Ryu Sei-hyung | Cree Inc

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概要

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• Cree Incの論文著者

関連著者

• 浅野 勝則

  関西電力(株)研究開発室 電力技術研究所

• 林 利彦

  関西電力(株)研究開発室 電力技術研究所

• 高山 大輔

  関西電力(株)研究開発室 電力技術研究所

• 菅原 良孝

  関西電力(株)研究開発室 電力技術研究所

• PALMOUR John

  Cree, Inc.

• 菅原 良孝

  関西電力株式会社 総合技術研究所 電力技術研究所

• 林 利彦

  関西電力 総技研

• Palmour John

  Cree Inc

• Ryu Sei-hyung

  Cree Inc

• RYU Sei-Hyung

  Cree, Inc.

• PALMOUR John

  Cree, Inc

• RYU Sei-hyung

  Cree, Inc

• SINGH Ranbir

  Cree, Inc

• Singh Ranbir

  Cree Inc

• Ranbir Singh

  Cree, Inc

• John W.

  Cree, Inc

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著作論文

• 新構造5kV級4H-SiC SEMOSFETの電気的特性
• 5kV級4H-SiC SEJFETのオン特性の温度依存性及びスイッチング特性
• ノｰマリオフ型5kV級4H-SiC JFET"SEJFET"の電気的特性
• 6.2kV高耐圧低損失 4H-SiC pin ダイオードの静特性
• 6.2kV高耐圧低損失4H-SiC pnダイオードの動特性

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