3kV 600A 4H-SiC平型pnダイオードの逆回復特性
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概要
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3kV 600A 4H-SiC flat package type pn diodes have been developed and their reverse recovery characteristics have been investigated. In spite of pn junction diodes, the developed diodes have a short reverse recovery time of 0.153μs at room temperature. This diodes have 1/10th lower recovery loss and 1/3rd lower recovery time than those of a commercialized 2.5kV Si diode in spite of high blocking voltage. When this diodes apply to PWM inverter, the carrier frequency that on-state loss is equal to switching loss is 1.45 times the Si diodes frequency at 398K. By using the developed diode, high voltage high frequency inverter operation can be realized.
- 社団法人 電気学会の論文
- 2006-07-01
著者
-
浅野 勝則
関西電力(株)研究開発室 電力技術研究所
-
高山 大輔
関西電力(株)研究開発室 電力技術研究所
-
菅原 良孝
関西電力(株)研究開発室 電力技術研究所
-
菅原 良孝
関西電力株式会社 総合技術研究所 電力技術研究所
-
緒方 修二
関西電力(株)研究開発室 電力技術研究所
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