4H-SiC pinダイオードの順方向電圧劣化特性と高耐圧少劣化(000-1)C面4H-SiC pinダイオード

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概要

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• The dependence of forward voltage degradation on crystal faces for 4H-SiC pin diodes has been investigated. The forward voltage degradation has been reduced by fabricating the diodes on the (000-1) C-face off-angled toward <11-20>. High-voltage 4H-SiC pin diodes on the (000-1) C-face with small forward voltage degradation have also been fabricated successfully. A high breakdown voltage of 4.6kV and ΔVF of 0.04V were achieved for a (000-1) C-face pin diode. A 8.3kV blocking performance, which is the highest voltage in the use of (000-1) C-face, is also demonstrated in 4H-SiC pin diode.

• 社団法人 電気学会の論文
• 2008-08-01

著者

• 土田 秀一

  財団法人電力中央研究所 材料科学研究所

• 菅原 良孝

  関西電力(株)研究開発室 電力技術研究所

• 中山 浩二

  関西電力(株)電力技術研究所

• 石井 竜介

  関西電力(株)電力技術研究所

• 菅原 良孝

  関西電力株式会社 総合技術研究所 電力技術研究所

• 石井 竜介

  関西電力(株)研究開発室 電力技術研究所 プロジェクト研究室

• 三柳 俊之

  財団法人電力中央研究所 材料科学研究所

• 鎌田 功穂

  財団法人電力中央研究所 材料科学研究所

• 中村 智宣

  財団法人電力中央研究所 材料科学研究所

• 石井 竜介

  関西電力(株)

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