Yashiro W.

  東大物性研

• Nakatani S.

  東大物性研

• 畑 敦

  名大工

• 有馬 義康

  学習院大学大学院自然科学研究科

• 谷川 明男

  Nec

• 西川 育那

  名大工

• 内山 征也

  名大工

• 堀尾 吉已

  名大工

• 黒田 登志雄

  北大低温

• 渡邉 克博

  名大理

• 田中 頼子

  名大工

• 樋掛 浩二

  名大工

• E.A Khramtsova

  名大工

• 西沢 孝広

  名大工

• 坂井 浩人

  名大工

• 松田 巌

  東大物性研究所

• Wolfgang Voegeli

  東大物性研

• Williams E.

  University Of Cambridge

• Voegelin Wolfgang

  KEK-PF

• 入沢 寿美

  学習院大・理

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著作論文

• 22pGQ-11 反射高速陽電子回折によるモット絶縁体表面の原子配置の研究(22pGQ 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28aTA-11 Si(100)表面上におけるSiの2次元アイランドの崩壊過程
• シリコン表面に形成されたナノ構造の安定性と崩壊
• 22pTD-4 シリコン表面上のシリコンピラミッドの崩壊過程とステップの挙動
• Si(111)表面上に孤立したシリコンナノピラミッドの崩壊過程のスケール則 : 成長界面IV
• Si(111)表面上の孤立したナノ構造の形成と崩壊 : 招待講演
• 25pT-3 Si(111)7×7表面上のSiピラミッドの崩壊過程名
• Si(111)表面上の孤立したシリコン島状結晶の緩和過程
• シリコン表面におけるピラミッドの形成と崩壊
• 24pW-10 Si表面上のアイランドの崩壊と2次元ガス状態 III
• 24aY-5 STM/RHEEDによる 6H-SiC(0001)表面の再構成の観察
• 28aRD-2 反射高速陽電子回折を用いたSn/Ge(111)表面の相転移の研究(28aRD 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pXB-11 反射高速陽電子回折を用いた半導体表面上のSn原子吸着構造の低温相の研究(23pXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pXB-10 反射高速陽電子回折におけるエネルギー損失スペクトルの測定(23pXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pPSB-21 反射高速陽電子回折による貴金属吸着誘起Si(111)-√×√超構造の研究(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aTH-4 Hume-Rothery電子化合物の合金単原子層(液体・アモルファス・その他,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
• 25pTE-11 反射高速陽電子回折を用いたIn/Si(111)表面における金属-絶縁体転移の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26aRJ-4 反射高速陽電子回折における非弾性散乱過程の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22aXJ-2 反射高速陽電子回折におけるエネルギー損失過程の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21pXJ-3 反射高速陽電子回折を用いたIn/Si(111)表面における(4×1)-(8×'2')相転移の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21pTG-8 反射高速陽電子回折によるPb/Ge(111)表面の構造と相転移の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21pTG-9 反射高速陽電子回折によるIn/Si(111)表面構造相転移の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 27pYG-10 反射高速陽電子回折を用いた金属薄膜表面における表面プラズモン励起の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22aXJ-10 酸化によるSiC(0001)-3×3と√×√-R30°表面構造の変化(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20aPS-26 STM による SiC 表面のグラファイト構造の観察
• 27a-PS-61 サーファクタントエピタキシにおける表面拡散過程
• 23aYD-7 Ga/Si(113) ナノファセットのアニールによる形態変化
• 19pPSB-42 微傾斜したSi(113)面上のGa吸着構造の研究
• 27aXE-6 Ga吸着した高指数Si表面の研究IV
• 25aWB-6 Ga吸着したSi(113)上のナノファセット構造の研究
• 22pT-1 Ga吸着した高指数Si表面の研究 III
• 26aPS-25 Ga吸着した高指数Si表面の研究II
• 29a-PS-6 Ga吸着した高指数Si表面の研究I
• 27pPSA-22 Ag/Si(111)√×√表面の低温構造の解析II(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 23aYD-9 Ag/Si (111) √×√ 表面の低温構造の解析
• 23aYD-8 Sb を吸着した Si(113) 表面再構成構造の研究
• 20pYD-13 Si ナノピラミッドの Si 蒸着による緩和過程
• 20aPS-30 AES と RHEED ロッキング曲線による 6H-SiC(0001) (√3×√3)-R30°と 3×3 表面の酸化初期過程の研究
