5kV級4H-SiC SEJFETのオン特性の温度依存性及びスイッチング特性
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概要
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A normally-off type 5kV class 4H-SiC JFET with low specific on-resistance, called SEJFET (Static Expansion channel JFET), has been fabricated. Its normally-off operation is realized at the temperature from RT to 600K. A very fast switching time of the 4H-SiC SEJFET are realized. The turn-on time at RT is 20ns and the turn-off time at RT is 47ns. In this SEJFET, temperature dependences of the output characteristics and transfer characteristics are evaluated. Its specific on-resistance has a large positive temperature dependence, and its transconductance has a large negative temperature dependence.
- 社団法人 電気学会の論文
- 2005-02-01
著者
-
浅野 勝則
関西電力(株)研究開発室 電力技術研究所
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林 利彦
関西電力(株)研究開発室 電力技術研究所
-
高山 大輔
関西電力(株)研究開発室 電力技術研究所
-
菅原 良孝
関西電力(株)研究開発室 電力技術研究所
-
RYU Sei-Hyung
Cree, Inc.
-
PALMOUR John
Cree, Inc.
-
菅原 良孝
関西電力株式会社 総合技術研究所 電力技術研究所
-
林 利彦
関西電力 総技研
-
Palmour John
Cree Inc
-
Ryu Sei-hyung
Cree Inc
-
PALMOUR John
Cree, Inc
-
RYU Sei-hyung
Cree, Inc
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