3kV 600A 4H-SiC平型pnダイオードの静特性

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概要

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• 3kV 600A 4H-SiC high temperature flat package type diodes have been developed for use in electricity supply, which are a pressure contact flat package type and include five 6mm × 6mm SiC diode chips. The flat package type diodes have excellent electrical performances at high temperature.

• 社団法人 電気学会の論文

著者

• 菅原 良孝

  関西電力（株）電力技術研究所

• 浅野 勝則

  関西電力(株)研究開発室 電力技術研究所

• 高山 大輔

  関西電力(株)研究開発室 電力技術研究所

• 緒方 修二

  関西電力(株)研究開発室 電力技術研究所

• 緒方 修二

  関西電力（株）総合技術研究所

• 高山 大輔

  関西電力（株）総合技術研究所

• 浅野 勝則

  関西電力（株）総合技術研究所

• 児玉 弘則

  （株）日立製作所 日立研究所

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