6.2kV高耐圧低損失4H-SiC pnダイオードの動特性
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概要
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A 4H-SiC pin diode with improved termination named mesa JTE has been developed and a high blocking voltage of 6.2kV and a low VF of 4.7V at 100A/cm2 have been achieved. A developed diode has a short reverse recovery time of 28.5ns at room temperature. By evaluation of reverse recovery characteristics, a developed diode has a minority carrier lifetime of longer than 1μs at 350°C in spite of a minority carrier lifetime of 64ns at room temperature. Furthermore, a developed diode has 1/29th lower recovery loss than those of a commercialized 4.5kV Si diode.
- 社団法人 電気学会の論文
- 2003-05-01
著者
-
浅野 勝則
関西電力(株)研究開発室 電力技術研究所
-
林 利彦
関西電力(株)研究開発室 電力技術研究所
-
高山 大輔
関西電力(株)研究開発室 電力技術研究所
-
菅原 良孝
関西電力(株)研究開発室 電力技術研究所
-
PALMOUR John
Cree, Inc.
-
菅原 良孝
関西電力株式会社 総合技術研究所 電力技術研究所
-
林 利彦
関西電力 総技研
-
Palmour John
Cree Inc
-
Ryu Sei-hyung
Cree Inc
-
SINGH Ranbir
Cree, Inc
-
Singh Ranbir
Cree Inc
-
Ranbir Singh
Cree, Inc
-
John W.
Cree, Inc
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