直本 保 | 電力中央研究所
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概要
関連著者
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土田 秀一
財団法人電力中央研究所 材料科学研究所
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直本 保
電力中央研究所
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鎌田 功穂
財団法人電力中央研究所 材料科学研究所
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泉 邦和
電力中研
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土田 秀一
電力中央研究所
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鎌田 功穂
電力中央研究所
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泉 邦和
電力中央研究所
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鎌田 功穂
電力中研
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土田 秀一
電力中研
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直本 保
電力中研
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辻 崇
富士電機総研
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吉川 正人
日本原子力研究所
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伊藤 久義
原子力機構
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奥村 元
産業技術総合研究所
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伊藤 久義
日本原子力研究所高崎研究所
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伊藤 久義
原研
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伊藤 久義
原研高崎
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伊藤 久義
日本原子力研究所 高崎研究所 材料開発部
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吉田 貞史
埼玉大学工学部
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奥村 元
産業技術総合研
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石田 夕起
産業技術総合研究所
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土方 泰斗
埼玉大学工学部
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高橋 徹夫
産業技術総合研究所
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藤澤 広幸
富士電機総研
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荻野 慎次
富士電機総研
著作論文
- 炭化ケイ素基板上に成長させた1200℃ドライ酸化膜中の界面欠陥の電気特性とその熱アニーリング効果(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- 高速成長4H-SiCエピタキシャル単結晶膜を用いた高電圧ショットキーダイオードの開発
- 縦型輻射加熱式VPE装置による厚膜・低キャリヤ濃度4H-SiCエピタキシャル成長
- SiC基板表面の平坦化技術
- 縦型輻射加熱式反応炉による厚膜4H-SiCエピタキシャル膜のモフォロジー (特集 ハードエレクトロニクス--超低損失パワーデバイス技術) -- (結晶成長)
- 縦型反応炉を用いた厚膜4H-SiCエピタキシャル成長
- 厚膜SiC単結晶成長ならびにSiC表面吸着質・酸化物評価に関する研究