宮澤 哲哉 | 財団法人電力中央研究所 材料科学研究所

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概要

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関連著者

• 宮澤 哲哉

  財団法人電力中央研究所 材料科学研究所

• 土田 秀一

  財団法人電力中央研究所 材料科学研究所

• 菅原 良孝

  関西電力(株)研究開発室 電力技術研究所

• 中山 浩二

  関西電力(株)電力技術研究所

• 石井 竜介

  関西電力(株)電力技術研究所

• 中山 浩二

  関西電力（株）電力技術研究所

• 石井 竜介

  関西電力（株）電力技術研究所

• 菅原 良孝

  関西電力（株）電力技術研究所

• 鎌田 功穂

  電力中央研究所

• 土田 秀一

  電力中央研究所

• 菅原 良孝

  関西電力株式会社 総合技術研究所 電力技術研究所

• 石井 竜介

  関西電力(株)研究開発室 電力技術研究所 プロジェクト研究室

• 長野 正裕

  電力中央研究所材料科学研究所

• 石井 竜介

  関西電力(株)

• 田沼 良平

  電力中央研究所材料科学研究所

• 宮澤 哲哉

  電力中央研究所材料科学研究所

• 伊藤 雅彦

  電力中央研究所材料科学研究所

• 長野 正裕

  電力中央研究所 材料科学研究所

• 伊藤 雅彦

  電力中央研究所 材料科学研究所

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著作論文

• 大容量SiCツェナーダイオードの作製と電気特性評価
• 大容量SiCツェナーダイオードの作製と電気特性評価
• 超厚膜4H-SiCエピタキシャル成長と欠陥低減 (特集 いよいよ本格化するSiCパワー半導体技術の普及 : 省エネルギーの切り札) -- (結晶・プロセス)
• 4H-SiCエピタキシャル成長における欠陥挙動解析と欠陥制御技術(SiCの現状と今後の展開)

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