高速成長4H-SiCエピタキシャル単結晶膜を用いた高電圧ショットキーダイオードの開発
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概要
著者
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土田 秀一
財団法人電力中央研究所 材料科学研究所
-
辻 崇
富士電機総研
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鎌田 功穂
財団法人電力中央研究所 材料科学研究所
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直本 保
電力中央研究所
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泉 邦和
電力中研
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鎌田 功穂
電力中研
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土田 秀一
電力中研
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藤澤 広幸
富士電機総研
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直本 保
電力中研
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荻野 慎次
富士電機総研
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