• 逆スパッタ表面処理による絶縁膜-半導体界面近傍の格子歪(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 逆スパッタ表面処理による絶縁膜-半導体界面近傍の格子歪(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• 逆スパッタ表面処理による絶縁膜-半導体界面近傍の格子歪(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 28pPSB-17 エネルギ分解反射高速電子回折の研究 III
• GaAs(001)(2×4)表面上のホモエピタキシャル成長初期状態
• 電子回析(II)
• 結晶・薄膜の構造および表面分析法 : 電子回折 (I)
• 表面科学シンポジウム2001 (3'01)
• 20aRH-2 エネルギ分解反射高速電子回折の研究II
• 19pRH-4 Si(100)表面上におけるSiナノ構造の崩壊過程
• 21pTG-7 エネルギーフィルター型反射高速陽電子回折装置の開発(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25aYH-6 反射高速陽電子回折によるSn吸着Ge(111)表面の3×3-√×√相転移の研究(25aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aYH-5 反射高速陽電子回折によるIn/Si(111)表面構造解析(25aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pPSB-24 反射高速陽電子回折によるSi(111)-√×√-Ag表面構造相転移の研究II(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 17pWD-4 SiC(0001)(√×√)-R30゜表面の多波条件RHEEDロッキング曲線による研究
• 30aXE-1 6H-SiC(0001) 3×3再構成表面のRHEEDロッキング曲線による研究
• 25aWB-12 SiC(0001)√×√再構成表面のRHEEDロッキング曲線による研究
• 22pT-10 SiC(0001)表面のRHEEDロッキング曲線による研究
• X線反射率による磁性流体表面の観察
• 27pY-11 反射高速陽電子回折による水素終端Si(111)の解析
• 28p-Q-6 反射高速陽電子回折(RHEPD)の開発とシリコン表面研究への応用
• 結晶表面の原子配列構造を知るにはどうすれば良いか? (特集:表面・界面科学研究)
• MBE成長条件下での表面構造の周期変化とRHEED強度振動 : エピタキシーI
• 22pTD-4 シリコン表面上のシリコンピラミッドの崩壊過程とステップの挙動
• 27aXE-3 表面X線回折法によるAg/Si(111)界面の√構造とIETモデル
• 22pT-5 表面X線回折法によるAg/Si界面の構造
• 17pWD-8 表面X線回折法によるSi(111)-√×√-Ag上のAg薄膜の結晶配向性
• 29pPSA-9 エネルギ分解反射高速電子回折の研究
• 編集委員長をお引き受けするに当たって
• 28aTA-10 Si(100)面上の2次元島の消滅過程
• 高分解能原子間力顕微鏡による表面状態の研究
• 25aWB-10 GaAs(001)2×4構造のRHEEDロッキング曲線による解析
• 23pTA-7 Si(100)面上の島の崩壊過程
• 第2回表面物理シンポジウム(SSP'00)
• 反射電子回折法
• 30aPS-32 反射高速陽電子回折によるSi(111)-√×√-Ag表面構造解析II(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aYE-2 反射高速陽電子回折によるGe(111)-√×√-Sn表面の相転移の研究(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• MBE成長条件下での表面構造の周期変化とRHEED振動
• 高速電子線の動力学的回折--波動力学的方法
• 電子顕微鏡像の等厚干渉縞による結晶構造因子の決定(トピックス)
• 29a-PS-24 エネルギーフィルター型RHEEDによるLi/Si(111)表面の研究
• RHEED パターン内の非弾性散乱成分の研究
• 26pYA-5 MOS構造界面にもたらされる格子歪
• 電子顕微鏡像の等厚干渉縞による結晶構造因子の決定
• X線によるSiおよびAg/Si界面の格子歪測定
• 27aY-11 X線回折法を用いたAl/Si界面の歪みの研究
• 7a-X-5 極微小角入射X線回折法を用いたSiおよびAg/Si界面の格子歪測定
• 22pC6 ファセット上の島の表面拡散による崩壊過程(成長界面III)
• 29a-PS-19 Si(111)表面上のSiアイランドの崩壊過程
• 31a-PS-31 Si(111)表面上のSiアイランドの作成と崩壊過程
• 28a-T-9 Si表面上のSiアイランドの崩壊と2次元ガス状態II
• Si(111)7×7表面上の孤立島結晶の挙動
• Si表面上のSiアイランドの崩壊と2次元ガス状態
• はじめに
• シリコン表面における孤立したナノ構造の緩和過程
• 26aPS-49 Si(001)表面におけるナノ構造の形成と崩壊
• 29a-PS-38 Si(001)表面におけるナノ構造の形成と崩壊
• 直接通電加熱による試料加熱法
• 31a-PS-41 RHEEDロッキング曲線によるSi(113)表面構造の解析
• 6p-X-2 反射高速電子回折(RHEED) : 動力学的理論の現状と将来
• 8a-H-10 Comparative Study of the High-and Low-Temperature Si(111)(√×√)R30°-Au Structure Using One-Beam RHEED Intensity Rocking Curve Analysis
• 7a-PS-20 Si表面からの熱脱離
• 7a-PS-18 Au蒸着によるSi表面の清浄化
• 28a-T-5 Si(111)√×√-Au上のAuの成長
• 固体表面と多価イオンとの相互作用によるX線放出II
• Si(111)√×√上のAu, Agの成長II

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