吉川 正人 | 日本原子力研究所
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概要
関連著者
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吉川 正人
日本原子力研究所
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伊藤 久義
原研高崎
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伊藤 久義
日本原子力研究所高崎研究所
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伊藤 久義
原子力機構
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大島 武
原子力研究開発機構
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奥村 元
産業技術総合研究所
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伊藤 久義
日本原子力研究所 高崎研究所 材料開発部
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吉田 貞史
埼玉大学工学部
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奥村 元
産業技術総合研
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大島 武
日本原子力研究開発機構
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吉川 正人
原研高崎
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大西 一功
日本大学理工学部電子情報工学科
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高橋 芳浩
日本大学理工学部
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伊藤 久義
原研
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梨山 勇
高信頼性部品(株)
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高橋 芳宏
日本大学電子工学科
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高橋 芳浩
日本原子力研究開発機構:日本大学
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賞雅 寛而
東京海洋大学海洋工学部
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岡本 孝司
東京大学大学院新領域創成科学研究科
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森下 憲雄
原研高崎研
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伊藤 久義
原研高崎研
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土田 秀一
財団法人電力中央研究所 材料科学研究所
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山本 春也
独立行政法人日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門
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梨山 勇
原研高崎
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班目 春樹
東京大学大学院工学系研究科附属原子力工学研究施設
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土田 秀一
電力中央研究所
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吉川 正人
独立行政法人日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門
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吉川 正人
日本原子力研究所・高崎研究所
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石本 貴幸
原研先端研
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奥村 元
電総研
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吉田 貞史
電総研
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山村 力
東北大学大学院工学研究科金属工学
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岡田 漱平
原研高崎
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森下 憲雄
原子力研究開発機構
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森下 憲雄
原研高崎
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河裾 厚男
原研高崎
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岡田 漱平
日本原子力研究所・高崎
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奥村 元
電子技術総合研究所
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藤巻 剛
日本大学理工学部
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大西 一功
日大理工学部
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高橋 芳浩
日大理工学部
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藤巻 剛
日大理工学部
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班目 春樹
東京大学
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班目 春樹
東大
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班目 春樹
東大 工
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今井 康之
東京大学大学院新領域創成科学研究科環境学専攻
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今井 康之
東大 工 大学院
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梨山 勇
日本原子力研究所高崎研究所
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大西 一功
日本大学電子工学科
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大島 武
原研
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班目 春樹
原研 東海研 安全性試験研セ
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岡本 孝司
東大工
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石田 夕起
産業技術総合研究所
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直本 保
電力中央研究所
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土方 泰斗
埼玉大学工学部
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高橋 徹夫
産業技術総合研究所
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粕壁 善隆
東北大学国際交流センター
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王 建軍
東北大学大学院工学研究科
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藤野 豐
東北大学国際交流センター
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山本 春也
日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門(高崎)
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Kawasuso A.
東北大金研
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山村 力
東北大
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山村 力
東北大・工学部
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河裾 厚男
日本原子力研究所・高崎
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岡本 孝司
東京大学大学院工学系研究科
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岡本 孝司
東京大学
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班目 春樹
東京大学大学院 工学系研究科
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吉川 正人
原研
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粕壁 善隆
Department Of Quantum Science And Energy Engineering Tohoku University
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賞雅 寛而
東京海洋大 海洋工
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大島 武
(独)日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門
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山村 力
東北大学大学院工学研究科
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岡本 孝司
東京大学大学院工学研究科
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岡本 孝司
東京大学大学院 新領域創成科学研究科
著作論文
- 8p-S-7 半導体SiC中の電子線照射欠陥の研究(IV)
- MNOS構造のトータルドーズ効果における絶縁膜厚依存性
- 水中環境下でのγ線照射による表面濡れ性
- 炭化けい素半導体MOS構造のγ線照射効果とそのメカニズム (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
- 炭化ケイ素基板上に成長させた1200℃ドライ酸化膜中の界面欠陥の電気特性とその熱アニーリング効果(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- 高温イオン注入により導入した6H-SiC中のリン不純物の電気的活性化率と残留欠陥の関係 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成12年度)
- 反射高速陽電子回折によるSiC表面構造解析 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成14年度)
- 低速陽電子ビームを用いたMOS構造SiO2/SiC界面の評価 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成14年度)
- イオン注入法によるチタン薄膜の窒化機構
- 六方晶炭化珪素半導体MOS構造のγ線照射効果 (特集:耐熱・耐放射線半導体素子材料技術)