高経年GISにおけるOリングの劣化特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Owing to increasing number of highly aged GIS, the investigation of the remaining lifetimes of those systems are becoming more important. Because a lot of O-rings are used in GIS, the study of degradation mechanism and lifetime estimation method of O-ring is essential. In this paper, the information about O-ring degradation mechanism is described, and the statistical method for estimating the remaining lifetime of O-ring is proposed. The degradation of O-ring is mainly subject to chemical reactions triggered by oxygen. Because there are many factors influencing those chemical reactions, the dispersion of degradation rates of O-rings in GIS is very large. Consequently the statistical analysis is one of the effective techniques for lifetime estimation of O-rings in GIS.
- 社団法人 電気学会の論文
- 2005-03-01
著者
-
高山 大輔
関西電力(株)研究開発室 電力技術研究所
-
皆川 忠郎
三菱電機株式会社
-
永尾 栄一
三菱電機株式会社
-
米沢 比呂志
関西電力(株)電力システム技術センタ 電気グループ
-
皆川 忠郎
ティーエム・ティーアンドディー(株)
-
永尾 栄一
ティーエム・ティーアンドディー(株)
-
土江 瑛
ティーエム・ティーアンドディー(株)
-
山川 豊
関西電力(株)電力システム技術センタ 電気グループ
-
高山 大輔
関西電力(株)電力システム技術センタ 電気グループ
-
土江 瑛
三菱電機(株)系統変電システム製作所
関連論文
- ガス絶縁母線へのN_2/SF_6混合ガス適用に関する検討(II)
- 新構造5kV級4H-SiC SEMOSFETの電気的特性
- 5kV級4H-SiC SEJFETのオン特性の温度依存性及びスイッチング特性
- ノｰマリオフ型5kV級4H-SiC JFET"SEJFET"の電気的特性
- 19kV超高耐圧SiCダイオードの試作
- 高耐圧5.5kV SiC接合型電界効果トランジスタの試作
- 電力用SiC半導体研究会の活動報告
- 放電中にアーク状放電が含まれないKrFエキシマレーザ発振器の開発と寿命特性
- カーボンナノチューブに吸着したSF_6分解ガスのFT-IR分光法を用いた同定
- 量産用KrFエキシマレーザの開発
- SF_6分解ガスを定量する固体電気化学センサ
- F化合物を検出する固体電解質ガスセンサ(1)HFに対する検出効果
- 高性能GISガススローリーク検出装置の開発
- 高経年GISにおけるOリングの劣化特性
- 直流送電用GISの開発・設計
- 6.2kV高耐圧低損失 4H-SiC pin ダイオードの静特性
- 6.2kV高耐圧低損失4H-SiC pnダイオードの動特性
- 3kV 600A 4H-SiC平型pnダイオードの熱特性
- 3kV 600A 4H-SiC平型pnダイオードの逆回復特性
- 3kV 600A 4H-SiC平型pnダイオードの静特性
- 電力技術のイノベーション(6) : 550kVガス絶縁開閉装置(GIS)の開発と製品化
- 高経年開閉機器の劣化評価におけるグリースの劣化診断手法
- ポリマー碍管の長期信頼性に関する検討および評価
- ポリマー碍管の長期信頼性に関する検討および評価
- ポリマー碍管の長期信頼性に関する検討および評価