奥村 元 | 独立行政法人産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センター
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概要
関連著者
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奥村 元
独立行政法人産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センター
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奥村 元
(独)産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センター
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中島 信一
(独)産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター
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三谷 武志
(独)産業技術総合研究所, パワーエレクトロニクス研究センター
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奥村 元
(独)産業技術総合研究所, パワーエレクトロニクス研究センター
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奥村 元
産業技術総合研
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奥村 元
(独)産業技術総合研究所
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三谷 武志
(独)産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター
著作論文
- 極紫外顕微ラマン分光法の開発 : 半導体ナノ表面層の評価
- ワイドギャップ半導体によるパワーエレクトロニクスの革新 (特集 エレクトロニクスの多様化を支える新デバイス技術--2020年を見据えて)
- 12.ワイドギャップ半導体によるパワーエレクトロニクスの革新(エレクトロニクスの多様化を支える新デバイス技術-2020年を見据えて-)
- ワイドギャップ半導体高周波電子デバイス研究の現状と今後の展開
- 3-2 SiCパワーエレクトロニクスの最新研究開発動向(3.パワーエレクトロニクスの最前線,世界的な競争領域にある最先端デバイス技術)