新構造5kV級4H-SiC SEMOSFETの電気的特性
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概要
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A Novel 4H-SiC SEMOSFET (Static channel Expansion MOSFET) was developed. This SEMOSFET has buried gate in addition to MOS gate. By applying a buried gate voltage of less than built-in potential, its channel can be expanded and low specific on resistance was realized. Developed 4H-SiC SEMOSFET has a high performances, such as high blocking voltage, BV, of 5020V, low specific on-resistance, “RonS" of 88mΩcm2 and switching speed of less than 35ns. In all reported FETs with MOS structure, the SEMOSFET has the best trade-off between RonS and BV and the largest figure of merit of 286MW/cm2. Its RonS is about 1/140th that of the theoretical limit of Si MOSFET for this BV.
- 社団法人 電気学会の論文
- 2005-03-01
著者
-
浅野 勝則
関西電力(株)研究開発室 電力技術研究所
-
林 利彦
関西電力(株)研究開発室 電力技術研究所
-
高山 大輔
関西電力(株)研究開発室 電力技術研究所
-
菅原 良孝
関西電力(株)研究開発室 電力技術研究所
-
RYU Sei-Hyung
Cree, Inc.
-
PALMOUR John
Cree, Inc.
-
菅原 良孝
関西電力株式会社 総合技術研究所 電力技術研究所
-
林 利彦
関西電力 総技研
-
Palmour John
Cree Inc
-
Ryu Sei-hyung
Cree Inc
-
PALMOUR John
Cree, Inc
-
RYU Sei-hyung
Cree, Inc
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