清水 三聡 | 産業技術総合研究所

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概要

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• 同名の論文著者
• 産業技術総合研究所の論文著者

関連著者

• 井手 利英

  産業技術総合研究所

• 清水 三聡

  産業技術総合研究所

• 森田 竜夫

  パナソニック株式会社

• 田中 毅

  パナソニック株式会社

• 上田 哲三

  パナソニック株式会社

• 沈 旭強

  産業技術総合研究所

• 沈 旭強

  産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター

• 清水 三聡

  産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター

• 上田 哲三

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 田中 毅

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 田中 毅

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 田中 毅

  松下電器(株)半導体デバイス研究センター

• 森田 竜夫

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 森田 竜夫

  パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター

• 奥村 元

  産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター

• 奥村 元

  産業技術総合研

• Shen Xu-Qiang

  産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター

• Jeganathan Kulandaivel

  産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター

• 沈 旭強

  産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター

• 井手 利英

  産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター

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著作論文

• GaN初期成長におけるSi-ドーピング,GaNテンプレートの効果(ナノ構造・エピ成長分科会特集「窒化物半導体エピタキシャル成長における基板の役割」の再考)
• GaN-GIT双方向スイッチの高精度な等価回路モデル(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• GaN-GIT双方向スイッチの高精度な等価回路モデル(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• GaN-GIT双方向スイッチの高精度な等価回路モデル(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• GaN-GIT双方向スイッチの高精度な等価回路モデル
• GaN-GIT双方向スイッチの高精度な等価回路モデル
• GaN-GIT双方向スイッチの高精度な等価回路モデル

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