高山 大輔 | 関西電力(株)研究開発室 電力技術研究所
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概要
関連著者
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高山 大輔
関西電力(株)研究開発室 電力技術研究所
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浅野 勝則
関西電力(株)研究開発室 電力技術研究所
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菅原 良孝
関西電力株式会社 総合技術研究所 電力技術研究所
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関西電力 総技研
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菅原 良孝
関西電力(株)研究開発室 電力技術研究所
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関西電力(株)研究開発室 電力技術研究所
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PALMOUR John
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Ryu Sei-hyung
Cree Inc
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RYU Sei-Hyung
Cree, Inc.
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関西電力(株)研究開発室 電力技術研究所
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PALMOUR John
Cree, Inc
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関西電力（株）電力技術研究所
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皆川 忠郎
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三菱電機株式会社
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皆川 忠郎
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永尾 栄一
ティーエム・ティーアンドディー(株)
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ティーエム・ティーアンドディー(株)
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山川 豊
関西電力(株)電力システム技術センタ 電気グループ
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緒方 修二
関西電力（株）総合技術研究所
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高山 大輔
関西電力（株）総合技術研究所
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浅野 勝則
関西電力（株）総合技術研究所
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児玉 弘則
（株）日立製作所 日立研究所
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高山 大輔
関西電力(株)電力システム技術センタ 電気グループ
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土江 瑛
三菱電機(株)系統変電システム製作所
著作論文
- 新構造5kV級4H-SiC SEMOSFETの電気的特性
- 5kV級4H-SiC SEJFETのオン特性の温度依存性及びスイッチング特性
- ノｰマリオフ型5kV級4H-SiC JFET"SEJFET"の電気的特性
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- 6.2kV高耐圧低損失 4H-SiC pin ダイオードの静特性
- 6.2kV高耐圧低損失4H-SiC pnダイオードの動特性
- 3kV 600A 4H-SiC平型pnダイオードの熱特性
- 3kV 600A 4H-SiC平型pnダイオードの逆回復特性
- 3kV 600A 4H-SiC平型pnダイオードの静特性