奥村 元 | 産業技術総合研
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
奥村 元
産業技術総合研
-
奥村 元
産業技術総合研究所
-
奥村 元
産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター
-
吉田 貞史
埼玉大学工学部
-
沈 旭強
産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター
-
石田 夕起
産業技術総合研究所
-
吉川 正人
日本原子力研究所
-
松畑 洋文
産業技術総合研究所
-
奥村 元
電子技術総合研究所
-
伊藤 久義
原研高崎
-
松畑 洋文
産総研エネルギー半導体エレ
-
井手 利英
産業技術総合研究所
-
高橋 徹夫
産業技術総合研究所
-
井手 利英
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
-
沈 旭強
産業技術総合研究所
-
大島 武
日本原子力研究開発機構
-
尾沼 猛儀
東北大学多元物質科学研究所
-
宗田 孝之
早稲田大学理工学術院
-
幾原 雄一
東京大学工学部総合研究機構
-
伊藤 久義
原子力機構
-
幾原 雄一
東京大学工学部
-
奥村 元
産総研
-
伊藤 久義
日本原子力研究所高崎研究所
-
伊藤 久義
日本原子力研究所 高崎研究所 材料開発部
-
秩父 重英
筑波大学物理工学系
-
黒田 剛正
早稲田大学理工学部
-
尾沼 猛儀
筑波大学物理工学系
-
北村 寿朗
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
-
竹内 淳
早稲田大学理工学部
-
DenBaars Steven
Department of Materials Engineering, University of California
-
中村 修二
科学技術振興事業団中村不均一結晶プロジェクト
-
宗田 孝之
早稲田大学
-
岩本 知広
熊本大学大学院自然科学研究科
-
竹内 淳
早稲田大 理工
-
梨山 勇
高信頼性部品(株)
-
岩本 知広
東京大学工学部総合研究機構
-
DENBAARS Steven
Electrical and Computer Engineering Department, University of California
-
Denbaars Steven
Jst-erato中村pj:ucsb
-
北村 寿朗
東理大
-
Denbaars Steven
Materials Department University Of California
-
Denbaars Steven
Department Of Electrical And Computer Engineering University Of California
-
秩父 重英
筑波大物工
-
中村 修二
Jst-erato中村pj:ucsb
-
DenBaars Steven
Department of Electrical and Computer Engineering and Materials Department, University of California, Santa Barbara, CA 93106, U.S.A.
-
幾原 雄一
東京大学工学系:東北大学WPI-AIMR:ファインセラミックスセンター
-
森下 憲雄
原研高崎研
-
伊藤 久義
原研高崎研
-
土田 秀一
財団法人電力中央研究所 材料科学研究所
-
若木 守明
東海大学工学部
-
梨山 勇
原研高崎
-
土田 秀一
電力中央研究所
-
幾原 雄一
東大工
-
奥村 元
電総研
-
吉田 貞史
電総研
-
岡田 漱平
原研高崎
-
森下 憲雄
原子力研究開発機構
-
森下 憲雄
原研高崎
-
大島 武
原子力研究開発機構
-
河裾 厚男
原研高崎
-
吉川 正人
原研高崎
-
田中 保宣
産業技術総合研究所
-
岡本 光央
産業技術総合研究所
-
岡田 漱平
日本原子力研究所・高崎
-
大西 一功
日本大学理工学部電子情報工学科
-
高橋 芳浩
日本大学理工学部
-
伊藤 久義
原研
-
奥村 元
独立行政法人産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センター
-
梨山 勇
日本原子力研究所高崎研究所
-
高橋 芳宏
日本大学電子工学科
-
大西 一功
日本大学電子工学科
-
高橋 芳浩
日本原子力研究開発機構:日本大学
-
原田 信介
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
-
先崎 純寿
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
-
直本 保
電力中央研究所
-
土方 泰斗
埼玉大学工学部
-
若木 守明
東海大学工学
-
Kawasuso A.
東北大金研
-
深澤 亮一
東海大学工学研究科
-
太田 公広
電子技術総合研究所
-
清水 三聡
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
-
Shen Xu-Qiang
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
-
Jeganathan Kulandaivel
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
-
小杉 亮治
産業技術総合研究所
-
河裾 厚男
日本原子力研究所・高崎
-
沈 旭強
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
-
深澤 亮一
日本分光工業
-
深沢 亮一
東海大工
-
奥村 元
(独)産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センター
-
清水 三聡
産業技術総合研究所
-
下里 淳
産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター
-
牧野 高紘
日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門
-
荒井 亮
筑波大学数理物質科学研究科
-
梅田 享英
筑波大学数理物質科学研究科
-
佐藤 嘉洋
筑波大学数理物質科学研究科
-
大島 武
日本原子力研究開発機構半導体耐放射線性研究グループ
-
牧野 高紘
日本原子力研究開発機構半導体耐放射線性研究グループ
-
小杉 亮治
産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センター
-
奥村 元
産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センター
著作論文
- 8p-S-7 半導体SiC中の電子線照射欠陥の研究(IV)
- 立方晶および六方晶InGaNの発光特性比較 : 分極効果の有無と励起子局在効果(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 立方晶および六方晶InGaNの発光特性比較 : 分極効果の有無と励起子局在効果(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 窒化物系半導体薄膜での転位密度減少の観察
- 超高圧超高分解能透過電子顕微鏡によるGaN極性直接評価とその応用(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 超高圧超高分解能透過電子顕微鏡によるGaN極性直接評価とその応用(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
- 炭化けい素半導体MOS構造のγ線照射効果とそのメカニズム (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
- 炭化ケイ素基板上に成長させた1200℃ドライ酸化膜中の界面欠陥の電気特性とその熱アニーリング効果(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- ワイドギャップ半導体高周波電子デバイス研究の現状と今後の展開
- 分子線エピタキシー法によるIII族窒化物のエピタキシャル成長(III族窒化物半導体の結晶成長はどこまで進んだか)奥村,元
- MBE成長高濃度p型GaAsの過剰減衰LOフォノン-プラズモン結合モードによるラマン散乱
- GaN初期成長におけるSi-ドーピング,GaNテンプレートの効果(ナノ構造・エピ成長分科会特集「窒化物半導体エピタキシャル成長における基板の役割」の再考)
- 減圧CVD法によるSi基板上3C-SiCヘテロエピタキシャル成長膜の表面モフォロジー (特集:耐熱・耐放射線半導体素子材料技術)
- Si基板上3C-SiCヘテロエピタキシャル膜の成膜機構及びそのショットキー障壁特性 (特集:耐熱・耐放射線半導体素子材料技術)
- ワイドギャップ窒化物半導体エレクトロニクス材料の研究 (特集:ワイドギャップ窒化物半導体)
- 4H-SiC MOS界面の電子スピン共鳴分光評価(SiC-MOSゲートスタック技術の進展,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- SiC-MOSゲート構造の高信頼性化(SiC-MOSゲートスタック技術の進展,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)