SiCパワ-半導体素子の開発動向 (特集 化合物半導体の可能性を再点検する)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 新構造5kV級4H-SiC SEMOSFETの電気的特性
- 5kV級4H-SiC SEJFETのオン特性の温度依存性及びスイッチング特性
- ノｰマリオフ型5kV級4H-SiC JFET"SEJFET"の電気的特性
- 電力用SiC半導体研究会の活動報告
- 発変電所装置搭載パワー半導体素子の寿命推定と搭載素子の検査手法・検査装置の開発評価
- 発変電所装置搭載パワー半導体素子の長期信頼性評価
- 発変電所長期使用パワー半導体素子の信頼性評価研究
- 発変電所整流装置搭載パワー半導体素子の長期信頼性評価
- ワイドギャップパワー半導体の性能と適用インパクト : SiCを中心にして (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
- 大容量SiCツェナーダイオードの作製と電気特性評価
- 4H-SiC pinダイオードの順方向電圧劣化特性と高耐圧少劣化(000-1)C面4H-SiC pinダイオード
- 大容量・高耐熱SiCツェナーダイオードの開発
- 6.2kV高耐圧低損失 4H-SiC pin ダイオードの静特性
- 6.2kV高耐圧低損失4H-SiC pnダイオードの動特性
- 3kV 600A 4H-SiC平型pnダイオードの熱特性
- 100kVA級SiCインバータの開発--世界最高出力容量SiCインバータ
- 3kV 600A 4H-SiC平型pnダイオードの逆回復特性
- 8kV・3.5kA級光サイリスタの特性測定方法の統一と性能指数
- 大電力変換用SiCパワーデバイス
- 発変電所装置搭載パワー半導体素子の長期信頼性評価 (第140回〔パワーエレクトロニクス研究会〕定例研究会)
- 発変電所長期使用パワ-半導体素子の信頼性研究
- Siの性能限界を超え未踏領域に挑戦する SiCパワー半導体および適用装置の開発状況と動向
- パワーデバイスの特性評価研究
- SiCパワ-半導体素子の開発動向 (特集 化合物半導体の可能性を再点検する)