土田 秀一 | 電力中央研究所

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概要

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• 電力中央研究所の論文著者

関連著者

• 土田 秀一

  電力中央研究所

• 土田 秀一

  財団法人電力中央研究所 材料科学研究所

• 鎌田 功穂

  電力中央研究所

• 鎌田 功穂

  財団法人電力中央研究所 材料科学研究所

• 直本 保

  電力中央研究所

• 長野 正裕

  電力中央研究所材料科学研究所

• 泉 邦和

  電力中央研究所

• 泉 邦和

  電力中研

• 田沼 良平

  電力中央研究所材料科学研究所

• 伊藤 雅彦

  電力中央研究所材料科学研究所

• 長野 正裕

  電力中央研究所 材料科学研究所

• 伊藤 雅彦

  電力中央研究所 材料科学研究所

• 宮澤 哲哉

  財団法人電力中央研究所 材料科学研究所

• 中村 智宣

  電力中央研究所

• 三柳 俊之

  電力中央研究所

• 吉川 正人

  日本原子力研究所

• 伊藤 久義

  原子力機構

• 奥村 元

  産業技術総合研究所

• 伊藤 久義

  日本原子力研究所高崎研究所

• 伊藤 久義

  原研

• 伊藤 久義

  原研高崎

• 伊藤 久義

  日本原子力研究所 高崎研究所 材料開発部

• 吉田 貞史

  埼玉大学工学部

• 奥村 元

  産業技術総合研

• 三柳 俊之

  財団法人電力中央研究所 材料科学研究所

• 中村 智宣

  財団法人電力中央研究所 材料科学研究所

• 石田 夕起

  産業技術総合研究所

• 土方 泰斗

  埼玉大学工学部

• 高橋 徹夫

  産業技術総合研究所

• 土田 秀一

  電力中央研究所材料科学研究所

• 鎌田 功穂

  電力中央研究所材料科学研究所

• 宮澤 哲哉

  電力中央研究所材料科学研究所

• 宮津 哲哉

  電力中央研究所 材料科学研究所

• 鎌田 功穂

  電力中央研究所 材料科学研究所

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著作論文

• Mo を用いた高耐電圧・低損失4H-SiCショットキーバリアダイオード
• 炭化ケイ素基板上に成長させた1200℃ドライ酸化膜中の界面欠陥の電気特性とその熱アニーリング効果(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
• SiC結晶成長と欠陥評価
• SiC基板表面の平坦化技術
• 縦型反応炉を用いた厚膜4H-SiCエピタキシャル成長
• 開発事例 パワーデバイス応用に向けたSiC単結晶膜のエピタキシャル成長 (特集 最新 薄膜形成技術と用途展開)
• 4H-SiCエピタキシャル成長における拡張欠陥の挙動
• SiC結晶成長法の動向と展望--エピタキシャル成長について (特集 「シリコンカーバイド」がやって来た--実用化に向け動き出した次世代パワーデバイス材料)
• ４Ｈ‐ＳｉＣエピタキシャル成長における拡張欠陥の挙動
• 4H-SiCエピタキシャル成長における欠陥挙動解析と欠陥制御技術(SiCの現状と今後の展開)
• 4H-SiCエピタキシャル成長における欠陥挙動解析と欠陥制御技術

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