ワイドギャップパワー半導体の性能と適用インパクト : SiCを中心にして (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
ワイドギャップ半導体は総じてSiに比べて秀でた物性値をもつことから, Siの物性限界を超える画期的な性能のパワー半導体素子が期待できる。本論文では中でも進展の著しいSiCに注目して, その物性的特長や予測されるデバイス性能をSiと比較して述べ, 更に, SiCパワー半導体素子を電力変換装置に適用した場合のインパクトについて電力損や装置体積の低減効果試算例を中心に具体的に述べる。また, SiCパワー半導体素子の開発進展状況を紹介し, デバイス開発上の技術課題について述べる。
- 1998-01-25
著者
関連論文
- 新構造5kV級4H-SiC SEMOSFETの電気的特性
- 5kV級4H-SiC SEJFETのオン特性の温度依存性及びスイッチング特性
- ノーマリオフ型5kV級4H-SiC JFET"SEJFET"の電気的特性
- 電力用SiC半導体研究会の活動報告
- 発変電所装置搭載パワー半導体素子の寿命推定と搭載素子の検査手法・検査装置の開発評価
- 発変電所装置搭載パワー半導体素子の長期信頼性評価
- 発変電所長期使用パワー半導体素子の信頼性評価研究
- 発変電所整流装置搭載パワー半導体素子の長期信頼性評価
- ワイドギャップパワー半導体の性能と適用インパクト : SiCを中心にして (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
- 大容量SiCツェナーダイオードの作製と電気特性評価
- 4H-SiC pinダイオードの順方向電圧劣化特性と高耐圧少劣化(000-1)C面4H-SiC pinダイオード
- 大容量・高耐熱SiCツェナーダイオードの開発
- 6.2kV高耐圧低損失 4H-SiC pin ダイオードの静特性
- 6.2kV高耐圧低損失4H-SiC pnダイオードの動特性
- 3kV 600A 4H-SiC平型pnダイオードの熱特性
- 100kVA級SiCインバータの開発--世界最高出力容量SiCインバータ
- 3kV 600A 4H-SiC平型pnダイオードの逆回復特性
- 8kV・3.5kA級光サイリスタの特性測定方法の統一と性能指数
- 大電力変換用SiCパワーデバイス
- 発変電所装置搭載パワー半導体素子の長期信頼性評価 (第140回〔パワーエレクトロニクス研究会〕定例研究会)
- 発変電所長期使用パワ-半導体素子の信頼性研究
- Siの性能限界を超え未踏領域に挑戦する SiCパワー半導体および適用装置の開発状況と動向
- パワーデバイスの特性評価研究
- SiCパワ-半導体素子の開発動向 (特集 化合物半導体の可能性を再点検する)