高耐圧5.5kV SiC接合型電界効果トランジスタの試作

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 関西電力総合技術研究所の論文

著者

• 浅野 勝則

  関西電力(株)研究開発室 電力技術研究所

• 高山 大輔

  関西電力(株)研究開発室 電力技術研究所

• 林 利彦

  関西電力 総技研

関連論文

• 新構造5kV級4H-SiC SEMOSFETの電気的特性
• 5kV級4H-SiC SEJFETのオン特性の温度依存性及びスイッチング特性
• ノｰマリオフ型5kV級4H-SiC JFET"SEJFET"の電気的特性
• 19kV超高耐圧SiCダイオードの試作
• 高耐圧5.5kV SiC接合型電界効果トランジスタの試作
• 電力用SiC半導体研究会の活動報告
• 500kV大容量サイリスタバルブの耐震性評価手法の検討
• 高経年GISにおけるOリングの劣化特性
• 6.2kV高耐圧低損失 4H-SiC pin ダイオードの静特性
• 6.2kV高耐圧低損失4H-SiC pnダイオードの動特性
• 3kV 600A 4H-SiC平型pnダイオードの熱特性
• 100kVA級SiCインバータの開発--世界最高出力容量SiCインバータ
• 3kV 600A 4H-SiC平型pnダイオードの逆回復特性
• 3kV 600A 4H-SiC平型pnダイオードの静特性
• 8kV・3.5kA級光サイリスタの特性測定方法の統一と性能指数

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク