3-2 SiCパワーエレクトロニクスの最新研究開発動向(3.パワーエレクトロニクスの最前線,<特集>世界的な競争領域にある最先端デバイス技術)

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概要

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• 近年,SiCに代表されるワイドギャップ半導体をパワーエレクトロニクスへ活用する動きが注目されている.SiCは,飽和ドリフト速度,絶縁破壊電界といった物性値がSi等に比べて大きく,省エネの観点からパワーデバイス応用に極めて有望な材料とみなされている.その革新のためには,高性能パワーデバイスやその応用技術の開発が必須であるが,ここ数年の進展で多くの実用的な性能実証がなされた.本稿では,今後のパワーエレクトロニクス技術開発,そのキーデバイスと期待されるSiC高出力パワーデバイスの開発現状と応用展開,更には実用化の鍵となる信頼性等の課題について解説する.

• 2012-11-01

著者

• 奥村 元

  独立行政法人産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センター

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