岡田 漱平 | 日本原子力研究所・高崎

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概要

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関連著者

• 岡田 漱平

  日本原子力研究所・高崎

• Kawasuso A.

  東北大金研

• 河裾 厚男

  日本原子力研究所・高崎

• 岡田 漱平

  日本原子力研究所

• 岡田 漱平

  原研高崎

• 河裾 厚男

  日本原子力研究開発機構先端基礎研

• 長谷川 雅幸

  東北大金研

• 伊藤 久義

  日本原子力研究所高崎研究所

• 伊藤 久義

  日本原子力研究所 高崎研究所 材料開発部

• 河裾 厚男

  原研高崎

• 伊藤 久義

  日本原子力研究所・高崎

• 須永 博美

  日本原子力研究所高崎研究所

• 山口 貞衛

  千葉工業大学工学部

• 山口 貞衛

  東北大金研

• 大島 武

  原子力研究開発機構

• 大島 武

  日本原子力研究開発機構

• 伊藤 久義

  原研高崎研

• 吉田 明

  豊橋技術科学大学工学部

• 吉田 明

  豊橋技科大

• 唐 政

  東北大金研

• 末澤 正志

  東北大金研

• 須永 博美

  原研高崎

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学

• 吉田 明

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 伊藤 久義

  原研高崎

• 一宮 彪彦

  名古屋大学

• 田中 徹

  豊橋技術科学大学 工学部

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学

• 田中 徹

  (株)富士通研究所シリコンテクノロジ研究所

• 吉田 明

  豊橋技術科学大学

• 末沢 正志

  東北大金研

• 角野 浩二

  東北大金研

• 千葉 利信

  東北大学金属材料研究所

• 赤羽 隆史

  無機材研

• 千葉 利信

  無機材研

• 赤羽 隆史

  Nims物質研

• 赤羽 隆史

  物質・材料研究機構

• 赤羽 隆史

  無機材質研究所

• 一宮 彪彦

  名古屋大学大学院工学研究科

• 角野 浩二

  新日鐵・技術開発

• 河裾 厚男

  東北大金研

• 伊藤 久義

  原研

• 田畑 誠

  東北大金研

• 一宮 彪彦

  名古屋大学工学部

• 大島 武

  原研

• 宮本 哲史

  東北大金研

• 藤波 真紀

  新日鉄先端技術研

• 米永 一郎

  東北大金研

• 森下 憲雄

  原研高崎研

• 永井 康介

  東北大金研

• 梨山 勇

  原研高崎

• 吉川 正人

  日本原子力研究所

• 石本 貴幸

  日本原子力研究所先端基礎研究センター

• 石本 貴幸

  原研先端研

• 一宮 彪彦

  名大工

• 伊藤 久義

  原子力機構

• 奥村 元

  電総研

• 吉田 貞史

  電総研

• 本田 達也

  東北大金研

• 森下 憲雄

  原子力研究開発機構

• 森下 憲雄

  原研高崎

• 吉川 正人

  原研高崎

• 奥村 元

  産業技術総合研究所

• 蔵元 英一

  九大応力研

• 吉田 貞史

  埼玉大学工学部

• 梨山 勇

  高信頼性部品(株)

• 奥村 元

  産業技術総合研

• 須永 博美

  日本原子力研究所 高崎研究所

• 鹿野 文寿

  株式会社 東芝電力・産業システム技術開発センター金属セラミクス材料開発部

• 蔵元 英一

  応用力学研究所

• 竹中 稔

  九大応力研

• 岡田 漱平

  日本原子力研究所高崎研究所材料開発部

• 島村 健男

  東北大金研

• 河合 昭雄

  東芝原子力研

• 鹿野 文寿

  東芝原子力研

• 前川 雅樹

  原研高崎

• 藤森 公平

  原研高崎

• 荒井 秀幸

  原研高崎

• 河裾 厚男

  原研・高崎

• 伊藤 久義

  原研・高崎

• 大島 武

  原研・高崎

• 安部 功二

  原研・高崎

• 岡田 漱平

  原研・高崎

• 益野 真一

  日本原子力研究所高崎研究所

• 須長 博美

  原研高崎

• 大島 武

  (独)日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門

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著作論文

• 13a-DK-6 Si中の電子線照射誘起欠陥の焼鈍挙動 : 陽電子寿命測定法による分析
• 1a-X-7 電子線照射によって生じたシリコン中原子複空孔の陽電子捕獲
• 8p-S-7 半導体SiC中の電子線照射欠陥の研究(IV)
• CuInSe_2薄膜のイオン注入による不純物導入効果
• 高速短パルス陽電子ビーム形成装置の開発--ビーム構造の計測と改善対策 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成12年度)
• 反射高速陽電子回折(RHEPD)の開発・応用
• 反射高速陽電子回折による水素終端シリコン表面の観察 (「陽電子ビームの形成と物質科学への応用」京都大学原子炉実験所専門研究会報告(平成10年))
• 27pXC-9 静電場方式による陽電子ビーム装置の開発と評価
• 27pY-11 反射高速陽電子回折による水素終端Si(111)の解析
• 28p-Q-6 反射高速陽電子回折(RHEPD)の開発とシリコン表面研究への応用
• 28a-K-11 SiとSiCの陽電子消滅2次元角相関
• 25a-T-3 Si等における原子空孔の同時計数ドップラー広がり法による化学分析
• 陽電子利用研究の展望
• 30a-YC-10 SiCの陽電子消滅2次元角相関
• 6a-X-1 静電場輸送による低速陽電子ビームの発生
• 31a-E-8 半導体SiC中の電子線照射欠陥の研究(III)
• 陽電子消滅法によるSiGe中の電子線照射欠陥の研究(I)
• 半導体SiC中の電子線照射欠陥(II)
• 3a-M-12 半導体SiC中の電子線照射欠陥
• 2p-YC-7 中性子、電子およびレーザー照射した石英の陽電子消滅II
• 29a-YG-10 中性子、電子およびレーザ照射した石英の陽電子消滅
• CuInSe_2薄膜のイオン注入による不純物導入効果
• CuInSe_2薄膜のイオン注入による不純物導入効果
• 世界のポジトロンラボラトリー

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