菅原 良孝 | 関西電力(株)研究開発室 電力技術研究所
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概要
関連著者
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菅原 良孝
関西電力(株)研究開発室 電力技術研究所
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菅原 良孝
関西電力株式会社 総合技術研究所 電力技術研究所
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浅野 勝則
関西電力(株)研究開発室 電力技術研究所
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高山 大輔
関西電力(株)研究開発室 電力技術研究所
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林 利彦
関西電力(株)研究開発室 電力技術研究所
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PALMOUR John
Cree, Inc.
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林 利彦
関西電力 総技研
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Palmour John
Cree Inc
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Ryu Sei-hyung
Cree Inc
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土田 秀一
財団法人電力中央研究所 材料科学研究所
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RYU Sei-Hyung
Cree, Inc.
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中山 浩二
関西電力(株)電力技術研究所
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石井 竜介
関西電力(株)電力技術研究所
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PALMOUR John
Cree, Inc
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RYU Sei-hyung
Cree, Inc
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宮澤 哲哉
財団法人電力中央研究所 材料科学研究所
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石井 竜介
関西電力(株)研究開発室 電力技術研究所 プロジェクト研究室
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SINGH Ranbir
Cree, Inc
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緒方 修二
関西電力(株)研究開発室 電力技術研究所
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Singh Ranbir
Cree Inc
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Ranbir Singh
Cree, Inc
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John W.
Cree, Inc
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石井 竜介
関西電力(株)
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中山 浩二
関西電力（株）電力技術研究所
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石井 竜介
関西電力（株）電力技術研究所
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菅原 良孝
関西電力（株）電力技術研究所
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三柳 俊之
財団法人電力中央研究所 材料科学研究所
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鎌田 功穂
財団法人電力中央研究所 材料科学研究所
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中村 智宣
財団法人電力中央研究所 材料科学研究所
著作論文
- 大容量SiCツェナーダイオードの作製と電気特性評価
- 新構造5kV級4H-SiC SEMOSFETの電気的特性
- 5kV級4H-SiC SEJFETのオン特性の温度依存性及びスイッチング特性
- ノｰマリオフ型5kV級4H-SiC JFET"SEJFET"の電気的特性
- 大容量SiCツェナーダイオードの作製と電気特性評価
- 4H-SiC pinダイオードの順方向電圧劣化特性と高耐圧少劣化(000-1)C面4H-SiC pinダイオード
- 6.2kV高耐圧低損失 4H-SiC pin ダイオードの静特性
- 6.2kV高耐圧低損失4H-SiC pnダイオードの動特性
- 3kV 600A 4H-SiC平型pnダイオードの熱特性
- 3kV 600A 4H-SiC平型pnダイオードの逆回復特性
- 大電力変換用SiCパワーデバイス